编辑:AVA 发布:2022-10-08 17:03
三星电子将于明年开始量产第 5 代 (1b) 10 纳米级 DRAM。与目前的第 4 代相比,通过减小尺寸和提高性能,它们将巩固其在内存领域的第一地位。三星电子还将开发 1000 层 NAND,并在 2030 年前提供集成系统半导体解决方案。
三星电子公布了 DRAM 和 V-NAND 等下一代产品的路线图,并宣布他们将于明年量产第 5 代 (1b) 10 纳米级 DRAM。业界估计第 5 代 DRAM 将采用11~12nm 工艺制造。三星电子计划通过包括高 k 金属栅极 (HKMG) 和下一代产品结构在内的新工艺来克服工艺小型化的限制。
三星电子还宣布计划通过推出下一代产品来引领高端 DRAM 市场,例如用于数据中心的 32Gb DDR5 DRAM、用于移动设备的 8.5Gbps LPDDR5X DRAM 和用于图形的 36Gbps GDDR7 DRAM。
三星电子还发布了第8代V-NAND 512Tb TLC产品,与第7代相比,单位面积存储位数提高了42%。三星电子将在今年内发布全球容量最高的第 8 代 V-NAND 1Tb TLC 产品。他们还提出了到 2024 年量产第 9 代 V-NAND 并到 2030 年开发 1000 层 V-NAND 的计划。
三星电子正在扩展 QLC 生态系统,每个单元有 4 个信息存储,以响应对包括数据中心和人工智能 (AI) 在内的大容量数据的需求。提高了能源效率,并有助于客户公司的环保管理。
三星电子存储事业部负责人(总裁)Jung-bae Lee 表示:“三星电子过去 40 年创造的存储芯片总存储容量已超过 1 万亿 GB,其中一半是在过去三年。这个统计数据让我们感受到了数字化转型。我们将通过高带宽、大容量和高效率的存储与各种平台一起演进。”
三星电子还宣布了到 2025 年实现汽车存储市场第一的目标:将提供包括自动驾驶、高级驾驶辅助系统 (ADAS) 和车载信息娱乐 (IVI) 在内的最佳内存解决方案,同时还将提供下一代新一代解决方案,满足对 LPDDR5X 和 GDDR7 等高性能内存的需求。
三星电子将开设“三星存储研究中心(SMRC)”,供客户开发和评估下一代存储解决方案,并与红帽和谷歌云合作。从今年第四季度在韩国开始,SMRC将在美国和其他国家按顺序扩展。
存储原厂 |
三星电子 | 80900 | KRW | +0.62% |
SK海力士 | 191800 | KRW | +0.95% |
美光科技 | 109.410 | USD | +1.82% |
英特尔 | 31.350 | USD | +0.80% |
西部数据 | 68.260 | USD | +2.66% |
南亚科 | 58.1 | TWD | -4.13% |
华邦电子 | 23.45 | TWD | -1.88% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -4.83% |
慧荣科技 | 70.080 | USD | +2.04% |
美满科技 | 65.720 | USD | +2.70% |
点序 | 67.2 | TWD | -0.88% |
国科微 | 51.94 | CNY | +0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 80.72 | CNY | +0.93% |
希捷科技 | 103.680 | USD | -0.27% |
宜鼎国际 | 282.5 | TWD | -3.25% |
创见资讯 | 95.8 | TWD | -2.84% |
威刚科技 | 92.3 | TWD | -3.25% |
世迈科技 | 23.170 | USD | +1.80% |
朗科科技 | 17.05 | CNY | -0.64% |
佰维存储 | 52.46 | CNY | -1.35% |
德明利 | 77.11 | CNY | +0.47% |
大为股份 | 9.23 | CNY | +1.32% |
封测厂商 |
华泰电子 | 49.4 | TWD | -4.82% |
力成 | 189 | TWD | +2.72% |
长电科技 | 32.20 | CNY | +0.34% |
日月光 | 155.5 | TWD | -9.86% |
通富微电 | 21.91 | CNY | +1.39% |
华天科技 | 8.26 | CNY | +0.61% |
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