SK海力士加速HBM"联合设计"战略，抢占AI芯片供应链先机

AMD预计从2024年到2026年中，其机架级AI能效提高4倍，高于该阶段预计的3倍目标，且为同一时期历史趋势线的两倍多。AMD致力于通过计算架构、工艺技术、内存带宽、数据传输、互连、软件和系统级协同设计等方面的进步，提升整个AI技术栈的效率。其目标是在不增加同等能耗的情况下，大幅提升计算性能。到2030年，AMD目标实现AI训练和推理机架级效率提高20倍。

据韩媒Newspim报道，SK海力士正在美国硅谷组建精英级HBM设计团队，加强与全球大型科技公司的"联合设计"合作体系。此举标志着HBM行业正从传统的"成品供应"模式，转向从客户下一代AI芯片开发阶段就深度参与的协同研发模式。

据外媒援引知情人士消息，H200已获准进入中国大陆市场。近几周，字节和腾讯都收到了约1万个H200处理器，而其他一些中国科技公司可能很快也会获得类似规模的进口核准。

AI云公司Nebius当地时间8月19日宣布，将拟发行可转债规模由45亿美元扩大至50亿美元，募集资金将用于公司发展，包括建设数据中心和开发AI云服务。

据台媒报道，台积电已完成其1.6纳米“A16”工艺的开发和验证，并将于今年第四季度开始量产。A16采用超级电源轨（SPR）技术，将电源供应系统从晶圆正面迁移至芯片背面，通过专用的垂直背接触（VB），直接为每个晶体管的源极和漏极供电。与N2P相比，A16在相同功耗下可提升8%–10%的计算速度，芯片集成密度也提高了8%至10%。在相同速度下，其功耗可降低15%–20%。因此，A16被认为是一种适用于AI)加速器和高性能计算 (HPC) 等需要复杂信号布线和高功率的半导体的工艺。

日经225指数收涨1.36%，报66216.79点。韩国综指收涨5.89%，报6852.58点。存储股方面，铠侠涨超6%，SK海力士涨近13%，三星电子涨超9%。

据韩媒报道，三星电子计划8月底前召开董事会，敲定一项总额超100兆韩元(约717亿美元)的股东回报计划，拟将50%自由现金流回馈股东，形式以特别现金分红为主，公布后还将视现金流状况追加。

据韩媒报道，在年底泰勒晶圆厂二厂破土动工之前，三星电子正积极推进其合作伙伴设备引进的认证工作。 近期，该公司已要求多家半导体设备供应商在将设备引入该晶圆厂之前，必须先获得SEMI认证。SEMI认证是评估半导体设备安全性的标准，设备出口海外前须获得该认证。

据韩联社报道，SK海力士管理层和劳工就2026年工资和集体谈判事宜达成了初步协议。SK海力士已初步同意超额利润分配金（PS）的60%以股票形式发放、剩余40%以现金形式发放；工资涨幅确定为6.3%。其中，40%的股票可在当年出售，另外20%实行递延解锁。据悉，工会计划尽快举行投票，以最终敲定该协议。

三星晶圆代工日前在SAFE Forum 2026论坛上对其技术蓝图进行更新，调整1.4纳米量产时间至2029年量产，相关目标将较台积电晚于约一年（台积电A14计划于2028年如期进入量产）。三星晶圆代工此前曾在2022年曾发布新闻稿预告，2纳米2025年量产以及1.4纳米2027年量产。

据韩媒报道，忠清南道于19日宣布，已完成城市规划委员会对三星电子在牙山温阳园区扩建半导体制造厂的必要审议。该扩建项目投资额达6万亿韩元，是在温阳园区内占地389,825 平方米的地块上建造一座新工厂，以扩大高性能AI半导体（如HBM）的生产。据悉，该投资是“韩国大跃进三大项目”中的首个项目。三星电子计划下个月开始建设新工厂，竣工日期尚未公布。 

据韩媒报道，三星电子将扩建并新建位于京畿道平泽半导体基地核心的“P5 1 和 2 工厂”，将现有的“双层晶圆厂”结构升级为“三层晶圆厂”。此举旨在顺应全球人工智能半导体和存储器“超级周期”的趋势，最大限度地提高产能。该产业园区规划修正案需经京畿道知事审核，并由国土交通部产业选址政策审议委员会批准后方可最终生效。

据外媒报道，Marvell向美国证券交易委员会提交的文件披露，该公司已扩大与谷歌的定制半导体合作。双方于7月29日签署了一项商业协议，涵盖人工智能推理加速器、存储控制器、网络接口控制器、内存接口控制器以及与谷歌TPU生态系统相关的近内存计算产品。作为合作的一部分，Marvell向谷歌授予认股权证，允许其以每股206.58美元的价格购买至多约5897万股Marvell普通股，总行权价值约为122亿美元。

当地时间8月19日，美股三大股指集体收涨。截至收盘，道琼斯工业平均指数涨幅0.22%，报53463.05点；纳斯达克指数涨幅0.16%，报26331.09点；标普500指数涨幅0.21%，报7707.98点。其中，大型科技股多数收涨，亚马逊、苹果涨超2%，高通涨超1%，微软涨0.56%，谷歌A、谷歌C分别涨0.15%、0.12%，AMD跌超3%，英伟达跌0.99%；存储板块多数收跌，希捷跌超7%，西部数据跌超6%，闪迪跌超3%，美光跌0.39%，SK海力士涨0.35%。

IDC最新数据显示，2026 年第二季度全球平板电脑出货量降至 3361 万台，环比下降 5.2%，同比下降 12.3%。随着 AI 基础设施建设持续从消费电子领域挤占 DRAM 和 NAND 产能，重塑 PC 和智能手机市场的内存超级周期如今已经全面冲击平板市场。其中，消费市场出货量同比下降 13.5%，商用市场更具韧性，同比下降 5.9%。

国产半导体设备制造商华海清科宣布，其新一代双工作台高效划切装备 Versatile-DT300D 首台装备正式出机，发往国内先进存储龙头企业。此次出机不仅标志着华海清科在划切装备领域实现新的突破，更证明了国产装备在先进封装与先进存储产线的可靠性与竞争力。

据外媒援引知情人士消息称，AI 芯片需求持续挤占先进制程产能，三星电子提高了部分先进制程晶圆代工新订单价格，最高涨幅达到 15%。其中，中国客户的需求尤其旺盛。消息称三星目前无法满足全部订单，因为公司既要为美国客户保留产能，也需要预留一部分产能生产自有芯片。

近段时间来，LP4X/5X资源涨价仍在持续，在考虑良率的情况下，单资源成本已高达$1.90/Gb以上，尽管当前多数LPDDR成品售价与资源成本倒挂，但低端LP产品持续以低价吸引终端客户，甚至出现部分客户倒卖库存加剧市场混乱，存储厂商短期内无法将资源价格上涨传导至成品，本周LPR4X/5X以及嵌入式eMMC、UFS价格不变。

经过近两个月的拉涨后，行业DDR5次级颗粒单价已高达超1.50美元/Gb，国内外原厂颗粒价差已缩小至不到10%。此前存储厂商已率先针对海外市场调高成品报价并推动价格落地；而大陆市场受国产颗粒持续涨价，存储厂商近期也正相应地拉动成品报价上涨，个别大陆客户在特定高端项目上开始接受新定价。本周行业16Gb DDR5内存条价格小幅调涨，其余价格暂时不变。

内存条(行业市场)：DDR5 SODIMM 16GB 5600 涨 1.29% 至 $235.00。

正值开学季前，渠道市场并未出现明显拉货动作，包括整机在内的渠道客户需求整体表现均普遍平淡。不过，近期渠道DDR5资源价格有所上涨且供应较为有限，渠道厂商跟随成本上扬而调涨相关DDR5内存条价格。本周渠道DDR5内存条全面上涨，渠道DDR4内存条和SSD价格持平。

内存条(渠道市场)：DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 10.06% 至 $175.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 11.11% 至 $180.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 7.28% 至 $280.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 7.41% 至 $290.00。