编辑：AVA 发布：2023-06-12 11:00
据外媒报道，TEL宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。
该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。
图1显示了蚀刻后存储通道孔图案的横截面 SEM 图像，以及孔底部的 FIB 切割图像。图 2 是 TEL 的 3D NAND 闪存的示例。
据悉，东京电子团队将在6月11日至 6 月 16 日在京都举行的2023年 VLSI 技术和电路研讨会上提交一份关于其研究成果的报告。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 58300 | KRW | +0.69% |
| SK海力士 | 177100 | KRW | +0.06% |
| 美光科技 | 104.480 | USD | +1.79% |
| 英特尔 | 24.870 | USD | +1.51% |
| 西部数据 | 69.425 | USD | +4.51% |
| 南亚科 | 35.80 | TWD | -1.38% |
| 华邦电子 | 17.45 | TWD | -0.85% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 454.0 | TWD | -1.41% |
| 慧荣科技 | 55.810 | USD | +1.60% |
| 美满科技 | 92.240 | USD | -0.29% |
| 点序 | 55.6 | TWD | +2.02% |
| 国科微 | 64.11 | CNY | -0.97% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 84.00 | CNY | +0.30% |
| 希捷科技 | 101.360 | USD | +1.75% |
| 宜鼎国际 | 230.5 | TWD | -1.71% |
| 创见资讯 | 93.3 | TWD | -0.32% |
| 威刚科技 | 90.2 | TWD | -0.22% |
| 世迈科技 | 18.080 | USD | +2.44% |
| 朗科科技 | 21.11 | CNY | -3.91% |
| 佰维存储 | 56.76 | CNY | -1.99% |
| 德明利 | 74.92 | CNY | 0.00% |
| 大为股份 | 11.45 | CNY | -0.17% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 36.70 | TWD | -0.81% |
| 力成 | 126.5 | TWD | 0.00% |
| 长电科技 | 37.57 | CNY | -0.40% |
| 日月光 | 155.0 | TWD | -0.64% |
| 通富微电 | 28.99 | CNY | -1.46% |
| 华天科技 | 11.61 | CNY | -0.43% |
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