三星电子公司将于本月召开重要高管会议，讨论在人工智能（AI）蓬勃发展的背景下，明年的业务战略。其中，设备解决方案（DS）部门将于12月18日召开单独会议，讨论应对高带宽存储器（HBM）需求激增的策略。

力积电指出，存储需求强劲，目前12吋月产能5万片已满载，报价也同步走扬，预期订单能见度可达明年第二季底。

据韩媒报道，三星电子DS（设备解决方案）部门拒绝了 DX （设备体验）部下属 MX（移动体验）业务提出的达成 LPDDR LTA（长期供应协议）的请求，DS部门仅愿意提供为期一个季度的供应合同。报道称，存储芯片价格上涨将使其占Galaxy S26成本比例至少增加5%。

据韩媒报道，三星电子正考虑大幅削减其10纳米制程的第四代（1a）DRAM芯片HBM3E的产能。鉴于其明年将“利润最大化”作为整体目标，三星计划将生产重心转移到利润率高于HBM3E的通用DRAM芯片上。

佰维存储在互动平台表示，2024年公司面向AI眼镜产品收入约1.06亿元，预计2025年公司面向AI眼镜产品收入有望同比增长超过500%。

据日媒报道，美光扩建日本广岛县东广岛市 DRAM 工厂的施工将于 2026 年 5 月启动，目标 2028 年实现 HBM 内存出货。美光将斥资1.5万亿日元对广岛工厂进行扩建，将扩增生产设备、建构月产4万片最先进产品的产能，且将在2028年6-8月开始出货，2030年3-5月以最大产能进行生产。

据韩媒报道，三星电子已开始加快其位于京畿道平泽市的第五座半导体工厂（P5）的建设，目前正准备就该厂的气体和化学品供应设施进行公开招标。三星电子最初计划于2023年启动P5工厂的基础建设，但由于半导体行业的低迷，于次年1月暂停了该项目。据业内人士透露，三星电子已将P5的投产日期定在2028年，但鉴于目前的筹备速度，投产日期可能会提前。

据韩媒报道，三星电子和SK海力士已成为谷歌TPU供应链中的关键参与者。韩国投资证券分析师预测，今年SK海力士将占谷歌TPU中HBM供应量的56.6%，三星电子将占43.4%。Meritz Securities则认为，SK海力士的市场份额将达到60%。

十铨科技于法说会上表示，前三季营收结构中，DRAM 约占65%、NAND Flash 约34%，其中因DDR5 ASP高，占DRAM 比重升至逾八成。十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。

据韩媒报道，三星电子将在ISSCC推出容量为36GB、带宽为 3.3TB/s 的 HBM4。相比上个月在SEDEX 2025上发布的36GB、2.4TB/s 的 HBM4 ，性能将有所提升。其堆叠结构和接口均经过重新设计，旨在提高速度和效率。

铠侠旗下SSSTC推出新一代企业级固态硬盘 (SSD)——ER4 系列 SATA SSD。该系列产品容量高达 16 TB，顺序读写速度分别为550 MB/s 和 530 MB/s，随机读写速度分别为98K/30K IOPS，其中 8 TB 型号随机读写速度可达98K/55K IOPS。ER4系列采用 2.5 英寸 SATA 6 Gb/s 标准接口，并支持热插拔，可直接替换传统硬盘驱动器 (HDD)。这使得企业能够在保持现有基础设施不变的情况下无缝升级存储，并优化成本效益。

存储模组厂十铨科技预期，2026年不会有额外晶圆产能回流PC、消费性或手机端，因主力产能已被AI相关需求完全吸收，因此存储器在PC/NB BOM(物料清单) 的成本比重将自过去约15～20%拉升至25～30%。十铨预估，中低端PC、Notebook、Chromebook 等对价格敏感的市场，明年可能有三至四成出货量受到成本大幅上扬的影响。

在HBM4阶段，台积电将提供两种不同的基础裸片制程方案：面向主流市场的N12FFC+和针对高性能需求的N5制程。在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

三星电子11月27日召开高管简报会，并宣布组织结构重组计划。在此次组织结构重组中，三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”，该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。此外，原先隶属于DS部门的HBM开发团队被撤销，其人员被调至DRAM开发室下属的设计团队。此前HBM开发团队负责人EVP Youngsoo Son被任命为该设计团队负责人。

兆易创新近日推出新一代高性能双电压xSPI NOR闪存产品——GD25NX系列。该系列闪存采用1.8V内核和1.2V VI/O设计，无需外部升压电路即可直接连接到1.2V系统级芯片（SoC），从而显著降低系统功耗和物料清单成本。

惠普首席执行官Enrique Lores在财报电话会议上表示，惠普的内存库存足以支撑其本财年上半年的运营，本财年已于本月开始。但从5月份开始，更高的内存成本将开始挤压利润空间。为了应对这一局面，惠普正准备寻找更便宜的供应商，重新设计一些内存配置较低的产品，削减内部成本，并在必要时提高价格。洛雷斯表示，此次价格上涨的影响将主要体现在低端PC产品类别中，因为这些产品对组件成本的变化更为敏感。任何价格上涨都将根据市场和产品细分市场选择性地推出。

日刊工业新闻报导，日本和美国考虑以公民合营模式在美国兴建一座NAND Flash工厂，因应AI爆增的需求，铠侠和SanDisk 预计是主要投资方。但该媒体也指出，这项计划面临多项挑战，包括资本结构和经营权可能出现歧见，以及可能的监管问题等。另有报导称，铠侠基于财务状况，对新增投资态度保守。

11月25日，德明利发布公告，拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过32亿元，分别投入到固态硬盘、内存产品扩产等多个项目。根据发行方案，德明利拟向特定对象非公开发行股票数量不超过6806.59万股，募集资金总额不超过32亿元，分别投入到固态硬盘（SSD）扩产项目、内存产品（DRAM）扩产项目、德明利智能存储管理及研发总部基地项目、补充流动资金。

据韩媒报道，三星电子SAIT（原三星先进技术研究院）27日宣布，将在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。该结构结合了铁电半导体和氧化物半导体，可将NAND Flash的功耗降低90%以上。这项技术有望提升包括人工智能（AI）数据中心和移动设备在内的各个领域的能效。

据韩媒报道，Meta和Nvidia正在探索将GPU核心集成到HBM中的可能性。具体而言，他们正在与SK海力士和三星电子探讨合作，将GPU核心嵌入到位于HBM底部的基片中。