华邦电子高雄厂区20nm新制程顺利量产，目前高雄厂总产能达14.5K/月，现在市场需求健康，且销量高于投片晶圆的数量，产能利用率达100% 。

SK海力士宣布，通过董事会决议，以约9.4万亿韩元（约合67.8亿美元）投资建设韩国龙仁半导体集群的首座厂房（Fab）和业务设施。SK海力士计划在龙仁首座工厂生产以HBM为代表的面向AI的存储器和新一代DRAM产品，也将根据竣工时的市场需求，做好生产另外产品的准备。

宇瞻第二季度营收为18.83亿元新台币，环比下降3.23%，同比增长14.40%。公司预计随着需求回升，下半年业绩有望实现同比增长。公司指出，除了AI服务器应用需求外，其他领域市场持续疲软，消费需求的回升将是业绩增长的关键，第三季度将是重要的观察指标。随着库存去化结束，预计采购力度将增强，相关效应可能持续至第四季度。DRAM下半年预计仍将供不应求，而Flash产品在8月后供需将逐渐平衡，价格涨幅将收窄。鉴于今年价格呈上升趋势，公司已将库存水位提升至约19亿元新台币，库存周转天数约为3个月，并将继续进行战略性备货。

受美股AI退潮影响，截止今日本月存储上市原厂大幅下跌。本月西部数据下跌12.25%，美光下跌18.31%。昨日SK海力士财报公布后单日下跌8.9%，创下2020年3月18日以来最大单日跌幅，三星电子昨日亦下跌。

SK海力士在公布第二季度业绩的电话会议上表示，预计今年HBM产能将比去年增长300%，明年的HBM产能将比今年增加一倍以上，其中大部分已与客户协商。

据韩媒报道，美国德州东区地方法院已对三星、Netlist专利诉讼进行审判：驳回三星在判决后的动议请求，维持2023年8月的判决，即三星侵犯Netlist的HBM、DDR5相关技术专利，应向Netlist赔偿约3.03亿美元。

STA和INCITS/SCSI标准组织正式发布了针对下一代超大规模数据中心的24G+ SAS规范。新标准在维持2.4 GB/s速度的基础上，新增五项功能，包括命令持续时间限制(CDL)、格式预设、逻辑清空、重建辅助和持久连接，旨在提升存储性能和效率。24G+ SAS的推出，将为HDD和SSD带来更高效的数据管理，并优化数据中心的性能。

SK海力士发布截至2024年6月30日的2024财年第二季度财务报告：2024财年第二季度结合并收入为16.4233万亿韩元（约合118.9亿美元），环比增长32%，同比增长125%；营业利润为5.4685万亿韩元（约合39.6亿美元），环比增长89%，同比扭亏为盈；净利润为4.12万亿韩元（约合29.8亿美元），环比增长115%，同比扭亏为盈。2024财年第二季度营业利润率为33%，净利润率为25%。

在DRAM方面，SK海力士从今年3月份开始量产及供应的HBM3E和服务器DRAM等高附加值产品的销售比重有所扩大。特别是HBM的销售额环比增长80%以上，同比增长250%以上，带动了业绩改善。

NAND闪存的销售以eSSD和移动端产品为主增长，特别是eSSD的销售额持续保持快速增长势头，环比增长约50%。从去年第四季度起，NAND闪存产品的平均售价持续上升，实现连续两个季度盈利。

据韩媒报道，SK海力士在建设中的HBM生产基地（M15X工厂）面临水资源短缺问题，该问题可能影响其生产计划。公司已开始使用公共污水处理厂的净化水以缓解水资源压力，同时提高水资源再利用率至44%，以应对水资源短缺带来的挑战。

希捷公司在2024财年全年实现营收65.51亿美元，同比下降11.3%，但毛利率提升至23.4%。在第四财季，营收达到18.87亿美元，同比上升17.8%，毛利率高达31.8%，营业利润率和净收益均实现正数，分别为+16.6%和+5.13亿美元。

希捷首席执行官戴夫·莫斯利表示，公司在云计算需求改善的环境下实现了强劲的财务业绩，并将继续专注于提高盈利能力和维持供应纪律，同时推进以HAMR技术为核心的大容量产品路线图。预计2025财年第一财季营收将达到21.0±1.5亿美元。

据外媒报道，消息人士透露，三星电子HBM3已通过英伟达质量验证，但仅用于专为中国市场制造的H20 GPU，目前尚不清楚是否会用于其他产品，以及是否需要通过额外的测试。三星最早可能在8月份开始为英伟达H20供应HBM3。三星第五代HBM3E尚未达到标准，仍在测试中。

美光推出美光 9550 NVMe SSD，号称全球最快数据中心SSD。美光9550 SSD 将自研的控制器、NAND、DRAM 和固件集成到一起，其连续读取速度为14.0 GB/s，连续写入速度为10.0 GB/s，与同类竞争SSD 相比，性能提升高达 67%。此外，其 3,300K IOPS 的随机读取速度比竞争产品高出 35%，400K IOPS 的随机写入速度比竞争产品高出 33% 。9550 SSD提供从 3.2TB 到 30.72TB 的容量范围以及 U.2、E1.S 和 E3.S 外形尺寸。

存储模组厂创见表示，因原厂将产能挪用生产HBM，DRAM颗粒供给减少，尤其在DDR5价格上将维持明确涨势， 而创见产品比重较高的DDR3、DDR4第三季上游合约价格也上涨逾一成，公司将减少备货，目前库存金额仍在新台币50亿元的高水位，可发挥低价存货成本利益，垫高获利表现。

据CFM闪存市场最新报价，本周嵌入式存储产品报价维持上周报价不动。

据CFM闪存市场最新报价，本周行业市场内存条及SSD产品报价维持上周报价不动。

据CFM闪存市场最新报价，渠道市场内存条及SSD产品报价全线下调，其中，

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 7.41% 至 $10.00，DDR4 UDIMM 16GB 3200 跌 3.88% 至 $19.80，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 2.44% 至 $40.00

SSD(渠道市场)：Channel SSD 120GB SATA 跌 3.23% 至 $6.00，Channel SSD 240GB SATA 跌 4.17% 至 $11.50，Channel SSD 480GB SATA 跌 7.66% 至 $20.50，Channel SSD 256GB PCIe 3.0 跌 3.50% 至 $13.80，Channel SSD 512GB PCIe 3.0 跌 4.80% 至 $23.80，Channel SSD 1TB PCIe 3.0 跌 2.55% 至 $45.80，Channel SSD 512GB PCIe 4.0 跌 3.17% 至 $30.50，Channel SSD 1TB PCIe 4.0 跌 2.04% 至 $48.00，Channel SSD 2TB PCIe 4.0 跌 3.16% 至 $92.00。

据CFM闪存市场最新报价，DDR：DDR4 4Gb eTT 跌 2.86% 至 $0.68，其他产品报价维持不变。

JEDEC固态技术协会宣布，DDR5 MRDIMM和LPDDR6 CAMM内存技术规范即将正式推出。DDR5 MRDIMM支持多路复用列，能在单个通道上组合和传输多个数据信号，提升带宽，目标最终带宽可达12.8Gbps。JEDEC还规划了Tall MRDIMM外形尺寸，支持更多DRAM封装，提升内存容量。LPDDR6 CAMM预计将实现14.4GT/s以上的最大速度，支持24bit位宽子通道和48bit位宽通道，并支持连接器阵列。

三星电子正在积极研发并小规模生产LLW（Low Latency Wide IO）DRAM，专为苹果即将推出的下一代XR设备量身定制。LLW DRAM作为一种高性能内存解决方案，具有高带宽、超低延迟和节能效果，有望在未来端侧AI领域广泛应用并逐步取代现有LPDDR技术。

韩国半导体公司FADU宣布，将在8月初展示其下一代SSD控制器和CXL解决方案。FADU将展示其最新的5代和6代控制器，以及针对下一代SSD所需的创新技术，如FDP（Flexible Data Placement）和ATS（Address Translation Service），并通过CXL交换机更有效地连接GPU、DRAM和SSD，提出适应AI时代的数据中心系统解决方案。