消息称铠侠2026年开始生产332层NAND Flash

存储器 2025-12-11 15:19

据日媒报道称,为抢攻AI数据中心需求,铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层,每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%,能耗也会降低。报道称,铠侠不会盖新厂,而是活用今年9月投产的北上工厂第2厂房(K2)生产第10代NAND Flash。

简讯快报

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