据外媒报道，美光位于印度古吉拉特邦Sanand兴建中的芯片厂第一期工程，已进入无尘室验证阶段，有望在今年下半年投运。美光该厂首期工程的无尘室占地50万平方英尺，将作为美光的组装、测试、标记和封装（ATMP）部门。

部分服务器OEM及Tier2互联网厂商经过数个季度的库存调整，下半年需重建库存进而推动采购动力恢复。二季末临近，近期存储原厂相继启动新季度价格谈判。部分原厂为改善NAND盈利水平，三季度eSSD普遍报涨态度相对强烈，预计eSSD合约价将上涨5%至10%。

据韩媒报道，尽管Compute Express Link (CXL)内存的量产准备工作在技术上已经完成，但由于需求不足，其商业化计划陷入停滞。三星电子和 SK 海力士一直在努力将 CXL 和内存处理 (PIM) 技术商业化。三星预计去年下半年 CXL 内存市场将出现激增，但与主要客户的质量认证程序仍未完成。与此同时，由于生态系统扩展延迟，SK 海力士自 2022 年以来开发 PIM 技术的努力尚未进入实际产品阶段。

韩美半导体宣布，为应对下一代高带宽存储器（HBM）市场，计划于2027年推出用于HBM5的TC Bonder5，2028年推出用于HBM6的无助焊剂TC键合机，2029年推出用于HBM7的混合键合机。其目标是计划使用先进的混合键合机，生产20层以上的高端HBM和专用集成电路（ASIC）。

6月27日，深圳大普微电子股份有限公司（简称“大普微”）首发上市申请获深交所受理，成为创业板首家获受理的未盈利企业。创业板支持优质未盈利企业上市，有助于进一步加大板块对优质科技企业的包容性、适应性和精准支持力度，引导更多先进生产要素向科技领域聚集。

据韩媒引述业内人士透露，三星电子内部设定的目标是在7月份出货12层HBM4样品，并力争在8月底提供16层HBM4产品的样品。样品将交付给NVIDIA、AMD等HBM潜在客户。

慧荣科技宣布，其UFS解决方案已顺利通过高通Snapdragon SA8295P智能座舱平台的相容性验证。高通Snapdragon SA8295P智能座舱平台是一款专为智能座舱打造的高效能车用平台，采用5nm制程，具备强大的AI 运算效能、先进的多屏幕图形处理能力，并支持ASIL-B 等级的功能安全。

据韩媒报道，三星电子移动体验 (MX) 部门正在测试美光的 LPDDR5X 样品，以应对明年 2 月 Galaxy S26 系列的发布。该部门正在将美光样品与半导体 (DS) 部门的产品一起评估性能和价格，预计结果将于年底公布。美光样品为今年4月提供，其电路线宽较此前供应给 S25 的 LPDDR5X 产品电路线宽略有减小。美光极有可能在今年下半年向三星电子提供更多采用新1γ（对应1c）工艺生产的LPDDR5X样品。

美光推出2600系列NVMe™ SSD，这是一款专为OEM 厂商设计的高性价比客户端存储解决方案。采用2Tb G9 QLC NAND，并采用美光创新的自适应写入技术 (AWT)，在兼具 QLC 经济性的同时，提供卓越的 PCIe Gen4 性能。美光称，与竞品高性价比 QLC 和 TLC SSD 相比，美光 2600 SSD顺序写入速度提升高达 63%，随机写入速度提升高达 49%。2600 NVMe SSD提供 22x30mm、22x42mm 和 22x80mm 三种规格，容量从 512GB 到 2TB。

北京君正在投资者互动平台表示，该司目前有25nm 4G 和8G DDR4，更新工艺的产品会从今年开始陆续推出。

美光DDR4 和 LPDDR4停产过渡正在进行中，正在分配剩余的 DDR4 供应。美光计划在未来几年内继续供应这些 1-alpha DRAM 产品，以支持其在汽车、工业、国防和网络等领域长期且需求相对较低的长期客户。美光预计DDR4 收入在 2025 财年下半年的总收入中所占比例仅为个位数（非 GAAP）。由于停产，LPDDR4产品的短缺情况也可能加剧。在DDR4和LPDDR4 供应受限以及分销渠道库存较低的市场背景下，美光正在推动价格改善。

截至FY2025Q3财季(2025年3 - 5月)末，美光库存为87亿美元，库存周转天数为139天，较上季度减少了19天。

美光截至2025年5月29日的FY2025Q3财季(2025年3月- 5月)财报显示，该季营收93亿美元，环比增长15%，同比增长37%；Non-GAAP下，营业利润24.9亿美元，营业利润率由上季度的24.9%回升至26.8%；净利润21.81亿美元，环比增长22.3%，同比增长210.7%。

该财季美光营收创历史新高，这得益于 DRAM业务营收创历史新高，其中 HBM 营收环比增长近 50%；数据中心营收同比增长逾一倍，创季度新高；面向消费者的终端市场也实现了强劲的环比增长。美光表示，2025 财年有望实现创纪录的营收。

紫光闪芯发布新一代面向企业级市场的 SATA SSD  产品系列 E1200，其控制器、NAND 颗粒、DRAM 等核心器件均采用国产化设计。通过固件算法的设计创新，E1200 产品系列实测顺序读取性能可达550MB/s，顺序写入性能 530MB/s，随机读取性能突破 95K IOPS，随机写入性能达 50K IOPS，随机读写延迟分别小于 100μs 和 20μs。提供 480GB、960GB、1.92TB、3.84TB、7.68TB 多种容量选择。

据CFM闪存市场了解，今年下半年起，部分存储原厂产能将陆续切换新制程，如SK海力士V9、铠侠/闪迪 BiCS8等，推动单die 1Tb NAND供应增长，并积极在手机、PC、服务器等应用领域加速客户认证工作。未来，随着原厂产能向大容量NAND逐渐倾斜，加上国内厂商产能快速爬坡，市场竞争将进一步加剧。

据韩媒DealSite日前报道称，在英伟达HBM内存供应商多元化、AI ASIC阵营发展迅猛的背景下，英伟达在SK 海力士 HBM 内存销售额中的占比将从去年的 90% 左右降至今年的 80%，预计明年还会进一步下降。SK海力士HBM3E、HBM4 以及英伟达明年的其他产品供货量计划于本月内签订合同。

据韩媒报道，三星电子已成功打造出一种比以往占用面积更小、发热量更低、电力和信息传输更顺畅的DRAM结构。基于这些成果，三星电子已将DRAM生产良率大幅提升至60%以上。三星电子已开始研究如何在新设计DRAM量产前进一步提高良率，同时还与客户合作开展测试，以查明产品实际商业化过程中可能出现的任何问题。

今日SK海力士股价收报每股报27.85万韩元，较前一天上涨7.13%，推升市值达到202.4万亿韩元，为韩国第二大上市公司，仅次于三星电子的355.8万亿韩元。这是SK海力士的市值首次突破200万亿韩元大关。

去年三季度以来，随着原厂LPDDR4X减产效果日益显著，无论是原厂还是现货供应端整体供应都持续减少，尤其是存储厂商因部分资源库存较为紧张，Tier1客户供应愈发趋紧，而大众市场客户备货需求更难以得到充分满足，资源导向下存储厂商维持涨价态度，本周LPDDR4X普遍呈现个位数涨幅；嵌入式Flash产品价格基本不变。

LPDDR：LPDDR4X 64Gb 涨 4.57% 至 $18.30，LPDDR4X 48Gb 涨 1.40% 至 $14.50，LPDDR4X 32Gb 涨 6.74% 至 $9.50，LPDDR4X 16Gb 涨 5.66% 至 $5.60。

受近期部分资源急涨影响，成本迅速拉升下推升相对应的产品价格水涨船高，本周DDR4 SODIMM 16GB 3200大幅调涨。SSD方面，继行业厂商上周调涨部分SSD价格之后，虽陆续有行业客户接受涨价事实，但同样的也打击了部分PC客户备货意愿；另外，行业SSD海外市场也同步上调价格，具体是否能实际落地还需待时间验证。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 14.29% 至 $40.00。