当地时间 12 月 29 日，美国国际贸易委员会（ITC）投票决定对特定 DRAM 设备及其下游产品和组件启动 337 调查（调查编码 337-TA-1472），主要涉及三星电子、三星半导体、谷歌、超微电脑。美国国际贸易委员会将于立案后 45 天内确定调查结束期。

据韩媒报道，三星电子计划到2026年底实现每月25万片HBM晶圆的产能，较目前的每月17万片产能提升47%。知情人士称，三星电子已决定在本月大幅提升其整体HBM产能，并将从新年开始全面投资。

据CFM闪存市场最新报价，

Flash Wafer：512Gb TLC 涨 9.09% 至 $12.00，其他产品价格暂时不变。

据CFM闪存市场最新报价，近日部分DDR颗粒价格上调，具体来看，

DDR：DDR4 16Gb eTT 涨 28.21% 至 $10.00，DDR4 8Gb eTT 涨 20.00% 至 $6.00，DDR4 4Gb eTT 涨 5.71% 至 $1.85，DDR5 24Gb Major 涨 15.38% 至 $30.00，DDR5 16Gb Major 涨 26.32% 至 $24.00，DDR5 16Gb eTT 涨 15.38% 至 $15.00。

近日，万润科技在万润大厦举行先进存储模组制造基地投产仪式。万润科技的先进存储模组制造项目，以资源高效利用和市场需求为导向，建设存储贴片生产线及闪存、内存模组一体化测试线，可生产各类消费级、工业级及企业级固态硬盘和内存模组产品，并广泛应用于电脑、平板、手机、智能汽车、数据中心、服务器、安防设备、工控设备、移动存储、机顶盒、网络通讯等领域。

据外媒报道，微软与索尼正重新评估下一代主机的发布计划，可能推迟原定于 2027~2028 年的上市窗口，以等待内存供应链扩充基础设施提升产能并压低成本。

据日媒报道，富士通将加入软银牵头、英特尔参与的 SAIMEMORY 新型内存研发合作项目，该项目旨在实现 HBM 内存替代品的商业化量产，目标是以与 HBM 相当或更低的价格实现 2~3 倍的容量和 50% 的功耗水平。

据韩媒报道，三星电子平泽P4工厂建设项目正在加速推进，其设备的安装和测试运行目标已比原计划提前2-3个月。该工厂将成为三星10nm第六代（1c）DRAM生产的核心，三星率先将1c DRAM用于第六代HBM（HBM4）芯片。

据韩媒thelec报道，SK海力士将从明年2月开始在M15X工厂启动用于HBM4的1b DRAM量产晶圆的投入。原计划量产晶圆投入时间为6月。初期将投入约1万张晶圆起步，年底将生产规模扩大至数万张。此举被解读为抢先应对英伟达下一代AI加速器"Rubin"对HBM4的需求。

12月25日，深圳大普微电子股份有限公司（以下简称“大普微”）IPO申请顺利通过深交所创业板上市委会议。财务数据显示，2022年至2024年，大普微分别实现营业收入5.57亿元、5.19亿元、9.62亿元。2025年，公司预计实现营业收入21.58亿元，同比增长124%，预计最早将于2026年整体实现扭亏为盈。

网络存储工业协会 SNIA 近日启动EDSFF E1.A 规格形态的制定，该规格形态是由成熟的 EDSFF E1.S 衍生而来，经过升级改造以满足车用环境对可靠性的更高要求。相对于 BGA 车用 SSD，E1.A 在性能、功耗、散热方面具有优势。

据韩媒dealsite报道，SK海力士采用改进型电路的HBM4晶圆将于本月底完成晶圆制造，并于明年1月初向英伟达交付其下一代12层HBM4内存的最终样品。

据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：512Gb TLC 涨 7.84% 至 $11.00，256Gb TLC 涨 37.93% 至 $8.00。

近期1Tb TLC/QLC Wafer ASP已超$0.11/GB，512Gb TLC Wafer ASP更是涨至近$0.16/GB，存储厂商不得不接受高价资源的情况下，相应的嵌入式eMMC、UFS产品跟随成本上涨而较大幅度调涨，集成式eMCP、uMCP跟涨；LPDDR4X产品价格暂时不变。

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 12.50% 至 $9.00，eMMC 16GB 5.1 涨 11.11% 至 $10.00，eMMC 32GB 5.1 涨 15.00% 至 $11.50，eMMC 64GB 5.1 涨 18.18% 至 $13.00，eMMC 128GB 5.1 涨 15.00% 至 $23.00，eMMC 256GB 5.1 涨 11.11% 至 $40.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 2.04% 至 $50.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 3.45% 至 $60.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 3.03% 至 $68.00；

UFS：UFS 2.2 64GB 涨 16.67% 至 $14.00，UFS 2.2 128GB 涨 14.29% 至 $24.00，UFS 2.2 256GB 涨 10.53% 至 $42.00，UFS 2.2 512GB 涨 15.38% 至 $60.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 5.17% 至 $61.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 4.55% 至 $69.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 2.67% 至 $77.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 3.26% 至 $95.00。

本周行业SSD和内存条价格基本变化不大。值得注意的是，面对原厂供应战略性集中转向至服务器市场，尽管PC厂商迅速做出反应以尽量保证供应稳定性，除了头部PC OEM具备一定的供应韧性以外，其他厂商实难争取有效的分配。面对严峻的供应困境，近期部分PC OEM对于明年Q1的需求有所放大，不过行业厂商同样也面临供应紧缺且资源价格高昂，仅在可承接范围内基于一定的涨价预期来控量接单。从目前来看，存储厂商与部分行业客户已陆续谈定新季度订单。

尽管当前渠道资源价格仍在上涨，但前期积攒了过高涨幅的存储成品已然抑制了渠道端市场需求，相应的，疲软的需求也会给成品端价格继续冲高带来压力。近期，库存水位低的渠道客户为明年一季度做备货准备而释放少量采购需求，个别渠道厂商小幅让利以促成交。整体来看，渠道SSD和内存条价格稳定、高位坚挺。

据业界消息，受存储芯片价格快速上涨影响，苹果正扩大其iPhone存储芯片的三星采购占比。这一供应格局的转变，预计将使三星在iPhone 17 DRAM供应中占据60%-70%的份额。在前几代iPhone产品中，三星与SK海力士的供应比例更为均衡，美光也作为较小的供应商参与其中。

三星电子内部公布今年下半年各业务部门的“目标达成激励奖金（TAI）”支付标准，支付日期为24日。由于HBM需求的增长以及对人工智能基础设施投资的增加，导致通用DRAM价格上涨，下半年业绩有所提升，三星DS部门存储器事业部员工将在下半年获得最高相当于基本工资100%的绩效奖金。

闪迪公司正式发布全新开源工具SPRandom，旨在解决SSD基准测试中的重大技术瓶颈。传统上，为使容量超过16TB的SSD进入稳定测试状态，通常需进行数天甚至数周的顺序与随机写入。SPRandom通过其创新的伪随机预处理方法，并与灵活1/O测试工具(fio)深度集成，将这一耗时过程大幅缩短至数小时。

据韩媒报道，在英伟达即将推出的AI加速器Vera Rubin的HBM4性能测试中，三星电子在运行速度和能效方面取得了所有内存制造商中的最佳成绩。基于此，三星电子HBM4通过英伟达认证，并于明年上半年开始供应的前景变得乐观。