ASML：High-NA扫描仪比EUV更耗电，每台成本超4亿美元

据外媒报道，ASML首席技术官Martin van den Brink近日表示，他相信在不久的将来，可能会走到目前半导体光刻技术的尽头。

ASML及其合作伙伴正在研究一种全新的EUV工具——Twinscan EXE:5000系列，具有0.55 NA(High-NA)透镜，能够达到8nm分辨率，可以避免3nm及以上的多图案。如果一切按计划进行，ASML计划在2024年向其客户交付第一台研发机器，随后在2025年某个时候交付第一批使用High-NA的批量生产机器。

新的High-NA扫描仪将非常复杂，非常大，而且昂贵——每台扫描仪的成本将超过4亿美元。High-NA不仅需要新的光学设备，新的光源，甚至需要新的芯片来容纳更大的机器，这将需要大量的投资。但为了保持半导体的性能、功率、面积和成本(PPAc)，领先的逻辑芯片和存储设备制造商愿意采用新技术，High-NA EUV扫描仪对于后3nm节点至关重要。

Van den Brink指出，由于当前供应链的不确定性，再加上ASML对其EUV机器的需求量很大，由于两种技术共享大量组件，可能会影响时间安排。因此，当前订单是优先事项，如果需要，High-NA开发可能会被搁置一旁。据介绍，High-NA扫描仪预计比EUV机器耗电更大，因此预计在各个阶段将耗电约2兆瓦。半导体光刻技术发展的下一步将会比较艰难，因为ASML目前称之为hyper-NA的设备的制造和使用成本将高得令人望而却步。