采用3D TLC,U.2 规格形态,PCIe Gen3×4 ,提供1TB、2TB容量选择,支持掉电保护。
时创意企业级SSD P31E采用3D TLC,U.2 规格形态,PCIe Gen3×4 ,提供1TB、2TB容量选择,支持掉电保护。
应用领域为企业计算;军事和航天。
2025-06-27 固态硬盘
2025-05-14 固态硬盘
2025-05-13 固态硬盘
2025-04-18 固态硬盘
2025-03-13 嵌入式
威刚推出URBAN TAPSAFE移动固态硬盘(pSSD),为URBAN都市生活系列首款产品。该pSSD采用20Gbps的USB3.2Gen2×2接口,可选1000GB与2000GB两种容量,顺序读写速率均至高可达1900MB/s,享受5年有限保固。
三星电子宣布推出新款T7 和T9 microSD存储卡,对其可移动存储产品线进行了重大更新,采用了更清晰的命名策略并提升了性能等级。三星T7 microSD存储卡定位于日常高可靠性扩展存储,提供128GB、256GB、512GB和1TB四种容量选项,最高170MB/s顺序读取速度。T9 microSD存储卡专为高性能应用而设计,提供128GB、256GB和512GB三种容量选项,具备最高200MB/s的读取速度。新品将于2026年4月30日面向消费者发售。
据韩媒报道,三星电子的1c DRAM良率已超过80%,达到所谓的"成熟良率”。然而,三星HBM4 DRAM的良率目前仍低于60%,当前的计划是在今年下半年将HBM4 DRAM的良率提升至接近完工的水平,旨在提高对包括英伟达在内的主要人工智能客户的需求响应速度。
据媒体报道,三星电子目前2nm工艺制程的良率仍低于60%的量产门槛,约为55%。若进一步纳入后端加工环节,考虑性能分级及后端封测流程带来的良率损失,以最终成品计算,三星2nm的实际良率将降至约40%。值得注意的是,2025年下半年,其2nm良率仅为20%。不到一年时间提升至接近55%,进步幅度显著。但只有当良率稳定突破60%甚至更高,才能吸引关键客户下达大规模订单。
4月13日,南亚科技召开2026第一季度法说会。总经理李培英博士指出,公司第一季DRAM平均售价(ASP)季增超过70%,年增超过2倍。对于近期DRAM现货市场价格出现松动的情况,此次价格回档仅为短期修正,并非产业基本面反转,待库存与价格回归合理区间后,市场将重新聚焦AI驱动的长期需求。李培瑛认为,DRAM Q2的价格将优于Q1,涨幅确定为双位数区间,尽管未来涨幅可能有所收敛,但整体涨势稳健。从供需格局来看,当前DRAM市场供需吃紧的态势预计将延续至2027年。
4月13日,南亚科技公布第一季度财报。2026年第一季度,公司营收490.87亿元新台币(折合人民币约105.44亿元),环比增长63.1%,同比增长582.9%,毛利率67.9%,环比增长18.9个百分点,较去年同期转正;营业利润率61.3%,环比增长22.2个百分点,较去年同期转正;营业净利润301.11亿元(折合人民币约64.68亿元),环比增长155.6%,较去年同期实现扭亏为盈。
4月13日,慧荣科技在台北南港举行了台北企业总部新建工程的动土典礼。新大楼预计于2030年启用,届时有望与新竹竹北总部形成“台北竹北双城运营架构”。慧荣科技董事长周邦基在致辞中表示,未来将通过串联台北与竹北两大据点,提升公司整体运营与研发效率。
德明利(TWSC)于4月9日正式推出首款自研企业级固态硬盘(eSSD)主控芯片 H3361,标志着公司在存储上游核心部件领域实现关键突破。 该主控核心亮点为PCIe NVMe 与 SATA AHCI 双模支持,可复用同一 PHY 接口,通过相同 PCB 设计经板级跳线与固件配合完成模式切换,兼顾兼容性与灵活性。性能上,PCIe 模式下支持 Gen3×2 带宽,符合 NVMe 1.3 协议;同时兼容 SATA 3.0 标准,适配企业级存储多样化场景需求。
据韩媒报道,为构建HBF试制品生产线,闪迪已开始与相关材零件合作伙伴打造生态系统。闪迪计划于今年下半年向市场推出试制品,试点生产线的候选地点很可能设在日本。明年实现商用化是其主要目标。
群联电子执行长潘健成预计,今年营收及获利都将达新纪录。此外,他指出,近期已有PC大厂追加大量SSD订单,美国客户也临时扩单,显示企业端需求动能稳健。至于消费市场,预期将于今年下半年逐步回温,随着手机与PC容量升级需求带动,价格不易大幅回落。