SK海力士去年营业收入和营业利润分别高达66.1930万亿韩元、23.4673万亿韩元，创下历史最高业绩。因此，SK海力士决定以历史最高业绩为基础，向员工支付基本工资1500%的奖金。 这是历届最高水平的奖金规模，不过仍遭到工会以及部分员工不满。对此，SK海力士总裁郭鲁正表示，“我知道有人可能对这样的决定不满意，也有人认为与去年的成绩相比有所不足”，“最重要的是，看到经过许多努力积累起来的劳资双方信任受到动摇，这让人感到非常遗憾。”并进一步表示，“现在是齐心协力创造新未来的时刻”，并希望“劳资双方能尽快恢复基于信任的协作姿态”。

江波龙日前推出7.2mm×7.2mm超小尺寸eMMC，为AI智能穿戴设备物理空间优化提供了全新的存储解决方案。7.2mm×7.2mm是目前市场上较小尺寸的eMMC之一，153个球几乎占据了面板的全部位置，这种设计已经接近物理极限。该产品支持64GB和128GB容量，其中128GB容量在同类型小尺寸产品中处于较高水准，为AI眼镜、智能手表、智能耳机等穿戴设备的优化提供了全新思路。

创见宣布面向消费领域推出DDR5 6400 CUDIMM内存条，首款产品为16GB单条模组，享有终身有限保固，专为游戏玩家、内容创作者、计算机 DIY 玩家及高效能工作需求者设计。据悉，该产品在DDR5 UDIMM内存技术的基础上，采用了CKD客户端时钟驱动器芯片，使其原生支持更高的传输速率。

澜起科技宣布，其最新研发的第二子代多路复用寄存时钟驱动器(MRCD)和多路复用数据缓冲器(MDB)套片已成功向全球主要内存厂商送样。该套片专为DDR5多路复用双列直插内存模组(MRDIMM)而设计，最高支持12800 MT/s传输速率，以满足高性能计算和人工智能等应用场景对内存带宽的迫切需求。

Solidigm宣布与博通延长多年协议， 使用大容量固态硬盘 (SSD) 控制器来支持人工智能 (AI) 和数据密集型工作负载。博通的定制控制器十多年来一直是 Solidigm SSD 的关键组件。采用博通控制器的 Solidigm SSD 出货量已超过1.2亿台，两家公司之间的合作一直延续到行业 SSD的关键里程碑，包括串行 ATA (SATA)、串行连接 SCSI (SAS) 和非易失性存储器 Express (NVMe)。

佰维存储公告，预计2024年度实现归属于母公司所有者的净利润为1.6亿元至2亿元，实现扭亏为盈。业绩增长的主要原因包括：存储行业复苏，公司业务大幅增长；在智能穿戴领域构建了差异化竞争优势，产品表现出色。其中，Q3净亏损5524万元，Q4预计净亏损2812万元至6812万元。

据韩国半导体业界近日透露，三星电子正在改进12纳米级动态随机存取存储器（DRAM）“D1b”的设计。三星电子于2023年首次量产“D1b”，应用于显卡DRAM和手机DRAM上。此次改变已生产一年多的DRAM设计是半导体行业中罕见的案例。

近日，德明利发布公告称，根据募投项目实施的轻重缓急情况及募集资金实际到位情况，在不涉及新增或减少投资范围和不改变募集资金用途的前提下，调整拟投入募投项目“嵌入式存储控制芯片及存储模组的研发和产业化项目”的募集资金金额，由原来的45,654.89 万元调减为 43,898.73 万元，其他募投项目拟投入募集资金金额保持不变，募集资金不足部分以自筹的方式解决。

SK海力士表示，HBM销售额在去年四季度已占DRAM总销售额的40%以上，预计2025年HBM销售额将增长100%以上，并计划今年12层堆叠HBM4完成开发并确保量产，将成为明年的HBM主流产品。

SK海力士发布截至2024年12月31日的2024财年及第四季度财务报告。SK海力士在财报中表示，公司计划今年增加HBM3E的供应量，并适时开发出HBM4，根据客户的要求进行供应。并且在需求稳定持续的情况下，将为了具有竞争力的DDR5和LPDDR5生产，推进所需的先进工艺转换。NAND闪存方面，继去年之后也将以盈利为主的运营和满足需求情况的灵活销售战略应对市场。

SK海力士2024财年总营收高达66.1930万亿韩元，与有史以来最高的2022年营收相比高出21万亿韩元以上；营业利润高达23.4673万亿韩元，超越2018年存储市场超繁荣期的业绩；净利润达19.7969万亿韩元，同比扭亏为盈；整体来看，2024财年SK海力士创下了有史以来最佳年度业绩。

西部数据首席财务官 Wissam Jabre 将于2月28日辞职，在此之前该司将拆分为独立的HDD和SSD业务。拆分后，他原本计划担任HDD业务的首席财务官。 西部数据表示，Jabre辞职是为了“寻求其他机会”，西部数据正在寻找新的首席财务官。

希捷科技公布了2025财年第二季度（截至2024年12月27日）业绩，营业收入为23.3亿美元，同比增长49.5%；净利润3.36亿美元，同比由亏转盈，优于去年同期净亏损1,900万美元；每股盈余1.55美元。希捷预计第三财季营收21.0亿美元，上下浮动1.5亿美元。

近期有消息称，为进一步提高性能和良率，三星已在2024年底决定对12纳米级 DRAM“D1b”的设计进行变更，目前正在推进。据悉，三星于去年年底紧急订购设备，仅引进了必需的设备，以对现有1x及1y等旧工艺生产线进行高度化技术迁移的方式。新的D1b预计今年年内量产。最早可能在第二季度或第三季度推出。

澜起科技发布公告，宣布推出其最新研发的PCIe 6.x/CXL 3.x Retimer芯片，并已向客户成功送样，目前正在进行PCIe 7.0 Retimer芯片的研发。据悉，这款新型芯片支持16通道，其最高数据传输速率可达64GT/s，相较PCIe 5.0提升一倍。

朗科科技发布2024年全年业绩预告，预计2024年1-12月扣除非经常性损益后的净亏损达8,300万元-11,500万元；归属于上市公司股东的净亏损达9000.00万-1.20亿。

CFM闪存市场了解，慧荣科技正在开发4nm先进制程的PCIe 6.0 SSD主控芯片SM8466，目标企业级市场。据悉，SM8466主控芯片将全面支持PCIe 6.0 x4通道，其理论带宽高达30.25 GB/s，相较于PCIe 5.0 x4接口的SSD，带宽实现了翻倍增长。

据报道，希捷推出新款Exos M 36TB机械硬盘，单碟容量达到了3.6TB，成为目前市面上容量最大的硬盘。新产品属于Exos M 3+平台，该平台依托创新的HAMR（热辅助磁记录）技术，专为满足30TB及以上容量需求的数据中心而生。

据CFM闪存市场最新报价，今日1Tb QLC/256Gb TLC NAND Wafer价格维持不变，1Tb TLC/512Gb TLC NAND Flash Wafer分别小幅下调至5.40/2.95美元，DDR颗粒价格持平。截止至今，NAND价格普遍已跌回2023年年底水平。

外媒报道，三星电子已将其1c nm DRAM内存开发的良率里程碑时间从2024年底推迟至2025年6月，而这一变化可能会影响到三星对HBM4内存的规划。三星电子原计划在去年12月将1c nm制程DRAM的良率提升至70%，达到结束开发工作、进入量产阶段所需的水平。但在实际情况中，三星虽于去年底成功制得1c nm DRAM的良品晶粒，整体良率却无法满足要求。