十铨科技于法说会上表示，前三季营收结构中，DRAM 约占65%、NAND Flash 约34%，其中因DDR5 ASP高，占DRAM 比重升至逾八成。十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。

据韩媒报道，三星电子将在ISSCC推出容量为36GB、带宽为 3.3TB/s 的 HBM4。相比上个月在SEDEX 2025上发布的36GB、2.4TB/s 的 HBM4 ，性能将有所提升。其堆叠结构和接口均经过重新设计，旨在提高速度和效率。

铠侠旗下SSSTC推出新一代企业级固态硬盘 (SSD)——ER4 系列 SATA SSD。该系列产品容量高达 16 TB，顺序读写速度分别为550 MB/s 和 530 MB/s，随机读写速度分别为98K/30K IOPS，其中 8 TB 型号随机读写速度可达98K/55K IOPS。ER4系列采用 2.5 英寸 SATA 6 Gb/s 标准接口，并支持热插拔，可直接替换传统硬盘驱动器 (HDD)。这使得企业能够在保持现有基础设施不变的情况下无缝升级存储，并优化成本效益。

存储模组厂十铨科技预期，2026年不会有额外晶圆产能回流PC、消费性或手机端，因主力产能已被AI相关需求完全吸收，因此存储器在PC/NB BOM(物料清单) 的成本比重将自过去约15～20%拉升至25～30%。十铨预估，中低端PC、Notebook、Chromebook 等对价格敏感的市场，明年可能有三至四成出货量受到成本大幅上扬的影响。

在HBM4阶段，台积电将提供两种不同的基础裸片制程方案：面向主流市场的N12FFC+和针对高性能需求的N5制程。在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

三星电子11月27日召开高管简报会，并宣布组织结构重组计划。在此次组织结构重组中，三星电子DS部门成立了“存储器开发部门”，该部门将统一管辖原存储器事业部下属的DRAM开发室和NAND Flash开发室。此外，原先隶属于DS部门的HBM开发团队被撤销，其人员被调至DRAM开发室下属的设计团队。此前HBM开发团队负责人EVP Youngsoo Son被任命为该设计团队负责人。

兆易创新近日推出新一代高性能双电压xSPI NOR闪存产品——GD25NX系列。该系列闪存采用1.8V内核和1.2V VI/O设计，无需外部升压电路即可直接连接到1.2V系统级芯片（SoC），从而显著降低系统功耗和物料清单成本。

惠普首席执行官Enrique Lores在财报电话会议上表示，惠普的内存库存足以支撑其本财年上半年的运营，本财年已于本月开始。但从5月份开始，更高的内存成本将开始挤压利润空间。为了应对这一局面，惠普正准备寻找更便宜的供应商，重新设计一些内存配置较低的产品，削减内部成本，并在必要时提高价格。洛雷斯表示，此次价格上涨的影响将主要体现在低端PC产品类别中，因为这些产品对组件成本的变化更为敏感。任何价格上涨都将根据市场和产品细分市场选择性地推出。

日刊工业新闻报导，日本和美国考虑以公民合营模式在美国兴建一座NAND Flash工厂，因应AI爆增的需求，铠侠和SanDisk 预计是主要投资方。但该媒体也指出，这项计划面临多项挑战，包括资本结构和经营权可能出现歧见，以及可能的监管问题等。另有报导称，铠侠基于财务状况，对新增投资态度保守。

11月25日，德明利发布公告，拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过32亿元，分别投入到固态硬盘、内存产品扩产等多个项目。根据发行方案，德明利拟向特定对象非公开发行股票数量不超过6806.59万股，募集资金总额不超过32亿元，分别投入到固态硬盘（SSD）扩产项目、内存产品（DRAM）扩产项目、德明利智能存储管理及研发总部基地项目、补充流动资金。

据韩媒报道，三星电子SAIT（原三星先进技术研究院）27日宣布，将在《自然》上发表一项关于新型NAND Flash结构的研究成果。该结构结合了铁电半导体和氧化物半导体，可将NAND Flash的功耗降低90%以上。这项技术有望提升包括人工智能（AI）数据中心和移动设备在内的各个领域的能效。

据韩媒报道，Meta和Nvidia正在探索将GPU核心集成到HBM中的可能性。具体而言，他们正在与SK海力士和三星电子探讨合作，将GPU核心嵌入到位于HBM底部的基片中。

此前受海外原厂旧产线LPDDR4X EOL影响，已给消费类LPDDR4X产品带来一定的供应缺口，而本季度原厂具体供应策略至今仍未落地，令原本供应紧张的局面更加严峻。存储厂商在尽量保障体量更大的Tier1手机客户需求之余，对于其他非手机客户难以提供有力的供应支持。尽管近期有询单需求涌现，但存储厂商只能严格控制接单量，同步不断上调报价，甚至部分存储厂商多次暂停出货。本周LPDDR4X产品价格继续上涨，相应的集成式产品价格跟随调涨。

LPDDR：LPDDR4X 96Gb 涨 17.65% 至 $60.00，LPDDR4X 64Gb 涨 20.00% 至 $48.00，LPDDR4X 48Gb 涨 18.18% 至 $39.00，LPDDR4X 32Gb 涨 22.88% 至 $29.00，LPDDR4X 16Gb 涨 19.72% 至 $17.00。

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 19.38% 至 $38.20，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 19.74% 至 $45.50，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 16.67% 至 $56.00。

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 20.51% 至 $47.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 16.33% 至 $57.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 20.00% 至 $66.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 14.29% 至 $80.00。

本季度以来，行业厂商基本遵循以优先满足PC大客户采购需求为重心，并且按约定推进交货进程。与此同时，经过近两个多月的涨价行情，现货市场NAND资源价格高悬，加上多数原厂供应迟迟未定，加剧了行业厂商对上游资源支持力度和高定价的担忧，从而更加谨慎出货。而近期部分急需补库的工控客户，行业厂商推动SSD产品价格继续上涨，给予少量供应。行业内存条则暂时维持上周水平。

SSD(行业市场)：OEM SSD 256GB SATA 涨 5.26% 至 $30.00，OEM SSD 512GB SATA 涨 6.25% 至 $51.00，OEM SSD 1TB SATA 涨 14.46% 至 $95.00，OEM SSD 256GB PCIe 3.0 涨 6.45% 至 $33.00，OEM SSD 512GB PCIe 3.0 涨 5.88% 至 $54.00，OEM SSD 1TB PCIe 3.0 涨 16.28% 至 $100.00，OEM SSD 512GB PCIe 4.0 涨 3.57% 至 $58.00，OEM SSD 1TB PCIe 4.0 涨 16.67% 至 $105.00，OEM SSD 2TB PCIe 4.0 涨 17.82% 至 $205.00。

近两个月来，伴随着存储行情风向的快速转变，部分渠道厂商几度暂停出货和接单，叠加贸易行为的推波助澜，渠道市场价格波动更加剧烈。目前，一些渠道厂商已暂停对外公开报价，转为仅向部分主要客户单独报价，其中，渠道SSD面向部分消费类客户紧急订单需求给予少量供应，而内存条则优先供应整机客户。另外，现货资源价格仅一个季度已翻倍式上涨，供应端持续严格控货少出，市场已无低价渠道NAND/DRAM资源，成本压力加剧下令渠道厂商拉涨意愿更加强烈。本周渠道SSD和内存条价格全面大幅上涨。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 涨25.00% 至 $30.00，DDR4 UDIMM 16GB 3200 涨 22.22% 至 $55.00，DDR4 UDIMM 32GB 3200 涨 15.79% 至 $110.00；DDR5 UDIMM 16GB 5600 涨 47.78% 至 $60.00，DDR5 UDIMM 16GB 6000 涨 44.44% 至 $65.00，DDR5 UDIMM 32GB 5600 涨 42.68% 至 $117.00，DDR5 UDIMM 32GB 6000 涨 41.18% 至 $120.00；

SSD(渠道市场)：Channel SSD 120GB SATA 涨 32.65% 至 $13.00，Channel SSD 240GB SATA 涨 35.71% 至 $19.00，Channel SSD 480GB SATA 涨 28.57% 至 $36.00，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 涨 29.73% 至 $24.00，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 涨 29.03% 至 $40.00，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 涨 29.31% 至 $75.00，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 涨 25.00% 至 $45.00，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 涨 26.98% 至 $80.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 涨 30.43% 至 $150.00。

据CFM闪存市场最新报价，近日Flash Wafer价格暂时不变，DDR颗粒全面价格上涨。具体来看，

DDR：DDR4 16Gb 3200 涨 7.14% 至 $30.00，DDR4 16Gb eTT 涨 4.00% 至 $7.80，DDR4 8Gb 3200 涨 10.00% 至 $11.00，DDR4 8Gb eTT 涨 12.50% 至 $4.50，DDR4 4Gb eTT 涨 2.38% 至 $1.72，DDR5 24Gb Major 涨 4.00% 至 $26.00，DDR5 16Gb Major 涨 5.56% 至 $19.00，DDR5 16Gb eTT 涨 16.67% 至 $10.50。

据三星半导体官网公布的 GDDR7 显存产品规格，三星电子已出样 36Gbps 与 32Gbps 速率的 24Gb (3GB) GDDR7，相较已量产的 28Gbps GDDR7 性能进一步提升。

受存储市场需求回升带动，旺宏电子eMMC与SLC NAND等产品线订单增加，若eMMC与NAND持续放量，将有助于提高工厂稼动率并改善连季亏损情况；不过产品放量与客户认证需时数月，生产及出货节奏需观察??。

宜鼎国际董事长简川胜表示，存储缺货已全面进入结构性短缺，不只DRAM，SSD 与NAND 的涨价潮也才刚开始。他指出，前两季SSD 市场仍在复苏，但近期已出现与DRAM 相同的走势，AI 推论需要大量暂存，使企业级SSD 需求暴增数十倍，32TB、64TB、128TB 仍供不应求，而原厂产能短期无法倍增，导致供应快速吃紧。

长江存储旗下致态品牌发布声明称，关注到一张恶意伪造的长江存储官网公告截图在互联网传播，杜撰长江存储和零售品牌致态不实信息。声明称，“该截图为虚假信息。长江存储及旗下致态品牌从未发布过此信息，请勿信、勿传。”