三星深度绑定英伟达,全面加码NAND闪存供应

存储器 网络 M 2026-07-21 16:12

据韩媒报道,继DRAM、高带宽内存(HBM)和晶圆代工(半导体代工制造)领域合作之后,三星电子正扩大与英伟达的合作范围,新增NAND闪存供应领域。据悉,三星正凭借其强大的产能优势,扩大对英伟达旗舰级第九代V-NAND(V9)闪存的供货,同时已启动V10 NAND闪存的量产和供应。此外,三星还在加快推进第十一代(V11)闪存产品的研发工作。

AI存储需求爆发,英伟达CMX成核心增长引擎

英伟达下半年即将推出的全新存储设备上下文记忆存储平台(CMX),推动三星迅速调整产能结构、加码高端NAND闪存供应。当前AI产业高速发展,AI推理过程中产生的键值(KV)缓存数据量呈指数级暴涨,传统GPU服务器已难以承载海量的上下文数据存储压力,搭载大容量SSD的独立存储设备成为AI数据中心的刚需配置。

英伟达CMX平台搭载576个固态硬盘,总存储容量高达9600TB,直接催生海量的NAND闪存需求。业界预计,CMX的NAND闪存需求量将从今年的3500万TB,飙升至明年1亿TB以上。三星有望成为英伟达CMX平台的关键供应商。

产能全面就位,三星主力V-NAND批量供货英伟达

业内人士透露,三星电子已搭建起每月超10万片晶圆的V-NAND稳定产能,目前正全力量产V10 NAND闪存产品,以供应给英伟达。为适配AI存储的全新需求格局,三星已完成内部产能结构的核心调整,将约60%的V-NAND产能分配给V9 NAND闪存产品,V9成为现阶段供货主力。而在一年前,V8 NAND闪存还占据总产量的很大部分,如今其产能占比已压缩至40%以下。产能重心的快速转移,精准匹配了英伟达等全球头部科技企业的AI服务器闪存刚需。

据悉,三星V9闪存良率已稳定提升至80%以上,进入量产稳定阶段,为双方中长期稳定的供货合作奠定了基础。此外,三星平泽4号工厂的NAND专用洁净室仍有超半数可用空间,计划根据未来需求增长扩大V9的生产线。

三代产品迭代提速,技术堆叠构筑竞争壁垒

在保障现有产品供货的同时,三星正全速推进V-NAND产品技术迭代,形成“量产V9、扩产V10、试产V11”的三级产品布局。

今年上半年,三星正式启动第十代V10闪存量产,目前其产量占整体V-NAND产能的5%以内,处于稳步上量阶段。相较于286层堆叠的V9闪存,V10实现了技术跨越式升级,堆叠高度达到400层,存储密度提升50%以上。V10 NAND支持更高的存储层数,以确保英伟达能够在同一CMX模块内组装更大容量的SSD。

三星已于今年年初启动第十一代V11闪存试产,V11定位超高堆叠高端闪存,堆叠层级瞄准500层级,最低规格不低于400层。公司通过增加试产量以确保足够的良率数据,快速搭建成熟的量产体系,预计下半年相关产量将翻倍。

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