闪迪(SanDisk) 厂商主页

Sandisk（原西部数据闪存业务）已完成与西部数据的分离，为独立的上市公司，股票代码为“SNDK”。Sandisk提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术，满足人们和企业在理想与现实之间的交汇点，使他们能够不断前进并推动可能性向前发展。

闪迪存储产品

Sandisk iNAND 7232系列
Sandisk iNAND 7232系列

采用先进的15nm TLC工艺，符合eMMC5.1规范标准，提供32GB-128GB容量，适用于高端智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-07-14
Sandisk iNAND 7030系列
Sandisk iNAND 7030系列

采用先进的A19nm工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供16GB-128GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-06-17
闪迪至尊极速500型移动SSD
闪迪至尊极速500型移动SSD

提供120GB/240GB和480GB容量，读写速度最高达430MB/s、400MB/s，专为高速移动存储而设计。

闪迪 2015-06-01
闪迪至尊极速900型移动SSD
闪迪至尊极速900型移动SSD

提供480GB、960GB、1.92TB容量，读写速度最高达850MB/s，专为高速移动存储而设计。

闪迪 2015-06-01
闪迪至尊极速510型移动SSD
闪迪至尊极速510型移动SSD

仅提供480GB大容量，读速度高达430MB/s，其高可靠性和防水特性特别符合摄影专业人士和户外爱好者需求。

闪迪 2015-06-01
Sandisk Z400s系列
Sandisk Z400s系列

提供32GB-256GB容量，SATAIII/M.2 2280/mSATA规格，均6Gbps接口速度，最高读写速度分别为549MB/s，330MB/s

闪迪 2015-05-26
SanDisk双接口USB Type-C U盘
SanDisk双接口USB Type-C U盘

提供32GB容量，USB Type-C和标准USB双接口设计，实现多设备之间的数据传输和内容共享。

闪迪 2015-05-22
Sandisk iNAND 7132系列
Sandisk iNAND 7132系列

采用先进的1ynm X3工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供16GB-64GB容量。

闪迪 2015-03-24
Sandisk iNAND 5130系列
Sandisk iNAND 5130系列

采用先进的1ynm工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供8GB-64GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-03-20
耐用性Class 10 MicroSD系列
耐用性Class 10 MicroSD系列

提供32GB和64GB容量，64GB最多可记录1万小时视频，32GB最多可记录5000小时视频。

闪迪 2015-03-02
Sandisk OTG USB3.0系列
Sandisk OTG USB3.0系列

双接口传输，USB3.0接口读取速度高达130MB/s，最高存储容量为64GB，可以在移动智能设备和PC间传输数据。

闪迪 2015-02-11
SanDisk iXpand双接口U盘
SanDisk iXpand双接口U盘

提供16GB-64GB储存容量，针对Lightning界面提供USB外接存储设备，USB2.0传输接口。

闪迪 2014-11-14
Sandisk X300 系列
Sandisk X300 系列

提供128GB-1TB容量，采用1ynm TLC NAND，2.5英寸/mSATA/M.2规格，接口速度均为SATA 6Gbps。

闪迪 2014-10-03
SDHC/SDXC UHS-I U3系列
SDHC/SDXC UHS-I U3系列

128-512GB容量选择，UHS-I规范U3的传输，读取速度高达95MB/s；写入速度90MB/s，为捕捉4K超高清拍摄而设计。

闪迪 2014-09-23
Sandisk Ultra II系列
Sandisk Ultra II系列

提供120-960GB四种容量，接口均为SATA 6Gbps，厚度为7mm，不再长时间等待开机、关机。

闪迪 2014-08-25

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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