Avalanche推出适用于航天市场的P-SRAM：采用联电22nm工艺

专注于磁性内存（MRAM）技术创新公司Avalanche Technology与联电共同宣布推出具备高可靠度的持续性静态随机存取内存(Persistent Static Random Access Memory, P-SRAM)，这项产品将应用于条件严苛的航天市场 。

联电表示，该产品建构于Avalanche Technology最新一代自旋转移矩磁性内存(Spin-Transfer-Torque MRAM, STT-MRAM)技术，以及联电的22nm制程，相较于现有的非挥发性解决方案，更具高密度、耐用性、可靠度和低功耗的优势。

此次新产品的推出，真正实现了市场对高耐用性、高可靠性和高密度的各项应用需求，且无需外部电池、错误修正代码(Error-Correcting Code, ECC)或耗损平均技术。有鉴于如今无处不在的感测设备以及日益升高的数据处理需求推升对耐磨损、高持久性内存的需要，将很快启动进一步提高 16Gb 单芯片解决方案的开发工作。