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日本开发出高速低耗电储存单元,催生新一代DRAM

编辑:AVA 发布:2019-12-04 10:04

对计算机而言,DRAM对于整个系统的速度至为关键,新一代的储存技术研究几乎都是以超越传统DRAM性能为主。日本科学家受到固态锂电池的启发,开发出一种三值(three-valued)存储器,由于电力消耗相当低,不排除成为催生更省电、更快速随机存取存储器(RAM)的触媒。

东京工业大学教授一杉太郎领导的研究团队先前曾打造一款新存储设备,灵感得自于固态锂电池,由锂、碳酸锂和黄金堆叠成三个固态层,本质上是一个微型低容量电池,但可以作为存储器使用,能在代表一个位元的两个可能值的充电和放电状态之间快速转换。

但黄金与锂结合会形成厚合金层,两个状态切换时需要较多的电力,所以研究人员在最新研究中以镍取代黄金,创造一个类似的三层结构储存单元,由于镍不易与锂形成合金,如此将可降低转换时的耗电量。

新开发的储存单元比先前的设备更好的地方在于,实际上可以保留三种电压状态(先前是两种),是一种三值存储设备。一杉表示,新系统可视为是一种具有三种充电状态的极低容量薄膜锂电池,这是一个潜在的优势,有助于提高存储器区域效率。

研究还发现镍有另一个作用,会在镍和磷酸锂曾之间产生一个非常薄的氧化镍层,这层氧化镍对于该存储设备的低电力切换至为重要。氧化层比先前设备的金锂合金层还薄,这意味著新的微型电池单元容量相当低,也因此可以透过施加微小电流的方式,快速和简单地在不同状态中切换。

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