三星电子在 2026 年 Q2 财报电话会议表示,AI 算力浪潮带动服务器存储需求快速攀升,预计明年存储供需缺口持续扩大;持续推进产品结构升级,HBM4、服务器 SSD 等高附加值产品占比快速提升;同时通过长期供货协议锁定大部分产能,并加速美国泰勒工厂扩建与先进制程布局,持续巩固 AI 存储市场领先地位。
AI拉动存储需求走高,明年存储供需失衡加剧
三星电子在二季度财报电话会议中表示,虽然当前手机与PC领域受存储涨价影响需求走弱,但服务器DRAM、SSD、HBM的新增需求增速远超于此。超大规模数据中心为巩固AI领先地位加码基建投入,持续提出额外的供货需求,下半年存储需求仍然强劲。
随着智能体AI普及,通用服务器与AI服务器的相关需求增长趋势加速。尽管三星正在努力扩大生产,但需求增长速度更快,预计明年供需缺口将进一步扩大。
Q3 bit出货预期增长,优化产品组合把握行情
2026年第二季度,三星电子DRAM bit出货量环比增长超预期,上涨10%-13%,NAND bit出货量环比增长1%-3%,符合预期;DRAM平均售价环比增长44%-46%,NAND平均售价环比上涨67%-69%。受益于AI算力需求,三星DRAM和NAND bit出货量均创历史新高,服务器产品占比达最高水平。
为应对这一挑战,三星电子计划根据客户需求和库存水平优化产品组合。预计第三季度DRAM bit出货量将环比增长4%-6%,NAND bit出货量将增长7%-9%。三星电子表示,将依托行业领先的技术实力与多元化产品线,积极响应用户需求,保持AI存储市场的领先地位。预计在明年供应持续紧张的市场环境下,三星将致力于实现HBM与通用DRAM的均衡运营,争取两者市场份额达到相近水平。
HBM4下半年销量占比超六成,今年SSD销量占NAND超60%
三星电子表示,HBM4的客户评估工作已顺利完成,随着客户下半年扩大产品生产规模,市场需求正在快速增长。目前,公司正按计划逐步提升产能,以扩大HBM4的供应。三星电子于电话会议中透露,预计HBM4今年三季度销量环比增长逾两倍,下半年销量有望占公司总HBM销量的60%以上。对于明年的HBM业务,三星电子表示已敲定2027年HBM供货协议,且凭借业内率先出样HBM4E的技术能力,对按计划与主要客户实现商业化充满信心。
AI服务器、通用计算服务器以及键值和缓存专用存储服务器等对服务器SSD的需求激增,NAND业务在第二季度显著推动三星存储业务的整体业绩增长。三星电子表示,NAND业务正在重组为以服务器SSD为中心的高附加值行业,预计今年服务器SSD销量将同比增长超20%,占NAND总销量的比重将达到60%以上。三星还透露,为满足高性能TLC存储需求研发的PCIe 6.0固态硬盘,在性能方面收获了各大客户的正面评价,公司期望率先抢占下一代人工智能平台PCIe 6.0固态硬盘的初期市场。
LTA锁定七成产能,泰勒二期工厂目标2030年实现量产
为应对AI存储持续供不应求的局面,三星已启动新的合约体系,计划将60%-70%的总产能以LTA形式运营。据介绍,三星正根据“5年滚动”方式签署长期供应协议,基本合同期为五年,并通过年度谈判将合同延长一年。目前已与全球五大数据中心客户完成签约,另有五家大型AI相关客户处于谈判最后阶段,预计寻求长期合约的客户数将持续增加。为增强合同履行的约束力,新合同包含预付款条款(相当于多年期保证金),约占总预付款四分之一的金额已到账,后续规模随新签约进一步扩大。定价方面则改变以往模式,根据不同客户与产品类别差异化定价,并在通用存储合同中设置价格上限,以降低市场价格剧烈波动带来的投资风险。
此外,为及时响应不断增长的客户需求,三星电子正准备于今年年底前开始泰勒二期工厂的建设,目标是在2030年实现量产。现有的泰勒生产设施正按计划推进今年的投产准备工作,随后逐步增加其2纳米制程的产能。三星电子此前宣布已获得各大CSP以及AI、HPC客户的2纳米制程订单,预计今年的2纳米制程订单数量将较去年增长一倍以上。