本周（509~513）价格仍然持续下滑，但下跌幅度明显减弱，平均跌幅都在1%左右，不仅MLC型产品价格呈下跌走势，SLC型产品也开始微幅下滑，下滑幅度同样较弱，市场需求也未见好转，市场成交不大。
闪存卡市场方面，本周价格整体下滑，但下滑幅度一般，256MB~1GB价格下滑幅度在3%~4%，本周2GB价格仍然维持平稳走势，价格与周一价格持平，维持在一定价位，4GB容量产品价格依然持续下滑，下滑幅度较为明显，市场需求也表现清淡，本周由于市场个别产品供货较为减少，价格开始止跌，呈平稳走势，市场整体成交量不大。
注：数据以每日开盘、收盘数据为参考对象
2011年下半年20纳米当道
在制程技术上，三星在第2季持续提升27纳米制程比重，并将于下半年持续转进20纳米制程，预计可持续降低生产成本；在新产品方面，新的内嵌式存储器产品和固态硬盘(SSD)将是重点产品。而且 本周还有报道指出，三星领先业界开始生产高效能的toggle DDR 2.0接口、多阶储存单元(MLC)闪存(NAND Flash)。采用先进的20奈米制程生产，适用于需要强大效能的智能型手机、平板计算机与固态硬盘机(SSD)等行动产品；
东芝和新帝持续转进24纳米制程，且预计下半年进一步转进19纳米制程，在技术制程转换上非常积极；海力士持续转进26纳米制程，下半年则是转进20纳米制程，目的也是强化成本结构和竞争力，同步也开发嵌入式产品及SSD新产品以提高系统产品客户的销售比重；英特尔和美光则以25纳米制程为主，下半年转进20纳米制程，下半年新加坡新厂预计也可贡献产能。
智能手机和平板电脑2大应用力撑 产能扩充 业者不缺席
在需求端方面，市场目前延续之前疲软现象，传统的快闪记忆卡和优盘需求仍是相当疲弱，由智能型手机(Smart Phone)和平板计算机(Tablet)应用带动的内嵌式存储器订单仍是相当稳定，两者发展呈现两极化现象。
上游厂商正是看到智能手机和平板电脑的需求，所以也在积极布局扩充产能。其中三星兴建Line-16生产线，亦将以投产NAND Flash为首要目标，预计2011年下半将贡献产出，未来三星在半导体产业投资将以NAND Flash为主。海力士虽没有盖新厂，但亦持续扩充既有M11厂产能，第1季M11厂每月产能已拉升至10万片，较预定目标时程提前约1季。
英特尔和美光亦在4月共同宣布启动新加坡12吋晶圆厂，原本美光已在2010年底动工，英特尔则是后来宣布加入，亦让业界不再怀疑英特尔投资NAND Flash产业的决心，预计新加坡厂会是未来英特尔和美光NAND Flash产能主要成长动力来源。
至于东芝与新帝在日本四日市的新12吋晶圆厂Fab 5，亦早在2010年中率先宣布启动，继续与三星缠斗NAND Flash龙头宝座。
虽然目前现货市场表现比较清淡，但是各厂仍然看好智能型手机和平板计算机需求后势，若这2大应用领域成长能如预期强劲，厂商并不担心供给会压过需求，因为长期来看，供给和需求都是同步往上攀升。
