SK海力士2026财年Q2业绩大幅创新高,在其财报电话会议上,SK海力士表示,AI效率提升将扩大行业需求,AI基建投资长期稳健;短期DRAM ASP受产品结构拖累偏弱,下半年随HBM4放量有望改善。目前HBM新品迭代顺利,公司通过长期订单稳定市场,产能投资保持稳健高效。
AI投资并未放缓,效率提升反而扩大需求
对于市场当下两大核心担忧:AI大模型效率提升降低算力消耗、云厂商转向数据中心租赁,或将拖累CSP存储采购意愿,SK海力士在二季度财报电话会中表示,各大云厂商核心竞争力与其搜索、广告、云服务深度绑定,算力布局属于长期战略投入,即便个别项目受电力、机房建设进度影响存在时间差,明年之后整体AI基础投资建设仍将保持稳健。至于效率提升带来的担忧,公司反而视其为积极因素,同一套基础设施可支撑更多用户与服务,AI的可及性与采用范围将因此扩大,带动HBM、Agentic AI的服务器DRAM以及高性能、大容量NAND存储需求继续增长。
DRAM短期ASP存在结构扰动,下半年有望改善
二季度DRAM平均售价环比上涨约30%,低于部分市场预期。对此,SK海力士在财报电话会中解释称,部分高附加值产品的出货被推迟至下半年,产品结构变化对混合ASP产生了影响。
为匹配客户需求和中长期发展战略,部分高附加值HBM产品延后至下半年交付,短期拉低DRAM整体ASP表现,该影响将在下半年有所缓解。随着HBM4出货全面爬坡、以及1c nm 传统DRAM出货增加,预计下半年bit增长将高于上半年水平,出货规模叠加产品结构优化将共同推动下半年DRAM ASP与业绩走高。
HBM4已量产,HBM4E已送样,HBM5前瞻布局
HBM4方面,SK海力士已于二季度面向核心客户开始量产出货,并计划下半年全面爬坡。目前HBM4的良率与品质已接近处于成熟阶段的HBM3水平,工作重点是稳步扩充产能。
HBM4E方面,目前已完成客户送样,采用成熟且量产稳定性经过验证的优化工艺,开发按路线图顺利推进,目标2027年批量生产。
HBM5方面,公司正在研发用于HBM5等未来产品散热的技术,适配高密度AI集群高负载运行需求。
关于2027年HBM价格谈判,SK海力士表示与核心客户的讨论推进顺利。HBM价格并非仅由传统DRAM价格决定,相关定价将综合考虑传统DRAM价格与市场供需、HBM生产相关的资源与机会成本、技术复杂度,以及产品为客户创造的价值等系列因素,不单纯跟随普通存储价格波动。
五年期LTA锁定稳定性,以灵活定价机制应对价格波动
目前,SK海力士已与包括核心客户在内的约10家客户完成LTA谈判,并正与其他主要行业参与者继续商谈。
SK海力士透露,其LTA并非简单定量采购合同,而是绑定客户技术路线的长期战略伙伴合作,主流合作周期约五年,条款会根据客户类型和产品特性进行差异设计。定价机制并非采用统一结构,公司正与客户探讨更有利于对冲短期市场波动和双方经营稳定性的定价方式。同时,设置长期采购承诺、保证金等履约保障条款,既帮助客户锁定稳定供货,也为公司优化投资与生产规划提供依据。
暂无新增投资规划,产能布局兼顾效率与弹性
SK海力士核心投资扩产策略是“适时投资”与“高效执行”,中长期将最大化利用现有生产基地,并在必要处新建基础设施的最优组合,确保追加的制造产能。生产基地选择上,公司将不以海内外作区分,而是根据综合电力、水资源、人力、供应链、产业生态和客户可达性等因素作出最优决策。
截至目前,除已公布的投资之外,SK海力士目前尚未就新建生产基础设施的投资做出任何具体决定。公司将继续把利川与龙仁作为下一代DRAM与AI存储的核心生产枢纽,同时强化清州在NAND与先进封装两方面的制造能力。后续公司将继续在恰当时点确保生产基地以响应客户需求,并通过利用现有资产、同时评估新增投资来提升投资效率。