消息称三星1d DRAM热测试良率达标,量产时间表曝光

存储器 网络 M 2026-08-18 15:08

1d DRAM良率提升速度超预期,拟于9月完成开发

据韩媒报道,尽管1d DRAM的商业化仍需时日,但三星电子已将其良率提升至令人满意的水平,足以应对高温环境下的热测试。据评估,1D DRAM的良率提升速度超出预期。虽然具体数据尚未公布,但热测试良率已达到目标水平,目前的工作重点是确保低温环境下的冷测试良率。

时间进度方面,三星电子将1d DRAM的开发完成目标定于今年9月,并计划在12月将研发成果移交至量产线,明年底有望实现首批量产。

不过,知情人士透露,考虑到盈利能力,按目前开发模式难以实现大规模生产,三星也正在通过简化大规模生产线上的制造步骤来改进工艺,虽然开发速度放慢但产品完整性将得到显著提高,产品性能和成本竞争力将进一步提升。

HBM5E先行搭载1d DRAM,先进工艺布局提速

由于商用化时间点本身较晚,预计对产品发布路线图的影响不会太大。三星电子已正式宣布将1d DRAM应用于HBM5E,预计在2030年左右发布。三星电子在HBM5中采用2nm制程工艺后,又将1d DRAM投入HBM5E,这将进一步提升其先进制程的利用率。针对具体研发进度,三星目前表示难以确认。

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