Samsung
在公布第三季度盈利指引后，三星电子DS部门负责人全永铉就公司业绩不佳发表道歉声明，“很抱歉没有达到市场预期，引起了人们对我们基本技术竞争力和公司未来的担忧。领导业务的管理层负有全部责任，我们将带头克服这场危机，让第三季度的疲软收益成为三星的转折点。”
性能方面，990 EVO Plus系列连续读取速度高达7250 兆字节/秒 (MB/s)，写入速度高达 6300MB/s，比上一代 990 EVO 提升高达 50%。
三星计划推出128GB-2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。
从PM9E1开始，三星计划将其先进的SSD产品扩展到全球PC制造商，未来将推出基于PCIe 5.0 的消费产品。
三星电子计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品开始，逐步扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
三星计划在2024年推出采用1c nm制程技术的DDR内存，该技术能够提供具有32Gb颗粒容量的产品。随后在2026年，三星将推出其最后一代10nm级工艺的1d nm DDR内存，同样提供最大32Gb的颗粒容量。
三星电子能够提供从内存、代工制程到封装的一条龙服务，并与广泛的生态系统合作伙伴一起，满足客户的不同需求。
三星将在今年第四季度量产下一代LPDDR5车规芯片，传输速率可达每秒9.6Gbps。
此外，三星计划开发6层24GB和8层32GB的模组，为未来设备打造超薄的LPDDR DRAM封装。
三星电子推出其首款1TB高容量 microSD 卡： PRO Plus和EVO Select。采用第八代三星 V-NAND (V8) ，可存储超过400,000 张 4K UHD（2.3MB）图像或超过 45 款主机游戏（20GB）。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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