美光宣布车用 UFS 4.1 解决方案开始送样，采用G9 NAND，提供4.2GB/s 的带宽，相较前代产品翻倍，可满足车载电子系统对存储性能日益提升的需求。

铠侠预计NAND需求将超过供应，2025财年bit出货量将实现15%的增长，而由于预见性的供应限制，2026财年bit出货量增长率约在17%-19%之间。

FY25Q2（2025年7-9月），铠侠资本支出（不包括补贴）为915亿日元，较上季度环比大幅上涨71%。在扩大生产的同时，将资本支出集中在的第8代BiCS FLASH™产品上，同时还将投资下一代BiCS FLASH™产品以实现未来增长。

铠侠发布截至2025年9月30日的FY25Q2（2025年7-9月）财务业绩，营收4483亿日元(约合29亿美元)，环比增长30.8%，主要归功于bit出货量的增加；Non-GAAP下，营业利润为872亿日元(约合5.6亿美元)，环比增长92.9%；Non-GAAP下归属于母公司所有者的利润为417亿日元（约合2.7亿美元），环比增长125.4%。

受惠存储价格9月强势拉升，威刚第3季合并营收145亿元（新台币，下同），同比增长54.38%，环比增长13.15%；毛利率22.7%，环比增长近4个百分点；营业利润19.1亿元，同比增长1.37倍，环比增长55.51%；归属母公司净利润17.6亿元，同比增长近2倍，环比增长1倍。

威刚指出，第4季度只能支持策略性与主力客户的需求，全力推升营运获利，不仅看好毛利率创新高，全年营收目标也冲刺达500亿元以上的历史新高；库存方面则积极因应，目标将库存水位拉升至200亿元以上。在提升获利率及库存水位双重策略下，第4季营运成果将呈跳跃式增长。

普冉股份日前在路演活动表示，作为一种高性能的非易失性存储解决方案，2D NAND因其高可靠性、高带宽、便携、寿命长等特点，符合工控、通信、医疗、汽车等追求产品稳定性能和长生命周期的下游应用场景，具有稳定的市场需求，相关产品在5G通讯设备、物联网、汽车电子、安防监控、医疗设备等领域有广泛应用。

得益于人工智能（AI）数据中心对SSD需求的增长，韩国存储厂商FADU第三季度营收256亿韩元，同比增长154%；营业亏损114亿韩元，较去年同期亏损305亿韩元收窄约63%。累计前三季度营收达685亿韩元，超过去年同期的435亿韩元。由于预计企业级SSD需求将出现供过于求，FADU表示已锁定更多客户，包括超大规模云服务提供商（CSP）和大型服务器公司。10月中旬至11月初，该司宣布签订了价值562亿韩元的合同。

华天科技回答投资者提问称，公司掌握DDR5 DRAM封装技术，相关封装产品已经量产。

铠侠宣布推出 SF10系列SSD，这是该司EXCERIA BASIC入门级产品线的首款产品，基于 BiCS8 QLC NAND，采用 PCIe 4.0 DRAM-less HMB 方案，符合 NVMe 2.0d 规范。提供 1TB 和 2TB 两种容量版本，顺序读取可达 7300MB/s，5 年质保内写入强度为 300 TBW / TB。

据悉，武汉新芯集成电路股份有限公司近日已完成财务资料更新，上交所据此恢复其IPO审核。武汉新芯IPO自2024年9月30日获上交所受理，10月进入首轮问询程序后，受全球半导体行业周期性波动影响，其经历两次因财务资料时效性问题导致的审核中止。

据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：1Tb QLC 涨 28.21% 至 $10.00，1Tb TLC 涨 23.53% 至 $10.50，512Gb TLC 涨 8.33% 至 $6.50。

自三季度起，原厂对于下游存储厂商NAND资源供应环比急剧收缩。当前正值新季度谈判关键期，原厂在产能分配与产品定价上仍悬而未决，存储厂商在焦灼等待原厂供应落地的同时也担忧后续供应的持续性，继续坚持调涨eMMC产品价格。经历两个多月的涨价行情，eMMC、LPDDR4X产品价格普遍涨幅超50%。机顶盒、入门级手机等应用端迫于成本压力而针对部分产品进行降配。未来，若存储成本持续高企，超出承受极限的小规模大众消费类终端或将面临市场的洗牌。

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 7.55% 至 $5.70，eMMC 16GB 5.1 涨 6.45% 至 $6.60，eMMC 32GB 5.1 涨 7.69% 至 $7.00，eMMC 64GB 5.1 涨 6.67% 至 $8.00，eMMC 128GB 5.1 涨 7.69% 至 $14.00，eMMC 256GB 5.1 涨 4.17% 至 $25.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 12.50% 至 $27.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 14.29% 至 $32.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 11.11% 至 $40.00；

UFS：UFS 2.2 64GB 涨 6.02% 至 $8.80，UFS 2.2 128GB 涨 8.70% 至 $15.00，UFS 2.2 256GB 涨 4.00% 至 $26.00，UFS 2.2 512GB 涨 2.56% 至 $40.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 10.00% 至 $33.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 10.81% 至 $41.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 9.52% 至 $46.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 9.09% 至 $60.00。

全球范围内AI数据中心建设加速和相继落地，大型云服务商明年继续推进AI基础设施投资，服务器存储需求远超原厂预期和实际产能供应的能力范围，叠加市场恐慌性备货和看涨情绪持续发酵，原厂服务器DRAM供应满足率较低，四季度DRAM价格大幅跳涨。本月服务器内存条报价如下，

内存条(服务器)：DDR4 RDIMM 16GB 3200 涨 46.67% 至 $220.00，DDR4 RDIMM 32GB 3200 涨 40.00% 至 $280.00，DDR4 RDIMM 64GB 3200 涨 50.00% 至 $480.00，DDR5 RDIMM 32GB 涨 33.33% 至 $240.00，DDR5 RDIMM 64GB 涨 53.33% 至 $460.00，DDR5 RDIMM 96GB 涨 54.17% 至 $740.00。

上个月以来行业SSD多次大幅调涨报价，部分PC客户为回补库存，逐渐接受新定价并促成小规模订单交易。不过，目前原厂NAND资源仍未松绑，行业厂商接单意愿低迷，整体行业SSD价格暂时处于高位盘整。DRAM方面，DDR4颗粒现货市场剧烈上涨，部分价格与同容量的DDR5倒挂，显然消费类客户难以接受如此高成本的DDR4产品，而当前原厂面向下游存储厂商的消费类DDR4颗粒供应长时间处于停滞状态，而现货价格太过高昂，在正常补库难以为继且现有库存仍在消耗下，这种市况反而成为持续支撑行业DDR4内存条价格坚挺上行的强大动力。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 15.38% 至 $45.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 17.65% 至 $80.00。

渠道市场目前走出的市场行情已然不同以往，上游供应端全面控货持续发酵下，贸易端低端资源价格翻倍上涨，整体来看，低价资源已基本“一货难求”。而身处在涨价行情当中的渠道厂商，基于未来市场抱有较高的期待，普遍选择“待价而沽”。

据CFM闪存市场最新报价

Flash Wafer：1Tb QLC 涨 11.43% 至 $7.80，1Tb TLC 涨 13.33% 至 $8.50，512Gb TLC 涨 15.38% 至 $6.00，256Gb TLC 涨 6.67% 至 $4.80；

DDR：DDR4 16Gb 3200 涨 20.00% 至 $24.00，DDR4 16Gb eTT 涨 7.69% 至 $7.00，DDR4 8Gb 3200 涨 12.50% 至 $9.00，DDR4 8Gb eTT 涨 5.88% 至 $3.60，DDR4 4Gb eTT 涨 12.59% 至 $1.52，DDR5 24Gb Major 涨 22.22% 至 $22.00，DDR5 16Gb Major 涨 25.00% 至 $15.00，DDR5 16Gb eTT 涨 7.14% 至 $7.50。

据外媒援引美光公司近期公布的文件称，美光位于纽约州克莱附近的晶圆厂项目将再次大幅延期，预计首座晶圆厂将于2030年左右开始DRAM生产，比最初预期晚五年。尽管美光推迟了克莱附近晶圆厂的建设，但该公司正在加快爱达荷州晶圆厂的建设，并将《芯片法案》的资金重新进行了分配。目前美光爱达荷州的两座工厂一座已建成，一座正在规划中，将先于克莱县的工厂完工，这表明美光对项目优先级进行了战略性调整。

为因应需求与提升产能，华邦电子规划资本支出与制程升级，公布高雄扩厂与16nm导入计划，预计将现有晶圆月产能由1.5万片提升至约2.4至2.5万片；此外，华邦电子2026-2027年资本支出近400亿元新台币，且16nm DRAM与CUBE专案正推进中。

据悉，SK海力士正在研发高带宽存储（HBS）技术，该技术最多可堆叠16个DRAM和NAND闪存模块，并通过垂直导线扇出（VFO）连接，从而提高数据处理速度，有望让未来的智能手机和平板电脑具备更强大的AI算力。

据韩媒报道，三星电子近期推出的移动DRAM（LPDDR6）很可能将安装在下一代旗舰智能手机Galaxy S26系列中。三星LPDDR6 内存支持高达 10.7 Gbps的数据传输速度。