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三星电子近日推出 990 EVO Plus系列SSD，进一步丰富了其SSD 产品阵容。990 EVO Plus系列为M.2 2280规格，采用PCIe 4.0 x4/PCIe 5.0 x2接口，支持NVMe 2.0协议，搭载三星5nm自研控制器和第8代V-NAND TLC闪存，并针对游戏、商务和创意工作进行了优化。

性能方面，990 EVO Plus系列连续读取速度高达7250 兆字节/秒 (MB/s)，写入速度高达 6300MB/s，比上一代 990 EVO 提升高达 50%。性能提升得益于三星最新的第 8 代 V-NAND 技术和 5nm控制器，而创新的镀镍隔热罩可最大限度地减少过热，使电源效率比上一代高出 73%。

其中，4TB型号随机读取速度可达1,050K IOPS，随机写入速度1,400K IOPS。尽管不使用 DRAM缓存，但这一出色性能几乎可与采用 DRAM 的 SSD 产品相媲美，使其成为需要高性能的游戏和 AI 任务的最佳解决方案。

此外，990 EVO Plus系列还配备了三星智能 TurboWrite 2.0，经过改进可最大限度地提高性能，提供快速的文件传输速度并减少延迟。