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三星电子计划将平泽四厂（P4）转换为DRAM专用生产线，以应对通用DRAM的潜在供应短缺问题。
据韩媒报道，三星电子已经开始为预计年底完工的平泽P4工厂订购NAND闪存生产设备。
三星10.7Gbps LPDDR5X的功耗较前代降低25%左右，性能较前代提升约25%。这可以延长移动设备的电池续航时间并增强设备端AI性能，从而提高AI功能的速度（如语音文本生成），而无需服务器或云访问。
三星电子面临获得大型代工（Foundry）客户困难，决定调整投资速度，优先推进收益性较高的内存生产线建设。原计划的平泽园区四厂（P4）代工线开工被推迟，转而加快建设内存生产线。
三星电子正在开发定制高带宽内存（HBM），预计在HBM4量产时实现商业化。公司内存事业部在三星晶圆论坛2024上透露，公司正与主要客户进行定制合作，预计HBM4时代将实现定制HBM的现实应用。
全球存储芯片巨头三星电子因员工工资待遇问题遭遇55年来最大规模罢工，可能对全球存储芯片供应和价格产生影响。尽管分析师认为罢工对产量影响有限，但存储芯片涨价趋势或将持续。
三星电子公布2024 年第二季度的盈利预测：预计合并销售额约74万亿韩元（约合536.7亿美元），环比增长2.89%，同比增长23.3%；综合营业利润约10.4万亿韩元（约合75.4亿美元），环比增长57.3%，同比大涨14.5倍。
作为该基础设施的首个成果，三星本月成功验证了其CMM-D产品，这也是三星在业界首例。三星还可以在早期开发阶段优化产品，从而为客户提供定制化解决方案。
三星电子内存半导体部门负责人在近期的全员会议上预告了下半年的组织重组计划，旨在加强协同效应和精简化，提高公司的竞争力和市场响应速度。
三星目前正在对 16Gb Mono MRDIMM 设备进行采样，该设备具有增强的性能、容量和功耗。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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