三星电子宣布，已成功开发出 SOCAM2，这是一款基于 LPDDR 的服务器内存模块，专为 AI 数据中心而设计，目前正在向客户提供样品。该客户即英伟达，该产品旨在应用于英伟达的下一代人工智能（AI）芯片Vera Rubin。

美光表示，2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。1000亿美元这一潜在市场规模里程碑预计将比早前的展望提前两年到来。值得注意的是，2028年HBM潜在市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。

美光公布截至2025年11月27日的FY2026Q1财季(2025年9-11月)业绩，该季营收136.4亿美元，环比增长21%，同比增长55%；Non-GAAP下，营业利润64.2亿美元，营业利润率由上季度的35%上升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%，同比大增169%。FY2026Q1财季(2025年9-11月)美光整体以及旗下所有业务部门均实现了创纪录的营收和显著的利润率增长，并预计FY2026Q2财季(2025年12月-2026年2月)的营收、毛利率、每股收益和自由现金流均将创下历史新高，有望在2026财年之前保持强劲的业务增长。持续强劲的行业需求和供应限制正导致市场状况紧张，美光预计将持续至2026年以后。目前，美光正致力于从现有基础上最大限度地提高生产产出，扩大先进节点的出货，并投资新增洁净室空间以增强供应能力。

据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：1Tb QLC 涨 7.58% 至 $14.20，1Tb TLC 涨 7.14% 至 $15.00，512Gb TLC 涨 7.37% 至 $10.20，256Gb TLC 涨 5.45% 至 $5.80。

SK海力士18日宣布，将基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM*高容量服务器DRAM模块应用于英特尔®至强®6平台（Intel®Xeon®6 platform），业界首次通过了英特尔®数据中心认证（Intel® Data Center Certified）。SK海力士技术团队表示：“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比，推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”

据韩媒报道，三星电子存储器事业部DRAM设计团队负责人Son Kyomin近日在演讲中透露，三星计划在年内制定“LPDDR6-PIM”标准，为产品开发奠定基础。目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

据韩媒报道，三星和三星先进技术研究院发布了其制造尺寸小于 10 纳米 (nm) 的 DRAM 的技术。三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。目前，该技术仍处于研究阶段，未来将应用于10nm以下的0a和0b DRAM。

年终将至，存储厂商在推进现有订单陆续交付的同时，已逐渐与部分大众客户进行新季度的磋商，从近期询单来看，小容量嵌入式eMMC需求相对表现更强，而大容量产品则因价格高昂，部分客户需求转向更低容量方案而使其出货压力更大。从价格上看，嵌入式行情整体平稳，本周eMMC、UFS、LPDDR4X产品价格与上周持平。

近期，行业客户释放出小批量需求，为行业DDR4内存条价格上涨提供动力。SSD方面，部分PC客户已着手明年Q1备货，尽管当前尚在询价阶段，但基于明年一季度资源维持大幅涨价的预期，行业厂商针对相应SSD成品也将紧跟资源价格而调整定价。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 16.67% 至 $35.00，DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 3.33% 至 $62.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 18.18% 至 $130.00。

尽管渠道市场更靠近零售端，过高的价格往往更加容易遭到需求端反噬，但渠道资源价格高企，甚至部分渠道产品已面临倒挂，令相关成品价格居高不下。本周渠道SSD/内存条价格暂时不变。

据CFM闪存市场最新报价，上游资源方面，今日多数Flash Wafer价格上涨，DDR颗粒价格暂时不变。具体来看，

Flash Wafer：1Tb QLC 涨 5.60% 至 $13.20，1Tb TLC 涨 7.69% 至 $14.00，512Gb TLC 涨 5.56% 至 $9.50。

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。预计将于 2025 年第四季度上市。

铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。

据韩媒报道，三星电子计划扩大针对博通公司的第五代高带宽内存（HBM）HBM3E的供应量。今年，博通已将三星电子视为战略合作伙伴，以取代SK海力士。三星电子在性能和价格谈判方面展现出了灵活性，具体而言，据报道，三星电子将其供应价格较SK海力士目前供应的HBM3E产品降低了约20%。

宜鼎国际11月营收15.96亿元（新台币，下同），同比增长逾一倍，环比增长14%，连续五个月创单月新高，今年前11月营收累计至124.48亿元，同比增长52%。宜鼎国际预计，AI 相关产品明年营收比重可望提升至约三成，成为推升营运的主要动能。

JEDEC固态技术协会近日宣布，SPHBM4内存规范已接近完成，“SP”代表“Standard Package”（标准封装）。SPHBM4采用与标准HBM4相同的DRAM核心层，在容量扩展方面保持一致。两者的区别在于接口基础裸片的设计：SPHBM4采用适用于有机基板的接口方案，可安装在标准有机基板上，而非硅基板。此外，标准HBM4具备2048个I/O数据引脚，而SPHBM4将这一数量减少至512个。

据韩媒报道称，三星电子联席CEO、DX部门负责人卢泰文将在CES 2026 正式开展的首日与美光董事长、总裁兼CEO桑杰?梅赫罗特拉举行会面，讨论三星 Galaxy S26 系列旗舰智能手机的 LPDDR5x 内存供应问题。

据日媒报道称，为抢攻AI数据中心需求，铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash，其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层，每单位面积的存储容量提升59%、数据传输速度改善33%，能耗也会降低。报道称，铠侠不会盖新厂，而是活用今年9月投产的北上工厂第2厂房(K2)生产第10代NAND Flash。

CFM闪存市场近日发布2026年存储市场展望报告。报告指出，预计2026一季度，Mobile eMMC/UFS涨幅将达25%~30%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%~35%；PC端DDR5/LPDDR5X涨幅将达30%~35%，cSSD上涨25%~30%。

据业界消息，因生产需要，武汉新芯厂房及生产线建设工程（全部自用）申请调整规划方案，拟新建1栋主生产厂房，配套7栋生产支持和辅助厂房、3栋生产辅助仓库和1栋综合楼以及连廊、管架和水池等配套建构筑物，调整后，该项目总建筑面积503922.65m，容积率1.97，建筑密度44.37%，绿地率10.37%，停车位1597个。