编辑：AVA 发布：2023-06-12 11:00
据外媒报道，TEL宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。
该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。
图1显示了蚀刻后存储通道孔图案的横截面 SEM 图像，以及孔底部的 FIB 切割图像。图 2 是 TEL 的 3D NAND 闪存的示例。
据悉，东京电子团队将在6月11日至 6 月 16 日在京都举行的2023年 VLSI 技术和电路研讨会上提交一份关于其研究成果的报告。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 53700 | KRW | 0.00% |
| SK海力士 | 221000 | KRW | +0.68% |
| 铠侠 | 1815 | JPY | 0.00% |
| 美光科技 | 103.190 | USD | -1.57% |
| 西部数据 | 67.410 | USD | -1.85% |
| 南亚科 | 30.10 | TWD | +0.33% |
| 华邦电子 | 14.35 | TWD | +1.41% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 473.0 | TWD | +0.32% |
| 慧荣科技 | 52.810 | USD | -2.13% |
| 联芸科技 | 43.37 | CNY | +1.55% |
| 点序 | 48.60 | TWD | +6.93% |
| 国科微 | 65.75 | CNY | +4.02% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 85.33 | CNY | +3.98% |
| 希捷科技 | 108.190 | USD | -0.21% |
| 宜鼎国际 | 204.5 | TWD | -2.85% |
| 创见资讯 | 87.3 | TWD | +1.28% |
| 威刚科技 | 77.0 | TWD | +0.26% |
| 世迈科技 | 20.620 | USD | -1.43% |
| 朗科科技 | 18.22 | CNY | +2.71% |
| 佰维存储 | 63.08 | CNY | +3.55% |
| 德明利 | 102.19 | CNY | +10.00% |
| 大为股份 | 14.52 | CNY | +0.83% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 33.50 | TWD | +0.90% |
| 力成 | 117.0 | TWD | +0.43% |
| 长电科技 | 40.63 | CNY | +3.12% |
| 日月光 | 177.0 | TWD | +2.91% |
| 通富微电 | 28.87 | CNY | +2.41% |
| 华天科技 | 11.58 | CNY | +2.30% |
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