据Shinhan Investment Corp分析师称，在存储芯片市场面临史上最大的需求下降和库存高位下，除三星电子外，所有内存制造商预计将在2022年第四季度出现亏损。与此同时，内存芯片价格或一直下降到2023年第二季度，并在2023年下半年回调。 

业界有消息称，三星电子原本要将DDR3停产改为CIS，但手机销售不佳，迫使三星放缓DDR3停产动作，近来更将DDR4产品降价，使得两者价格接近持平，以吸引消费性客户加速转向DDR4规格。

11月22日，证监会同意深圳佰维存储科技股份有限公司（简称：佰维存储）科创板IPO注册申请。

继各大原厂宣布减产后，存储器IC设计厂晶豪科技近日表示，第3季受到投片量不足已先行提列1,000万美元损失，第4季将减少投片量，部分月份减幅将达3~4成以上，冲击毛利率持续走跌，短期内仍是价量下滑的趋势。

磁铁可在计算机中存储数据，利用磁场的方向，每个微型条形磁铁都可将一位内存存储为零或一。美国能源部阿贡国家实验室研究人员希望用微小的磁涡流取代条形磁铁。这些被称为斯格明子的涡流小到十亿分之一米，形成于某些磁性材料中。未来，它们可能会在新一代微电子技术中用于高性能计算机的内存。这项研究近日发表在《纳米快报》上。

据韩媒报道，韩国政府周一宣布，SK 海力士已与骊州市就芯片制造商在京畿道龙仁市新制造厂使用淡水的权利纠纷达成和解。

该和解协议以及签署的谅解备忘录，为 SK 海力士打开了大门，使其能够按计划在 2027 年之前在 4.15 平方公里的场地上进行芯片集群项目，该项目将耗资至少 120 万亿韩元（88.4亿美元）。

美光宣布，LPDDR5X內存在被高通骁龙8 Gen 2芯片纳入主架构设计后，目前已量产出货。美光在低功耗LPDDR5X移动内存上采用新一代制程技术，最高速率可达每秒8.5Gb。除了移动应用，基于1β节点的DRAM产品还具备低延迟、低功耗和高性能的特点。

据媒体报道，业内消息指出，三星从2022年上半年开始，已停止华城17产线NAND生产，据悉华城16产线NAND设备也大规模搬迁，未来将改生产CMOS影像感测（CIS）等元件。相关人士表示，三星NAND产能下降，主要与产线调整及3D NAND工艺难度增加有关，三星日前宣布量产第八代、堆栈200层以上3D NAND，由于新工艺难度与工序增加，预期初期良率将低于目前较稳定的工艺。

美光16日宣布1β DRAM制程在明年将导入台湾厂区生产，据悉，美光在提升自有DRAM产能时，会将部分后段封装订单委外生产。

三星电子的全球内存销售与推广主管Jinman Han在一个投资者论坛上表示，到2035年，全球DRAM市场规模可能会在当前约1,000亿美元的基础上增长两倍。三星将汽车视为未来需求增长的关键领域之一。2021-2027年全球DRAM需求年复合增长率为17%。三大主要DRAM制造商倾向于控制投资以保持行业产能稳定。

华邦电子总经理陈沛铭表示，第四季需求确实很淡，台中厂启动减产3-4 成，高雄厂后续新产能拉升时间也会递延；董事长焦佑钧则认为，随着库存去化告段落，明年中市场需求可望重现，期待下半年表现好。

据台湾媒体报道，有经销商表示，2022年四季度到2023年一季度，存储器芯片报价仍将下降，但跌幅可望缩小，对于代理商而言，库存水位最严峻的时间点应该为今年三季度，四季度的库存压力有望减小。 

消息称近期三星电子持续与系统客户沟通，代理商库存水位最严峻的时间点应为2022年第3季，第4季库存压力可望稍微放缓一些。供应链认为，存储器2023年上半仍将持续有价格压力，但估计跌幅有机会缩小。

美光科技宣布推出适用于数据中心的DDR5 内存，该内存已针对新的 AMD EPYC™ 9004 系列处理器进行了验证。

据台媒报导，美光台湾董事长卢东晖表示，美光将在台湾的DRAM工厂导入EUV光刻机，不会因美国加码而降低美光在台湾的产能。美光在美国建厂不是要拿走台湾产能，而是因为饼变大了，未来市场需求回升，台湾、日本、新加坡都可能扩产。卢东晖透露，美光美国产能会慢慢提上来，希望10年后美国产能占比提升至10%，希望未来DRAM产能走向三足鼎立的局面。据报导，目前美光在台湾和日本广岛的DRAM产能分别为65%和35%。

希捷宣布，罗伯特 (Bob) Bruggeworth 已被任命为公司董事会成员，自 2022 年 11 月 9 日起在董事会审计和财务委员会任职。

SK海力士9日宣布，已完成LPDDR5X的开发，在移动用DRAM中首次采用HKMG工艺，与上一代产品相比，成功降低了25%的功耗，该产品已开始销售。 .