A某涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺。

据多位关系人士透露，西部数据自去年起就已获得美国许可、可出口存储产品给华为。而铠侠虽和西部数据为合作关系，双方在存储产品上使用相同的关键零件、且在设备投资上进行合作，但铠侠并未获得出口许可。

该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。

十铨会专注观察终端消费市场需求是否于第3季落底，并弹性调整发展策略以因应各种变化。

HBM是一种通过堆叠DRAM显著提高数据处理速度的存储器。由于内存堆叠水平高，它被认为是下一代封装技术，被归类为以人工智能（AI）、5G、云和数据中心应用为代表的高性能计算（HPC）的必需品。

在高盛近期举办的全球半导体年会上，美光管理层披露中国最近的制裁对其总收入产生高个位数的影响，高于之前预计。

凭借 HYPERRAM 3.0，英飞凌扩展了其 HYPERRAM 系列的吞吐量，通过 x16 HYPERBUS 接口实现了 800 MBps（每秒兆字节）。HYPERRAM 3.0 设备符合汽车标准，是补充 TEKTON3 处理需求的理想扩展内存解决方案。

旺宏稍早法说会提出本季展望仍保守看待，5月营收表现确实反应客户仍持续调整库存。但公司强调预期车用、医疗及工控三大领域布局效益显现，毛利率可优于第1季，力拼转盈。

韩国存储模组印刷电路板（PCB）厂商TLB宣布完成服务器用DDR5存储模组PCB量产准备，如2023年下半市场景气复苏，TLB可望因为客户的DDR5 DRAM出货量增加，拉抬DDR5存储模组PCB营收。

今年上半年，各产品线的单价基本上已经处于周期性的底部，其中NOR Flash的价格承压相对更大。下半年，预计市场能有一定的回暖。

关系人士称，铠侠、西部数据考虑出资设立一家新公司，整合半导体生产和营运。预估将由铠侠掌握主导权，并持续针对出资比重等细节进行协商。

据日媒报道，西部数据和铠侠就合并事宜已进入最终协调阶段。

新产品方面，宇瞻则主打DDR5以及SSD PCIe Gen5产品，会先应用在电竞市场，今年电竞市场预估出货量则以持平看待。

消息称，西部数据正加速裁员，裁员地区涉及中国大陆、日本、以色列等。这是西部数据在过去六个月里第二轮裁员。其中，以色列第二轮裁员比例为7%，而中国大陆裁员比例远超7%。

韩媒引述业界人士说法，考量市况盛衰变化，预测第六代10nm级1c或1γ DRAM，将成为市况反弹时，决定存储原厂能否掌握市场主导权的关键。