据国新办新闻发布会介绍,截至2026年9月底,我国智能算力规模达2592EFLOPS,同比增长146%,有力支撑我国人工智能产业快速发展。
日本AI服务商GMO Internet宣布,考虑GPU云端服务「GMO GPU Cloud」的提供情况、市场需求,将追加投资约261亿日元(约合1.65亿美元),最多将采购116台搭载英伟达B300的服务器。GMO Internet表示,上述计划采购的英伟达B300服务器将自2027年8月起陆续取得。
据外媒报道,美光科技台湾桃园工会宣布,将于10月22日举行罢工,声援台中工会与公司的劳资协商。此次争议主要涉及员工奖金及利润分享制度。报道称,美光桃园工会此前已取得罢工授权,但尚未公布罢工持续时间。台中工会目前仍与公司进行协商,尚未举行罢工投票。
长鑫科技在19日举办的“2026年第二次临时股东会”上表示,该司目前在合肥、北京两地的晶圆厂持续保持高产能利用率,订单饱满,有能力通过多元化的产品矩阵和持续优化的成本结构,从容应对市场变化。
长鑫进一步指出,公司对DRAM行业长期发展保持充足信心。AI算力需求爆发正驱动全球DRAM市场持续扩容,预计2025至2030年行业年均复合增长率高达38.39%。面对广阔市场机遇,公司已构建强大的产品技术实力,以满足市场需求。
海光信息公告称,第三季度营业收入58.56亿元,同比增长45.46%;归属于上市公司股东的净利润为10.48亿元,同比增长37.90%。前三季度实现营业收入149.55亿元,同比增长57.58%;归属于上市公司股东的净利润为28.47亿元,同比增长45.12%。海光信息第三季度净利润10.48亿,第二季度净利润11.11亿,由此推算,第三季度净利润环比下降5%。
业绩增长主要受人工智能产业快速发展、国产化进程由政策驱动全面转向市场驱动等因素带动,国内高端芯片需求持续攀升,公司持续加大研发投入,在高端芯片市场具有竞争优势,实现了业绩持续增长。
据外媒报道,美国国土安全部(DHS)当地时间19日下令联邦民事机构“不得采购DeepSeek及其关联公司的产品和服务,并将其从现有IT系统中移除”。采用DeepSeek模型开发的第三方产品和服务也受此命令约束。该措施依据2018年颁布的《联邦采购供应链安全法案》。
据韩媒报道,美光科技正在研发一种专为物理AI应用而设计的存储半导体——边缘推理存储器(EIM)。美光科技副总裁李哲在首尔COEX会展中心举行的“半导体驱动人形机器人”会议上表示,包括自动驾驶、人形机器人、增强现实(AR)和虚拟现实(VR)在内的物理人工智能市场正在快速增长。EIM旨在高速处理人工智能推理所需的数据。它将低功耗动态随机存取存储器(LPDDR)堆叠在逻辑芯片之上,该技术位于AI芯片和内存之间,目的是降低数据处理延迟并提高带宽。据悉,美光正在开发将EIM技术应用于LPDDR6内存的方法,业内人士预计将于2028年下半年实现量产。
据韩媒报道,三星电子暂定明年搭载有机发光二极管(OLED)屏幕的中端Galaxy A系列手机出货量目标为1亿部,相较于三星电子9月底向合作伙伴公布的OLED Galaxy A系列1.2亿部出货量目标减少了2000万部。据悉,三星电子下调出货量的主要原因是存储价格上涨。这也增加了其明年智能手机整体出货量目标下调的可能性。三星电子最初计划明年出货超过2.5亿部智能手机 ,但据报道,该公司正在修订这一计划。普遍认为,最终出货量将比原计划减少2000多万部。
当地时间10月19日,美股三大股指涨跌不一。截至收盘,道琼斯工业平均指数收于51966.03点,跌幅为0.07%;纳斯达克指数收于26430.89点,涨幅为1.11%;标普500指数收于7690.73点,涨幅为0.41%。其中,大型科技股多数收涨,亚马逊涨超4%,AMD、英伟达、谷歌A涨超1%,谷歌C涨0.96%,微软涨0.84%,高通涨0.83%,苹果跌0.15%;存储板块普遍收涨,西部数据涨超6%,闪迪涨超5%,SK海力士涨超4%,希捷涨超3%,美光涨超2%。
三星电机宣布,已与一家全球大型企业签署了一份价值3605亿韩元(约合2.7亿美元)的供货合同,为该客户提供安装在存储半导体上的高性能封装基板。合同期限为一年,从2027年1月1日至2027年12月31日。随着生成式人工智能的普及和高性能计算需求的不断增长,下一代存储产品(例如高带宽内存 (HBM) 和高性能服务器 DRAM 模块)的需求日益增长,从而推动了基板需求的激增。
NVIDIA开发者合作副总裁井田圭太近日在受访时表示,包括游戏玩家在内的普通消费者面临的供货困难,是影响整个半导体行业的供应链问题,例如DRAM,而不仅仅是GPU。这不是NVIDIA能够控制的领域。
据日媒报道,日本经济产业省批准了台积电及其日本子公司JASM提交的台积电熊本第二工厂生产计划变更方案。根据2024年2月获批的初步规划,该工厂的主要产品是采用6nm和12nm工艺的逻辑半导体,并计划根据国内市场需求支持40nm工艺的生产,整个工厂的月产能为63,000片晶圆(以上数据均基于300mm晶圆)。修订后的计划将以3nm工艺逻辑半导体为主要产品,月产能为6000片晶圆。预计首批产品将于2028年第四季度出货,并计划持续生产10年以上,产品将主要交付给日本客户。同日,熊本第一工厂的生产计划变更也获得批准。原计划以采用22/28nm和12/16nm工艺的逻辑半导体为主要产品,而修订后的计划删除了12/16nm工艺,并将22/28nm工艺作为主要产品。此外,考虑到国内市场需求,公司还将生产40nm工艺的半导体。该工厂的整体产能也已从最初计划的每月5.5万片下调至5万片。
在19日发布的初步盈利公告中,FADU表示,今年第三季度公司合并营收1436亿韩元,同比飙升460%,环比增长96%;营业利润达363亿韩元,由去年同期114亿韩元的亏损转为大幅盈利;两大指标均再创历史新高。强劲的业绩得益于全球大型科技公司加大对AI数据中心的投资,从而带动了对存储解决方案的爆炸式需求。Fadu今年的累计新订单额达到4563亿韩元,远超去年全年营收(924亿韩元)的四倍。继目前已向多家全球大型科技公司供应Gen5主控后,FADU已完成下一代Gen6主控的研发,并正准备在年底前实现量产和销售。此外,公司还在研发Gen7主控,目标是在2028年提供样品。
戴尔科技CEO迈克尔·戴尔近期表示,AI基础设施建设需求持续飙升,但全球内存产能增长已跟不上市场需求,HBM和DRAM供应紧张局面预计将在2027年进一步恶化,供应受限问题甚至可能持续长达四年。从需求端看,戴尔认为自身看到的需求信号较为可信。公司直接对接各类客户,目前尚未发现重复下单、资源闲置等异常。企业布局AI已不再只是传统IT预算项目,而是提升竞争力、创新速度和运营效率的重要工具,各业务线负责人越来越意识到必须投入AI基础设施。
德明利日前发布财务预告。2026年前三季度,德明利实现营业收入275亿元至295亿元,同比增长312.97%至343.00%;归属于上市公司股东的净利润86.5亿元至89.5亿元,同比增长32,046.52%-33,154.49%;扣除非经常性损益后的净利润85.96亿元至88.96亿元,同比增长17,127.99%-17,722.26%。
其中,德明利第三季度实现营业收入105.89亿元至125.89亿元,环比增长13%至34.33%;实现归属于上市公司股东的净利润26.33亿元至29.33亿元,环比增长-1.42%至9.81%,盈利能力保持在历史较高水平。
阿里达摩院首席科学家孟建熠近日表示,玄铁芯片目前已经稳定出货超60亿颗,据Omida预测,至2030年,全球RISC-V处理器年度出货量每年增长近30%,2030年在全球处理器出货份额将达到约25%的市场占有率。
DeepSeek V4.1 Flash 现已更新至 V4.1-Flash-1017 版本,官方网页端、APP 与 API 模型已同步变更为新模型。相比上一版本的 DeepSeek V4.1 Flash,新模型在各方面的基准测试中取得了长足的提升。在提升性能的同时,还缩短了模型的任务运行时间与输出长度,让用户能够以更低成本、更快速度完成任务,在多个 Harness 下达到了新的性能-费用帕累托最优。特别地,本次着重针对 DeepSeek Harness、腾讯 CodeBuddy、WorkBuddy 等平台框架进行了优化。DeepSeek V4.1 Flash 1017 通过基于自反馈的强化学习(RL)训练技术,提升了在游戏开发、3D 建模等方面从零开始构建完整项目的能力,能够支持实现更多“许愿式”编程任务及项目开发请求。本次新版本发布 DeepSeek API 新增对 Search 与 Fetch 接口的支持,相关能力正式向公众开放。
长鑫科技披露前三季度业绩预告显示,2026年前三季度,预计公司营业收入约为人民币2,650亿元至2,700亿元,与上年同期相比,将增加2,329.16亿元至2,379.16亿元,同比增长726%-741.5%;预计归属于上市公司股东的净利润约为人民币1,310.00亿元至1,325.00亿元,与上年同期相比,将增加1,362.80亿元到1,377.80亿元,同比扭亏为盈。由此推算,第三季度公司实现营业收入1146.9亿元至1196.9亿元,同比增长589%-619%,环比增长15.3%-20.3%;实现归属于上市公司股东的净利润533.95亿元至548.95亿元,同比扭亏为盈,环比增长1.0%-3.9%。
据韩媒援引业内人士消息,英伟达正与三星电子和台积电合作设计其专有HBM芯片NVHBM的核心组件——基底裸片。业内人士估计,台积电3纳米工艺的良率超过90%,而三星晶圆代工的2纳米SF2工艺良率约为60%。对于英伟达而言,将基底裸片生产集中在台积电是更稳定的选择。不过报道称,这也不意味着台积电已经锁定英伟达HBM的基底裸片生产。虽然三星电子应英伟达的要求使用了台积电的基底裸片,但为了应对持续增长的需求,三星电子也在准备在其自有晶圆厂生产该组件。一位业内人士表示,台积电的3纳米生产线也生产高性能计算和智能手机芯片,分配的产能可能会达到上限。因此,三星晶圆代工正在其2纳米工艺上验证英伟达HBM基底裸片的生产,该工艺与台积电的3纳米工艺相当。
据媒体报道,台积电在第三季度财报电话上表示,其美国亚利桑那州第二座晶圆厂已完成厂房兴建,目前正进行设备搬入与安装,预计2027年第三季量产,时程较原先规划略为提前。台积电最初计划该厂于2028年投产,今年1月已将这一目标提前至2027年下半年,近日则进一步将量产时间提前至第三季度。至于美国亚利桑那州第二座晶圆厂量产时程提前后,第三座厂是否也将加速投产,公司并未明确回应,仅强调台积电正全面加快扩产脚步,以满足客户需求。此外,魏哲家证实,已派团队赴德州评估设厂,但目前德州建厂规模、制程节点、合作模式及投产时程均未定案。