据韩媒引述业界人士消息称，三星电子正在针对NAND最大生产基地平泽和西安厂区进行产线稼动率调节，与此前仅在非主力生产线减少产量不同，三星电子高层认为与DRAM相比，NAND库存仍处于较高水位，对最大生产基地减少晶圆投入量可望有效降低NAND库存。

目前在DRAM领域应用晶圆到晶圆 (W2W) 技术的研究非常活跃，因为 W2W 混合接合解决方案的应用可以提高高带宽内存等产品的生产率。

相较于PCIe 4.0产品，该系列的吞吐量提升了一倍，顺序读写速度可高达14000/8000 MB/s，而4K稳态随机读写速度则可达2800/600K。

报道称，生产HBM需要采用双TC键合机，通过热压缩法连接多个DRAM。韩美半导体自2016年起就开始研发和生产该设备，今年已转型以此为主营业务。

官方宣称此移动SSD“可承受-40°C至85°C的极端驾驶室温度、车辆撞击和振动”，可以应用于从 Tesla Arcade 游戏到行车记录仪视频的车辆数据存储。

铠侠表示，目前北上工厂K2厂尚未决定完工与稼动的时间，之后将根据市况决定启用新厂的时间。

继7月26日迈凌收购慧荣科技股权案刚刚获得中国监管机构限制性条件批准后，迈凌晚间突发新闻稿称其已经终止了该交易。

7月26日，据中国市场监管总局公告，有关迈凌收购慧荣科技股权案获得中国监管机构限制性条件批准。

旺宏指出，今年会是产业谷底，但会延续多长仍无法预测，预期库存去化要到2024年才可望告段落。

德明利表示，由于内存产品结构与闪存存在较大差别，短期内公司仍会聚焦闪存领域，PCIe固态硬盘和嵌入式存储产品业务仍有较大增长空间。

Solidigm推出目前容量最大的固态硬盘D5-P5336，最高容量为61.44TB。

SK海力士目前HBM的销量占比还不足1%，但今年销售额占比有望成长到10%，同时SK海力士也预计在明年将应用于AI服务器的HBM和DDR5的销量翻一番。

PC32CF-R CFexpress Type B卡采用高耐久性NAND Flash，PCIe Gen3x2接口，连续读取速度可达1,700 MB/s，连续写入速度可达1,600 MB/s，持续写入速度可维持在1,500 MB/s。

此外，ASML表示，其最先进产品EUV事业将经历「需求时序上的一些调整」，主要与晶圆厂整备的时间有关，「 一些因素当然与总体经济情势有关，人们对于这波景气下滑时期的长久度有些担心」。

台湾地区存储产业链厂商6月财务业绩均已发布，多家厂商6月营收环比回升或跌幅收窄，并看好下半年营收将好于上半年。