2月12日，联想集团公布截至2025年12月31日的2025/26财年第三季度业绩，营收与利润双双创下历史新高。第三季度营收达222亿美元，同比增长18%；前九个月总营收614.86亿美元，同比增长18%。人工智能相关收入同比激增72%，占总营收比重升至32% 。
尽管财报亮眼，联想集团董事长兼CEO杨元庆在业绩沟通会上发出预警：存储价格上涨远未结束。他透露，上季度存储成本环比已上涨40%至50%，2026年第一季度涨幅可能进一步扩大至翻倍水平，且今年全年零部件价格或都将处于上升趋势 。
美国商务部2月12日宣布，与全球半导体设备巨头应用材料公司就一起出口管制案件达成2.52亿美元和解协议。应材被指控在未取得许可证的情况下，将约1.26亿美元的离子注入机先运往韩国子公司AMK组装，再转运至中国客户，涉嫌违反美国对华出口管制。
应用材料表示对和解结果感到满意。美国司法部及证券交易委员会已告知公司终止相关调查，不再采取进一步处置。此案折射出美对华高科技出口管制持续收紧背景下，跨国企业面临的复杂合规挑战。
小米YU7今年1月销量达37869辆，首度登顶国内乘用车零售销量榜首。当月小米汽车交付超3.9万辆，稳居新势力前列。2月10日，最后一台初代SU7量产下线，从2024年4月开启交付至2026年2月，累计交付突破38.1万辆，不到22个月创下造车新势力首款车型交付纪录。目前小米汽车累计交付量已接近60万辆。
华虹半导体（01347.HK；688347.SH）今日公布2025年第四季度及全年业绩。第四季度销售收入达6.599亿美元，同比增长22.4%，环比增长3.9%，再创历史新高；毛利率13.0%，同比提升1.6个百分点；全年销售收入24.021亿美元，同比增长19.9%；毛利率11.8%，同比提升1.6个百分点；公司全年平均产能利用率达106.1%，居晶圆代工行业领先水平。公司预计2026年第一季度销售收入约6.5亿至6.6亿美元，毛利率约13%至15%。无锡12英寸新产线（FAB9）一阶段建设超预期，上海12英寸制造基地（FAB5）收购有序推进。
受AI投资需求增加推动，韩国KOSPI指数周四创历史新高，收盘涨3.13%至5522.27点，首次突破5500点关口。晶片股领涨，三星电子飙升6.44%（已出货HBM4晶片），SK海力士涨3.26%。同日全球存储板块同步走强，A股佰维存储、兆易创新分别涨7.53%、6.55%；美股闪迪、美光科技分别大涨10.65%、9.94%。业内消息称，市场预期晶片需求明年将全年强劲，持续支撑板块走强。
2月12日，三星电子宣布，其HBM4已抢先开始量产，并向客户交付商用产品。三星的HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度，比业界标准的8Gbps提升约46%，树立了HBM4性能的新标杆。三星预计其HBM产品销量在2026年将比2025年增长三倍以上，并正积极扩大HBM4的产能。在HBM4成功推向市场后，HBM4E的样品预计将于2026年下半年开始发放，而定制的HBM样品将根据客户的具体规格于2027年开始交付。
铠侠发布截至2025年12月31日的FY25Q3（2025年10-12月）财务业绩，营收5436亿日元(约合35.47亿美元)，环比增长21.3%，主要得益于平均销售价格（ASP）和bit出货量的提高；Non-GAAP下，营业利润为1447亿日元(约合9.44亿美元)，环比增长65.9%；Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为895亿日元（约合5.84亿美元），环比增长114.6%。
当地时间2月11日，美光CFO Mark Murphy在Wolfe Research组织的半导体会议上表示，公司已实现HBM4量产，并开始向客户交付。针对近期有关美光HBM4无缘英伟达供应的猜测，美光科技否认三星电子和SK海力士将瓜分HBM4供应量的预期。Mark Murphy进一步表示，美光今年一季度HBM4的出货量正在稳步增长，比去年12月财报发布时提到的时间提前了一个季度。2026年的HBM产量已全部售罄，HBM4的生产良率正按计划进行，其速度超过每秒11Gb。
当地时间2月11日，美股三大股指最终均小幅收跌。截至收盘，道琼斯指数跌0.13%，报50,121.40点；纳斯达克指数跌0.16%，报23,066.47点；标普500指数微跌0.34点，报6,941.47点。其中，大型科技股涨跌不一，英伟达涨0.8%，高通、苹果涨0.7%，亚马逊跌1%，微软、谷歌A、谷歌C跌超2%%；存储概念股强势反弹，闪迪涨超10%，美光涨超9%，希捷涨超2%，
2月11日，全球存储板块普遍回调，A股、港股、韩股小幅收跌，美股存储股跌幅显著，整体呈现前期涨幅后的技术性整理态势。 A股市场，澜起科技收169.90元，跌4.28%；兆易创新收284.59元，跌1.83%；江波龙收284.14元，跌1.47%；佰维存储收159.00元，跌1.25%。港股方面，澜起科技收174.50港元，跌1.52%。 韩股市场，三星电子跌0.8%，SK海力士跌1.2%。美股市场（2月10日收盘），西部数据跌8.65%，希捷科技跌6.77%，闪迪跌7.16%，美光科技跌2.67%。
中芯国际联席CEO赵海军在2025Q4财报电话会议上表示，消费电子领域的存储器供应预计在2026年第三季度逐步转好，届时消费级存储器价格临近高点、渠道库存开始释放，消费电子及中低端手机市场有望迎来行情反转；而AI数据中心存储器的缺货局面仍将持续数年，瓶颈主要在后端环节，包括HBM制造、封装及成品测试能力，产能提升需前后端协同且周期较长，在AI产业推动下业者希望1至2年内建成未来10年所需基础设施，庞大需求难以快速消化。
2026年2月11日，韩国产业通商资源部在AI半导体核心企业成长战略座谈会上宣布，计划投资4.5万亿韩元（约合216亿元人民币）建设一座12英寸40nm工艺晶圆厂，旨在解决本土无晶圆厂（Fabless）企业代工产能短缺问题，支持其研发与商业化。同时，政府将联合三星晶圆代工提供IP共享、MPW服务，并设立2万亿韩元（约合96亿元人民币）专项账户、未来五年投入1万亿韩元（约合48亿元人民币）推动AI半导体开发，以及在首都圈外培养专业人才，全方位强化半导体产业竞争力。
2月11日，晶晨股份发布2025年度业绩快报，2025年全年营业收入约67.93亿元，同比增加14.63%；归属于母公司所有者的净利润约8.71亿元，同比增加6%；全年营收和归母净利润均创历史新高。预计2026年第一季度公司营收将实现 10%~20%的同比增长，2026 年全年公司营收将实现 25%~45%的同比增长，具体业绩存在一定不确定性。
据韩媒报道，SK海力士正在开发名为“AIP（All-In-Plug）”的创新技术，以缓解因堆叠层数增加而带来的成本增长。据悉，为实现高堆叠NAND而增加的HARC蚀刻工艺数量是导致制造成本上升的最大因素。传统制造方法需要分别对多个NAND层进行蚀刻，通过键合工艺连接起来，而AIP可在单次工艺中对超过300层的高密度NAND闪存一次性进行HARC蚀刻，将显著降低制造成本。如果这项技术应用于实际量产，预计从下一代NAND闪存（例如V11）开始，HARC工艺的数量和成本将显著降低。
据三星电子首席技术官宋载赫透露，三星目前正在开发 zHBM，其核心是将 HBM 堆叠成 3D 结构，有望在物理人工智能时代所需的带宽或能源效率方面带来另一项重大创新。
受半导体强劲需求的推动，韩国2月份前10天的出口额比上年同期增长44.4%，达213.9亿美元。其中，半导体出口额同比增长137.6%，达到67.3亿美元，占出口总额的31.5%，比去年同期增长 12.3 个百分点。
华邦电子公布2025全年营运表现，2025年合并营收为894.06亿元（新台币，下同），同比增长9.55%，主要受惠于需求端结构调整带动内存产品价格上升影响，营业毛利率为35%，归属母公司税后净利为39.62亿元。
据业界消息，字节跳动正在研发人工智能芯片，并与三星电子洽谈代工事宜，旨在确保获得先进处理器供应，计划3月底前收到芯片样品。字节跳动计划今年生产至少10万片用于AI推理任务的芯片并逐步提产至35万片，谈判还涉及获取供不应求的存储芯片供应。字节跳动发言人在一份声明中表示芯片项目相关信息不准确但未进一步说明，三星则拒绝置评。
近日，英特尔首次公开其与软银子公司Saimemory共同研发的“Z-Angle Memory”（ZAM）内存原型，采用错位互连拓扑结构（staggered interconnect topology），在芯片堆叠内部实现对角线走线。英特尔称，这种架构设计能从物理层面有效解决现有内存解决方案面临的散热瓶颈，并大幅优化计算性能。据悉，其功耗相比现有方案降低40% 至 50%，单芯片存储容量最高可达 512GB。
据业界消息，芝奇（G.Skill）已就一起集体诉讼达成和解，同意支付240万美元以解决对其“内存速度虚假宣传”的指控。该诉讼的核心争议在于，消费者指称芝奇在其DDR4与DDR5台式机内存的宣传中存在误导，用户购买时普遍认为内存产品插入电脑后无需额外调整即可达到标称的高速运行效果，但实际使用中却并非如此。
CFM发布最新服务器DDR5内存条价格，相较上季度涨幅超过100%
