消息称台积电3nm改良型制程进度超前

半导体 网络 AVA 2022-08-24 11:17

据台媒报道,有消息称台积电3nm改良型「N3E」制程的良率进度,似乎比原本规划还要快。

报道称,据网络上流传的台积电内部投影片显示,N3E的研发状况良好且进度超前。其中,256Mb SRAM平均良率接近80%、移动与高效能运算(HPC)逻辑测试芯片的平均良率接近80%,而良率验证的环形振荡器(R.O)则超过92%。

据悉,N3E是台积电3nm制程「N3」的改良版,台湾地区有消息称,N3预定9月量产。外泄的投影片暗示,N3E SRAM的良率显著高于N3。台积电以改良过的制程窗口(Process Window)设计N3E,晶体管密度略低,因此能获得较高的良率。N3E的其他优点则是更快的频率速度及更少的耗电量。

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