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声音提醒
17:16

受存储市场需求回升带动,旺宏电子eMMC与SLC NAND等产品线订单增加,若eMMC与NAND持续放量,将有助于提高工厂稼动率并改善连季亏损情况;不过产品放量与客户认证需时数月,生产及出货节奏需观察??。

17:14

宜鼎国际董事长简川胜表示,存储缺货已全面进入结构性短缺,不只DRAM,SSD 与NAND 的涨价潮也才刚开始。他指出,前两季SSD 市场仍在复苏,但近期已出现与DRAM 相同的走势,AI 推论需要大量暂存,使企业级SSD 需求暴增数十倍,32TB、64TB、128TB 仍供不应求,而原厂产能短期无法倍增,导致供应快速吃紧。

16:07

长江存储旗下致态品牌发布声明称,关注到一张恶意伪造的长江存储官网公告截图在互联网传播,杜撰长江存储和零售品牌致态不实信息。声明称,“该截图为虚假信息。长江存储及旗下致态品牌从未发布过此信息,请勿信、勿传。”

15:21

三星电子宣布,已完成2026年常规高管人事调整,包括晋升161名高管,涵盖EVP、VP、研究员和专家等职位。与去年的137人晋升相比,此次晋升人数显著增加。

11:37

兆易创新在2025 年第三季度业绩说明会上表示,该司明年将实现自研 LPDDR4X 系列产品的量产,并着手规划 LPDDR5 小容量产品的研发,同时兆易创新存储业务目前并无 DDR5 产品的相关规划。

对于利基型DRAM 内存市场,兆易创新初步预计涨价趋势在 2025Q4 和 2026Q1 有望得以延续,并在 2026Q2~Q4 维持相对较高的价格水平;而 NOR Flash 闪存短期来看处于供需相对偏紧的状态,产品价格维持温和上涨;此外由于部分海外大厂经营重心转移导致的供给短缺,兆易创新的 2D SLC NAND 闪存目前也开始涨价。

2025-11-24
15:02

威刚董事长陈立白日前表示,全球DRAM、NAND 缺货持续升温,虽然公司订单能见度极佳,但实际出货受限于供应端紧缩,营收无法再创高峰,但预计明年获利可有20%以上成长。

14:17

近日,CXL联盟发布CXL 4.0 规范。该版本以PCIe 7.0为基础,数据传输速率达 128GT/s,吞吐能力相比前代翻倍。

09:55

长鑫存储近日发布最新的DDR5产品系列:最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品,覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域,满足各领域的高端市场需求。

09:54

美光首席财务官Mark Murphy近日表示,该司明年的HBM3E和HBM4供货已全部售罄,HBM4将于明年第二季度开始出货。

2025-11-21
14:15

三星电子宣布最新人事调整,Roh Tae-moon被任命为设备体验(DX)事业部负责人兼首席执行官,与副会长兼设备解决方案(DS)事业部负责人Young Hyun Jun共同担任公司首席执行官。

11:34

据台媒报道,南亚科技大举上调今年bit growth预估,由原订超四成调升至五成以上,换算增幅超过25%,意味着南亚科技接单量优于预期,受惠DRAM缺货涨价红利,伴随bit出货增幅比预期强,后续获利将高飞。南亚科技透露,因应客户强劲需求,已增加当下最缺、价格最夯的DDR4 / LPDDR4销售比重。

2025-11-19
17:20

华虹公司发布投资者关系活动记录表公告称,从事的存储业务是NOR Flash,这是整个闪存业务的一个细分市场,NOR Flash有两部分,一部分是独立式闪存产品,另一部分是MCU。在第三季度看到闪存业务都很强劲。整体NOR Flash市场有稳定的增长,但华虹第三季度增长率显然快于整体市场,这可能更多与其自身的情况有关,华虹55nm NOR FLASH在过去几个季度开始进入量产阶段,同时55nmMCU也正在进入量产。明年或后年,华虹将推出40nm产品,这将给该司带来另一个推动力。所以总的来说,确实看到闪存业务在未来几个季度,甚至未来几年将有强劲增长,这主要基于公司的新技术节点的转换。其他存储业务的动态可能有所不同。在产能扩张方面,无锡九厂持续爬坡,预计到明年三季度产能配置到位。在产品组合优化方面,技术节点进步,华虹关键技术将变得更好、更具竞争力。闪存相关技术,随着华虹的55nm产品上线,以及明年40nm产品上线,华虹在闪存业务领域将处于更强势的地位。

15:06

关于合约价走势,威刚透露,第4季DRAM合约价季涨幅有三到五成,NAND涨幅虽低于DRAM,但环比也有双位数百分比涨幅;明年第1季两大产品涨势延续的机率高。尤其DDR5供需缺口持续扩大,明年的涨幅可能优于DDR4。威刚在DDR5营收占比也会重返六至七成。对终端需求,威刚并未感受到系统厂因价格上涨而转为保守,目前客户仍呈现积极拉货状态。

15:05

据韩媒报道,三星电子计划在明年年底前将其1c DRAM的产能提升至每月20万片晶圆。具体而言,三星计划在今年年底(第四季度)达到每月6万片晶圆的产能,并在明年第二季度增加8万片晶圆,明年第四季度再增加6万片晶圆,最终达到每月20万片晶圆的总产能。

11:00

据CFM闪存市场最新报价,今日开盘,Flash Wafer价格全面上涨,最高涨幅38.46%。具体来看,

Flash Wafer:1Tb QLC 涨 25.00% 至 $12.50,1Tb TLC 涨 23.81% 至 $13.00,512Gb TLC 涨 38.46% 至 $9.00,256Gb TLC 涨 14.58% 至 $5.50。

2025-11-18
18:11

根据供应链消息,原厂释放出的NAND ASP已达$0.1/GB,现货市场价格则更高,同时近期在现货市场还出现存储厂商扫货的身影,甚至部分贸易商也不惜高价收购嵌入式eMMC,整体贸易投机氛围持续高涨。随着资源价格不断攀升,加上全年业绩已几近完成,存储厂商嵌入式eMMC、UFS产品继续上调价格。除按已签订的协议正常交付产品以外,普遍控制接单。

eMMC:eMMC 8GB 5.1 涨 19.30% 至 $6.80,eMMC 16GB 5.1 涨 18.18% 至 $7.80,eMMC 32GB 5.1 涨 14.29% 至 $8.00,eMMC 64GB 5.1 涨 18.75% 至 $9.50,eMMC 128GB 5.1 涨 14.29% 至 $16.00,eMMC 256GB 5.1 涨 14.00% 至 $28.50。

eMCP:eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 18.52% 至 $32.00,eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 18.75% 至 $38.00,eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 20.00% 至 $48.00。

LPDDR:LPDDR4X 96Gb 涨 15.91% 至 $ 51,LPDDR4X 64Gb 涨 17.65% 至 $ 40,LPDDR4X 48Gb 涨 17.86% 至 $ 33,LPDDR4X 32Gb 涨 18.00% 至 $ 23.6,LPDDR4X 16Gb 涨 18.33% 至 $ 14.2。

UFS:UFS 2.2 64GB 涨 20.45% 至 $10.60,UFS 2.2 128GB 涨 13.33% 至 $17.00,UFS 2.2 256GB 涨 15.38% 至 $30.00,UFS 2.2 512GB 涨 12.50% 至 $45.00。

uMCP:uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 18.18% 至 $39.00,uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 19.51% 至 $49.00,uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 19.57% 至 $55.00,uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 16.67% 至 $70.00。

18:07

面对上游NAND、DRAM资源持续供应吃紧,行业厂商整体策略遵循优先保障核心客户供应,原厂/渠道资源全面大涨价、供应不稳定性持续共振下,普涨行情下虽整体需求承接力不足,然而行业厂商不愿大规模出货并坚定继续拉涨存储成品价格,甚至延长产品交期。基于原厂NAND供应依旧保持收紧状态,行业厂商更加控制晶圆消耗较大的2TB等大容量SSD的生产和出货。另外,行业厂商近期为回补库存,紧急采购小批量高价DDR颗粒,预计未来该部分成本还将进一步传导至内存条成品上。

SSD(行业市场):OEM SSD 256GB SATA 涨 9.62% 至 $28.50,OEM SSD 512GB SATA 涨 11.63% 至 $48.00,OEM SSD 1TB SATA 涨 10.67% 至 $83.00,OEM SSD 256GB PCIe 3.0 涨 12.73% 至 $31.00,OEM SSD 512GB PCIe 3.0 涨 13.33% 至 $51.00,OEM SSD 1TB PCIe 3.0 涨 10.26% 至 $86.00,OEM SSD 512GB PCIe 4.0 涨 13.13% 至 $56.00,OEM SSD 1TB PCIe 4.0 涨 11.11% 至 $90.00,OEM SSD 2TB PCIe 4.0 涨 10.13% 至 $174.00。

内存条(行业市场):DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 20.00% 至 $24.00,DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 22.22% 至 $55.00,DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 25.00% 至 $100.00。

18:07

随着DDR4资源价格水涨船高,渠道厂商跟随成本上扬不断调涨DDR4内存条价格,涨价效应传导下,部分内存条的线下渠道和线上零售价格累计翻倍增长。渠道厂商接二连三的大幅上调报价,不仅打击了下游客户的采购动力,同步提价的整机实际销售也更加艰难。而渠道DDR5、SSD仍深陷上游供应困境,暂停报价和接单。

内存条(渠道市场):DDR4 UDIMM 8GB 3200 涨 20.00% 至 $24.00,DDR4 UDIMM 16GB 3200 涨 25.00% 至 $45.00,DDR4 UDIMM 32GB 3200 涨 18.75% 至 $95.00。

18:06

据CFM闪存市场最新报价,近日Flash Wafer价格暂时不变,DDR颗粒继续上调价格,

DDR:DDR4 16Gb 3200 涨 16.67% 至 $28.00,DDR4 16Gb eTT 涨 7.14% 至 $7.50,DDR4 8Gb 3200 涨 11.11% 至 $10.00,DDR4 8Gb eTT 涨 11.11% 至 $4.00,DDR4 4Gb eTT 涨 10.53% 至 $1.68,DDR5 24Gb Major 涨 13.64% 至 $25.00,DDR5 16Gb Major 涨 20.00% 至 $18.00,DDR5 16Gb eTT 涨 20.00% 至 $9.00。

15:28

普冉股份发布公告,公司与珠海诺亚长天存储技术有限公司(简称“诺亚长天”)3名股东签署了《股权转让协议》,公司拟收购诺亚长天31%股权,交易金额合计1.44亿元。交易完成后,公司对诺亚长天的持股比例将达到51%,实现对诺亚长天的控股,从而间接控股SkyHigh Memory Limited(简称“SHM”)。SHM为一家注册在中国香港的半导体企业,专注于提供高性能2DNAND及衍生存储器(SLC NAND,eMMC,MCP)产品及方案,核心竞争力为固件算法开发、存储芯片测试方案、集成封装设计、存储产品定制。

股市快讯 更新于: 11-26 03:17,数据存在延时

存储原厂
三星电子99300KRW+2.69%
SK海力士519000KRW-0.19%
铠侠9853JPY-1.76%
美光科技225.150USD+0.54%
西部数据155.420USD+2.97%
闪迪223.810USD-1.39%
南亚科技143.5TWD+0.35%
华邦电子57.5TWD+5.31%
主控厂商
群联电子1100TWD+4.27%
慧荣科技83.860USD+0.02%
联芸科技46.60CNY+1.08%
点序68.4TWD+3.79%
品牌/模组
江波龙241.49CNY+0.63%
希捷科技260.950USD+2.99%
宜鼎国际495.0TWD+6.00%
创见资讯189.0TWD+1.34%
威刚科技178.5TWD0.00%
世迈科技18.990USD+4.92%
朗科科技27.48CNY+2.35%
佰维存储104.99CNY+0.85%
德明利221.06CNY+1.35%
大为股份30.37CNY+2.32%
封测厂商
华泰电子48.30TWD+3.87%
力成152.0TWD+0.33%
长电科技35.51CNY+1.31%
日月光212.0TWD+0.71%
通富微电35.97CNY+1.87%
华天科技10.83CNY+0.74%