编辑：AVA 发布：2023-06-12 11:00
据外媒报道，TEL宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。
该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。
图1显示了蚀刻后存储通道孔图案的横截面 SEM 图像，以及孔底部的 FIB 切割图像。图 2 是 TEL 的 3D NAND 闪存的示例。
据悉，东京电子团队将在6月11日至 6 月 16 日在京都举行的2023年 VLSI 技术和电路研讨会上提交一份关于其研究成果的报告。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 74300 | KRW | +0.41% |
| SK海力士 | 173700 | KRW | +2.36% |
| 美光科技 | 96.240 | USD | +0.70% |
| 英特尔 | 22.040 | USD | +9.49% |
| 西部数据 | 65.590 | USD | +4.06% |
| 南亚科 | 52.7 | TWD | -1.31% |
| 华邦电子 | 24.05 | TWD | +2.12% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 532 | TWD | -1.48% |
| 慧荣科技 | 63.570 | USD | +1.00% |
| 美满科技 | 76.240 | USD | +9.16% |
| 点序 | 62.5 | TWD | +1.13% |
| 国科微 | 46.71 | CNY | +2.73% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 73.40 | CNY | +3.79% |
| 希捷科技 | 99.550 | USD | +2.06% |
| 宜鼎国际 | 293.5 | TWD | +0.86% |
| 创见资讯 | 103.5 | TWD | 0% |
| 威刚科技 | 94.6 | TWD | +0.11% |
| 世迈科技 | 20.720 | USD | +1.12% |
| 朗科科技 | 17.26 | CNY | +4.92% |
| 佰维存储 | 45.20 | CNY | +4.17% |
| 德明利 | 75.35 | CNY | +4.38% |
| 大为股份 | 9.35 | CNY | +3.66% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 41.95 | TWD | +1.08% |
| 力成 | 145.5 | TWD | +0.34% |
| 长电科技 | 32.65 | CNY | +5.60% |
| 日月光 | 153.5 | TWD | +0.99% |
| 通富微电 | 19.90 | CNY | +3.06% |
| 华天科技 | 7.97 | CNY | +2.44% |
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