本周(1206-1210)NAND Flash现货价开始呈稳定偏软走势，价格波动的产品相对减少，价格波动幅度也相对减弱。闪存卡价格走势也是如此，前期价格走势相对疲软，周四闻讯东芝跳电事件之后，激励价格呈上扬走势，上扬幅度较大。
NAND Flash本周低容量产品价格也有小幅波动，高容量16Gb~64Gb价格前期呈偏软走势，周四之后价格呈上扬走势。其中Samsung 16Gb、32Gb MLC 价格上扬幅度较大，大约在4%~5%，64Gb价格波动有限。Hynix本周价格波动较微弱，平均波动幅度在1%~2%。低容量产品价格由于近期受到供货减少的影响，价格也开始波动，呈上扬走势。
闪存卡方面，价格开始今天呈下滑走势，但闻讯东芝跳电事件，价格开始大幅反弹，1GB涨幅大约9%左右，2GB价格也大涨7.5%，周五开盘之后价格有小幅回落的现象。本周1282MB~256MB价格走势较为趋缓，价格波动不大，大约波动幅度在1%左右，主要是1GB~2GB价格波动比较明显。本周市场需求表现较为疲软，成交量一般。
Micro SD 1GB/2GB本周价格走势图
东芝(Toshiba Corp.)位于日本三重县(Mie Prefecture)四日市的NAND型闪存厂受当地火力发电厂电力供应不稳的影响，导致该厂部分设备自8日上午起即处于停摆状态。东芝(Toshiba Corp.)10日宣布，位于日本三重县(Mie Prefecture)四日市的内存厂产能利用率已于当地时间当天下午3点整回升至接近100%的正常水平。
东芝此次跳电事件在供货方面可能会导致东芝四日市NAND Flash厂未来两个月的出货量下滑20%。
对于市场需求业者相当看好，一方面智能型手机消耗大部分NAND Flash，另一方面各大品牌厂陆续推出新款平板计算机机种，在应用的大幅成长下，将使得MLC产品供不应求，至于TLC产品多应用在随身碟、记忆卡产品，杀价以及供过于求的情况将较为明显，加上并衔接2011年大陆农历春节前补货潮，NAND Flash价格有机会暂时回稳。
但从市场供需来看，目前NAND Flash的库存相当充裕，而且之前东芝为了消化自身的库存，还不断出货给下游的客户，并不担心供货出现短缺问题，再加上2011年第一季属于淡季，消耗产能有限，所以跳电事件对于供货影响非常有限。
此外，东芝跳电事件，短线将激励价格反弹，一方面订单也会出现回笼迹象，将有助于模块厂缩小12月营收下滑幅度，对于12月营收将带来正面的效应。另一方面，受到现货价上涨激励，相关NAND Flash模块厂包括威刚(3260)、劲永(6145)、创见(2451)以及控制芯片大厂群联(8299)股价也跟着反弹。
