消息称三星拟将通用内存后道工序转移越南,韩国国内产能全面向HBM倾斜

存储器 网络 Andy 2026-08-12 16:58

据韩媒报道,随着人工智能基础设施投资的扩大带动高带宽内存(HBM)需求快速增长,三星电子正计划将其于韩国忠清南道天安、温阳工厂处理的部分通用内存后道工序产能转移至越南。此举旨在将韩国国内后道工序的生产能力重新聚焦于HBM等高附加值产品。

越南新厂聚焦传统内存后道工序

据悉,三星电子正以2027年11月投产为目标,在越南太原省安丰工业园区建设一座半导体后道工序工厂。为获取当地环保许可,三星提交的项目提案显示,第一阶段投资规模约为15亿美元。目前,负责当地业务的法人实体“Samsung Vietnam Semiconductor (SVS)”已于今年第一季度成立,并被列为三星电子的新合并子公司。公开信息显示,SVS于今年3月13日设立,主要业务涵盖半导体材料及设备的封装与测试。

新工厂预计将主要负责传统(Legacy)DRAM和NAND闪存等产品的后道工序。据外媒报道称,该工厂的DRAM和NAND闪存年最大处理能力将分别达到1533亿Gb和2556亿Gb,且运营重心将放在传统存储产品上。

国内产能向HBM倾斜,设备或将分批转移

业内分析认为,三星电子可能会将韩国天安、温阳工厂现有的部分通用内存封装和测试设备逐步转移至越南,但具体的转移时间尚未确定。考虑到工厂建设完成后还需进行无尘室建设和设备搬入,预计设备转移工作将在明年下半年开始。

在设备转移优先级上,通用内存设备预计将率先被转移。腾出的国内生产空间,极有可能被用于扩大HBM等高附加值内存的后道工序产能。业界普遍预测,三星电子将采取“韩国主攻HBM,越南处理通用内存”的分工模式。

国内投资加码HBM,通用内存产能并未全面退出

这一产能重组计划与三星电子近期的国内投资方向高度一致。三星电子上月宣布,将投入56万亿韩元,将天安和温阳打造为下一代HBM的生产基地。目前,三星正积极扩大HBM4的产能,预计今年的HBM销售额将较去年增长三倍以上。

不过,这并不意味着国内后道工序将全面转向HBM。业内预计,明年三星在DRAM和NAND领域的投资仍将保持较大规模。对于DDR5、eSSD等高附加值产品,其后道工序仍将在国内持续进行。有业内人士指出,在将现有设备转移至越南工厂后,三星很可能会利用腾出的场地引入更多与DRAM和NAND相关的设备。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

标签:

简讯快报

更多