近期1Tb TLC/QLC Wafer ASP已超$0.11/GB，512Gb TLC Wafer ASP更是涨至近$0.16/GB，存储厂商不得不接受高价资源的情况下，相应的嵌入式eMMC、UFS产品跟随成本上涨而较大幅度调涨，集成式eMCP、uMCP跟涨；LPDDR4X产品价格暂时不变。

eMMC：eMMC 8GB 5.1 涨 12.50% 至 $9.00，eMMC 16GB 5.1 涨 11.11% 至 $10.00，eMMC 32GB 5.1 涨 15.00% 至 $11.50，eMMC 64GB 5.1 涨 18.18% 至 $13.00，eMMC 128GB 5.1 涨 15.00% 至 $23.00，eMMC 256GB 5.1 涨 11.11% 至 $40.00；

eMCP：eMCP(eMMC + LPDDR4X)64GB+32Gb 涨 2.04% 至 $50.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+32Gb 涨 3.45% 至 $60.00，eMCP(eMMC + LPDDR4X)128GB+48Gb 涨 3.03% 至 $68.00；

UFS：UFS 2.2 64GB 涨 16.67% 至 $14.00，UFS 2.2 128GB 涨 14.29% 至 $24.00，UFS 2.2 256GB 涨 10.53% 至 $42.00，UFS 2.2 512GB 涨 15.38% 至 $60.00；

uMCP：uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)4GB+128GB 涨 5.17% 至 $61.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)6GB+128GB 涨 4.55% 至 $69.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+128GB 涨 2.67% 至 $77.00，uMCP(LPDDR4X + UFS2.2)8GB+256GB 涨 3.26% 至 $95.00。

本周行业SSD和内存条价格基本变化不大。值得注意的是，面对原厂供应战略性集中转向至服务器市场，尽管PC厂商迅速做出反应以尽量保证供应稳定性，除了头部PC OEM具备一定的供应韧性以外，其他厂商实难争取有效的分配。面对严峻的供应困境，近期部分PC OEM对于明年Q1的需求有所放大，不过行业厂商同样也面临供应紧缺且资源价格高昂，仅在可承接范围内基于一定的涨价预期来控量接单。从目前来看，存储厂商与部分行业客户已陆续谈定新季度订单。

尽管当前渠道资源价格仍在上涨，但前期积攒了过高涨幅的存储成品已然抑制了渠道端市场需求，相应的，疲软的需求也会给成品端价格继续冲高带来压力。近期，库存水位低的渠道客户为明年一季度做备货准备而释放少量采购需求，个别渠道厂商小幅让利以促成交。整体来看，渠道SSD和内存条价格稳定、高位坚挺。

据业界消息，受存储芯片价格快速上涨影响，苹果正扩大其iPhone存储芯片的三星采购占比。这一供应格局的转变，预计将使三星在iPhone 17 DRAM供应中占据60%-70%的份额。在前几代iPhone产品中，三星与SK海力士的供应比例更为均衡，美光也作为较小的供应商参与其中。

三星电子内部公布今年下半年各业务部门的“目标达成激励奖金（TAI）”支付标准，支付日期为24日。由于HBM需求的增长以及对人工智能基础设施投资的增加，导致通用DRAM价格上涨，下半年业绩有所提升，三星DS部门存储器事业部员工将在下半年获得最高相当于基本工资100%的绩效奖金。

闪迪公司正式发布全新开源工具SPRandom，旨在解决SSD基准测试中的重大技术瓶颈。传统上，为使容量超过16TB的SSD进入稳定测试状态，通常需进行数天甚至数周的顺序与随机写入。SPRandom通过其创新的伪随机预处理方法，并与灵活1/O测试工具(fio)深度集成，将这一耗时过程大幅缩短至数小时。

据韩媒报道，在英伟达即将推出的AI加速器Vera Rubin的HBM4性能测试中，三星电子在运行速度和能效方面取得了所有内存制造商中的最佳成绩。基于此，三星电子HBM4通过英伟达认证，并于明年上半年开始供应的前景变得乐观。

三星电子宣布，已成功开发出 SOCAM2，这是一款基于 LPDDR 的服务器内存模块，专为 AI 数据中心而设计，目前正在向客户提供样品。该客户即英伟达，该产品旨在应用于英伟达的下一代人工智能（AI）芯片Vera Rubin。

美光表示，2026全年包括HBM4在内的HBM供应价格和数量已达成协议，预计到2028年，HBM潜在市场规模（TAM）的复合年增长率（CAGR）约为40%，从2025年的350亿美元增长至2028年的1000亿美元。1000亿美元这一潜在市场规模里程碑预计将比早前的展望提前两年到来。值得注意的是，2028年HBM潜在市场规模将超过了2024年整个DRAM市场规模。

美光公布截至2025年11月27日的FY2026Q1财季(2025年9-11月)业绩，该季营收136.4亿美元，环比增长21%，同比增长55%；Non-GAAP下，营业利润64.2亿美元，营业利润率由上季度的35%上升至47%；净利润54.8亿美元，环比增长58%，同比大增169%。FY2026Q1财季(2025年9-11月)美光整体以及旗下所有业务部门均实现了创纪录的营收和显著的利润率增长，并预计FY2026Q2财季(2025年12月-2026年2月)的营收、毛利率、每股收益和自由现金流均将创下历史新高，有望在2026财年之前保持强劲的业务增长。持续强劲的行业需求和供应限制正导致市场状况紧张，美光预计将持续至2026年以后。目前，美光正致力于从现有基础上最大限度地提高生产产出，扩大先进节点的出货，并投资新增洁净室空间以增强供应能力。

据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：1Tb QLC 涨 7.58% 至 $14.20，1Tb TLC 涨 7.14% 至 $15.00，512Gb TLC 涨 7.37% 至 $10.20，256Gb TLC 涨 5.45% 至 $5.80。

SK海力士18日宣布，将基于第五代10纳米级（1b）32Gb单片的256GB DDR5 RDIMM*高容量服务器DRAM模块应用于英特尔®至强®6平台（Intel®Xeon®6 platform），业界首次通过了英特尔®数据中心认证（Intel® Data Center Certified）。SK海力士技术团队表示：“搭载本产品的服务器与采用32Gb 128GB产品时相比，推理性能提高了16%。通过利用32Gb DRAM单芯片设计，其功耗较1a 16Gb 256GB产品降低约18%。”

据韩媒报道，三星电子存储器事业部DRAM设计团队负责人Son Kyomin近日在演讲中透露，三星计划在年内制定“LPDDR6-PIM”标准，为产品开发奠定基础。目前，三星电子正在开发LPDDR5X-PIM，结合LPDDR5X和PIM技术，带宽高达614 GB/s，是现有LPDDR5X的八倍，并支持FP16/FP8和INT/4/8/16等多种运算。

据韩媒报道，三星和三星先进技术研究院发布了其制造尺寸小于 10 纳米 (nm) 的 DRAM 的技术。三星将其新技术命名为“用于10nm以下CoP垂直通道DRAM晶体管的高耐热非晶氧化物半导体晶体管”。采用了一种基于非晶铟镓氧化物（InGaO）的晶体管，这种晶体管可以承受高达 550 摄氏度的高温，从而防止性能下降。 这种垂直沟道晶体管的沟道长度为 100nm，可以与单片 CoP DRAM 架构集成。目前，该技术仍处于研究阶段，未来将应用于10nm以下的0a和0b DRAM。

年终将至，存储厂商在推进现有订单陆续交付的同时，已逐渐与部分大众客户进行新季度的磋商，从近期询单来看，小容量嵌入式eMMC需求相对表现更强，而大容量产品则因价格高昂，部分客户需求转向更低容量方案而使其出货压力更大。从价格上看，嵌入式行情整体平稳，本周eMMC、UFS、LPDDR4X产品价格与上周持平。

近期，行业客户释放出小批量需求，为行业DDR4内存条价格上涨提供动力。SSD方面，部分PC客户已着手明年Q1备货，尽管当前尚在询价阶段，但基于明年一季度资源维持大幅涨价的预期，行业厂商针对相应SSD成品也将紧跟资源价格而调整定价。

内存条(行业市场)：DDR4 SODIMM 4GB 3200 涨 16.67% 至 $35.00，DDR4 SODIMM 8GB 3200 涨 3.33% 至 $62.00，DDR4 SODIMM 16GB 3200 涨 18.18% 至 $130.00。

尽管渠道市场更靠近零售端，过高的价格往往更加容易遭到需求端反噬，但渠道资源价格高企，甚至部分渠道产品已面临倒挂，令相关成品价格居高不下。本周渠道SSD/内存条价格暂时不变。

据CFM闪存市场最新报价，上游资源方面，今日多数Flash Wafer价格上涨，DDR颗粒价格暂时不变。具体来看，

Flash Wafer：1Tb QLC 涨 5.60% 至 $13.20，1Tb TLC 涨 7.69% 至 $14.00，512Gb TLC 涨 5.56% 至 $9.50。

铠侠即将推出 EXCERIA G3 SSD 系列，采用BiCS FLASH™ 第八代 QLC 闪存，顺序读取速度高达 10,000 MB/s，写入速度高达 9,600 MB/s，容量最高可达 2TB。预计将于 2025 年第四季度上市。

铠侠宣布，其研发出的高度可堆叠氧化物-半导体沟道晶体管将使高密度、低功耗3D DRAM的实际应用成为可能。该技术有望降低包括人工智能服务器和物联网组件在内的众多应用领域的功耗。