存储市况不佳，铠侠北上K2工厂延期至2024年完工

据日媒报道，铠侠北上工厂兴建的第二座NAND厂房（K2厂），目前预定完工日期是2024年。

据CFM闪存市场此前报道，铠侠北上K2工厂位于第1厂房(K1)的东侧，厂房面积为3.1万平方公尺，于2022年4月动工，原计划是2023年完工并稼动，投产后，整体北上工厂产能将扩增至现有产能的近2倍。现在则曝出将完工与稼动时间延后，以因应存储市况不佳的现况。

铠侠表示，目前北上工厂K2厂尚未决定完工与稼动的时间，之后将根据市况决定启用新厂的时间。

铠侠2022年宣布兴建K2工厂的初衷，是由于来自智能手机、数据中心的需求非常大，NAND Flash总需求(以储存容量换算)预估将以每年30%左右的速度呈现增长，公司将扩增产能以应对需求。但随着市况反转，同年10月，铠侠宣布四日市和北上NAND工厂减产30%。

报道称，日本经产省大臣西村康稔7月29日曾前往铠侠的岩手县北上工厂视察。铠侠从2021年度（2021/4~2022/3）起，已获得日本政府交付的100亿日圆（0.72亿美元）补贴，用于岩手县北上工厂增设设备。

为应对需求疲软窘境，三星于今年一季度宣布加入减产阵列，对于下半年生产计划，三星表示，将继续维持下调的产能，另外，为了进一步加速库存正常化，三星目前正选择性的对某些DRAM和NAND产品进行额外的生产调整，尤其计划对NAND侧进行较大的调整。

SK海力士则表示，Q2库存出现环比下降，但由于NAND库存去化速度与DRAM相较缓慢，SK海力士决定进一步扩大NAND减产规模。

美光在6月底的财报中表示，将DRAM和NAND晶圆开工率进一步减少至接近30%，预计减产将持续到2024年。