据韩媒报道,三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆,这标志着在克服存储器制造工艺的微缩限制方面取得了里程碑式的进展。
业内人士透露,三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中,确认了一颗可用的晶圆,体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管(VCT)结构的首次应用。水平堆叠VCT结构是3D DRAM的基础,这意味着三星已经有效地为未来的发展奠定了基础。
不同于三星,美光科技和中国DRAM制造商则选择直接过渡到3D DRAM,绕过4F²和VCT技术。
据悉,三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发,明年进行质量测试,并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构,然后在10d代转向3D DRAM。

