编辑:AVA 发布:2022-11-07 14:09
据三星电子官网新闻,三星电子已开始批量生产第八代具有业界最高位密度的垂直 NAND (V-NAND)。新的 V-NAND 容量为 1Tb,迄今为止最高的存储容量,可为全球下一代企业服务器系统提供更大的存储空间。
三星电子闪存产品和技术执行副总裁 SungHoi Hur表示:“随着市场对更密集、更大容量的存储需求推动更高的 V-NAND 层数,三星采用先进的 3D 缩放技术来减少表面积和高度,同时避免通常在按比例缩小时发生的单元间干扰,我们的第八代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求,并使我们能够更好地提供更多差异化的产品和解决方案,这将是未来存储创新的基础。”
三星通过显著提高每片晶圆的比特生产率,实现了业界最高的比特密度。基于 Toggle DDR 5.0 接口 - 最新的 NAND 闪存标准- 三星的第八代 V-NAND 具有高达 2.4 Gbps 的输入和输出 (I/O) 速度,比上一代产品速度提升了 1.2 倍。这将使新的 V-NAND 能够满足 PCIe 4.0 以及更高版本的 PCIe 5.0 的性能要求。
第八代 V-NAND 有望成为存储配置的基石,有助于扩展下一代企业服务器的存储容量,同时将其应用扩展到可靠性尤为关键的汽车市场。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
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