美光科技宣布，已开始向生态系统合作伙伴和特定客户交付其 1γ（1-gamma）、第六代（10nm 级）DRAM 节点 DDR5 内存样品，该内存专为下一代CPU设计。美光 1γ DRAM 节点将首先应用于其 16Gb DDR5 DRAM，此后将集成至美光内存产品组合，以满足行业对高性能、节能 AI 内存解决方案日益增长的需求。16Gb DDR5产品可提供高达 9200MT/s 的速度能力，与前代产品相比，速度提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

据CFM闪存市场最新报价，Flash Wafer：1Tb TLC 跌 1.89% 至 $5.20，512Gb TLC 跌 3.39% 至 $2.85，其他产品价格不变。

SK海力士2月25日发布消息称，韩国京畿道龙仁半导体集群内的SK海力士一期晶圆厂于昨日正式破土动工。SK海力士去年7月通过董事会决议，决定投资约9.4万亿韩元（约合66亿美元）建设龙仁半导体集群一期晶圆厂及相关办公设施。SK海力士计划在龙仁集群内分阶段建设四座晶圆厂，一期工厂预计2027年5月竣工。该工厂建成后将成为高带宽存储器（HBM）等新一代DRAM存储芯片生产基地。

美光近日宣布，三星Galaxy S25系列的部分设备已搭载美光LPDDR5X内存和UFS 4.0。该系列引入多模态AI助理，开创性地为用户带来直观且能够感知语境的移动AI体验。此外，美光已首次向市场出货能效领先的LPDDR5X内存，其功耗降低幅度超过10%。

当地时间2月24日，西部数据宣布成功完成公司闪存业务的计划分离。Sandisk Corporation将作为西部数据的全资子公司提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术。

据业界消息，美光已在亚马逊推出单条 64GB 容量的Crucial DDR5 Pro内存，2x64GB 套条售价322.99 美元。虽然目前各大主板制造商均已兼容单条64GB内存，但内存生产商尚未推出量产并上市销售的相关产品。美光64GB Crucial DDR5 Pro内存为业界首发。

SK海力士CEO郭鲁正近日在接受采访时表示，中国初创公司DeepSeek的生成人工智能模型将对半导体行业产生长期积极影响。至于需求表现疲弱的NAND Flash市场，预计年底将出现复苏。郭鲁正表示：“我认为情况很快就会好转，因为整个行业都在努力稳定市场。”

继1月推出7.2mm×7.2mm的超小尺寸eMMC后，江波龙再次推出穿戴存储力作——0.6mm（max）超薄ePOP4x，实现了更精简的穿戴物理布局。

与标准存储方案相比，ePOP4x采用了创新的封装技术和高度集成设计，最大厚度仅为0.6mm（max），相比上一代0.8mm厚度产品减少了近25%，是当前市场上最薄的ePOP产品之一。ePOP4x产品将eMMC和LPDDR4x集成于一体，提供32GB+16Gb和64GB+16Gb的市场主流容量组合，实现了Flash与DRAM的二合一，并采用性能更强的控制器，支持LDPC纠错，满足不同智能穿戴设备对于存储空间和运行内存的多样化需求。

铠侠与闪迪率先推出最先进的3D闪存技术，采用最新的接口标准之一，用于 NAND 闪存的 Toggle DDR6.0，并利用了 SCA（单独命令地址）协议、其接口的新型命令地址输入方法以及PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术，有助于进一步降低功耗。

通过采用这一独特的高速技术，两家公司预计新型3D闪存接口速度将较其正在量产的第8代产品提升33%，达到4.8Gb/s的接口速率。该技术还能提升数据输入/输出的能效，使输入功耗降低10%、输出功耗减少34%，从而实现高性能与低功耗的平衡。展望第10代3D闪存技术，两家公司详细说明通过将存储层数增加至332层，并优化平面布局以提高面密度，该技术将使位密度提升59%。

据CFM闪存市场数据显示，2024年四季度全球NAND Flash市场规模减少8.5%至174.1亿美元，DRAM市场规模环比增长13.5%至293.45亿美元，四季度全球存储市场规模再度环比增长4.2%至467.55亿美元。整体来看，全球存储市场规模在2024年一季度、二季度、三季度、四季度持续保持环比增长，也带动2024年全年DRAM和NAND Flash整体销售收入达1669.79亿美元，创造历史新高。

美光科技推出 Micron 4600 PCIe ® Gen5 NVMe ™ SSD，这是一款面向 OEM 的创新型客户端存储驱动器，采用Micron ® G9 TLC NAND，是美光首款 Gen5 客户端 SSD，性能是其前代产品的两倍。其连续读取速度为 14.5 GB/s，写入速度为 12.0 GB/s。此外，与 Gen4 SSD相比，4600 SSD能效提高了 107%（MB/s/瓦），从而延长了电池寿命并提高了整体系统效率。

嵌入式方面，由于部分存储原厂低容量资源逐渐停产，供应相对紧缺，令部分256Gb Flash wafer价格有所上涨，而TV盒子、智能穿戴、教育平板等终端应用市场仍有备货需求，在成本上扬驱动下本周32GB eMMC价格顺势上涨。其他产品整体变化不大，价格均维持不变。eMMC：eMMC 32GB 5.1 涨 7.69% 至 $2.80。

近期，行业市场现个别杀价抢单动作，终端客户压价明显。另外，去年年底以来，业界对PC终端一些特定市场的需求预期较高，从近两个月PC客户陆续开展的备货需求看，落地情况比预期的慢一些。总体上来看，目前行业市场需求上暂无明显变化。本周行业SSD和内存条价格保持不变。

近期，部分渠道低端资源价格涨势明显，但继上周渠道客户询单量增加后，本周市场需求表现却略显疲软，弱需求下渠道市场承接力不足，令渠道SSD成品跟涨难以实现，因此本周渠道SSD价格维持不变。而渠道内存条方面，因受低端产品冲击，令其价格有所下滑。

内存条(渠道市场)：DDR4 UDIMM 8GB 3200 跌 5.26% 至 $7.20，DDR4 UDIMM 16GB 3200 跌 3.13% 至 $15.50，DDR4 UDIMM 32GB 3200 跌 5.56% 至 $34.00。

据CFM闪存市场最新报价，今日Flash Wafer涨跌不一，部分DDR资源价格下跌。其中，1Tb TLC NAND Flash Wafer价格下调至5.30美元，256Gb TLC NAND Flash Wafer价格涨至1.6美元；DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT价格分别下调至2.00/1.65美元，其他价格不变。

据韩媒报道，三星电子设备解决方案 (DS) 部门负责人全永铉上周携带用于HBM的1b DRAM改进样品访问NVIDIA。1b DRAM主要应用于HBM3E产品。由于1b DRAM产量较低，三星电子原本计划使用1a DRAM生产HBM3E 8层和12层产品。此外，计划跳过1b并开发1c用于下一代HBM4。但三星似乎改变了策略，并根据NVIDIA的要求，通过改进1b DRAM来寻求通过NVIDIA的验证。

据业界消息，NVIDIA 正在与三星电子、SK 海力士等存储原厂进行秘密谈判，希望将一种名为“SOCAMM”的新内存标准商业化，该标准被誉为“第二个高带宽内存 (HBM)”。SOCAMM的开发不仅仅是技术上的创新，更是NVIDIA建立自己的内存标准的战略举措，独立于传统的由联合电子设备工程委员会（JEDEC）共识驱动的方式。

据韩媒报道，三星电子与SK海力士对于“移动HBM ”的技术策略有所不同。在堆叠低功耗DRAM以实现与高带宽存储器（HBM）相似性能的下一代存储器产品中，三星电子选择了性能和稳定性，而SK海力士则选择了成本效益。三星电子和SK海力士均计划今年完成技术开发，并于明年开始量产移动HBM。 

美光已于去年9月完成2层HBM3E开发工作，并向NVIDIA等客户展示了样品。据业界最新消息，美光CFO Mark Murphy近日表示，与竞争对手的 8层产品相比，美光12层HBM3E产品功耗降低20%，容量增加50%。并进一步预测，下半年生产的 HBM 大部分将是12层产品。

近日有消息称，SK海力士在内部发布了一份关于加强和重新分配人员的“内部职业成长计划（CGP）”的公告，并正在招募成员，包括HBM设计、先进PKG（封装）开发、AI基础设施和客户质量管理等。据悉，目前正在内部招募负责M15X的工程师（团队成员）。SK海力士计划扩大M15X和其他产品的生产能力以满足不断增长的需求，并增强其设计、开发和封装能力，以在下一代 HBM市场中占据优势。