第二季Flash价格太好，拖累慧荣 擎泰业绩表现

发布于：2009-07-13 来源：中国闪存市场

受到第二季NAND Flash价格不断走高影响，Flash大厂释出给控制IC厂的货源减少，导致储存控制晶片厂擎泰（3555）6月营收创今年新低，慧荣科技(Silicon Motion)也宣布调降第二季财测预估值

NAND Flash短缺冲击 SSD控制芯片厂商慧荣下修财测

发布于：2009-07-10 来源：中国闪存市场

慧荣科技(Silicon Motion)9日在美国股市开盘前宣布下修第2季(4-6月)财测：受全球经济衰退、客户面临NAND型闪存(NAND Flash)短缺问题的影响，该公司决定将营收季增率预估值由原先的5-15%下修至-5%至-10%

三星发布采用45nm工艺技术的应用处理器

发布于：2009-07-08 来源：

韩国三星电子发布了采用45nm低功耗CMOS工艺技术的应用处理器“S5P6440”。其特点是图形性能高、功耗及成本低等。适用于PND等家电产品

创见推出配备温度感应器的DDR3服务器内存

发布于：2009-07-07 来源：

全球数字储存媒体领导厂商—创见资讯 (Transcend Information, Inc.)于日前推出具温度感应器的DDR3内存系列

三星受益芯片面板涨价 二季度利润有望比上季增长5倍

发布于：2009-07-07 来源：中国闪存市场

IT巨头三星电子的股价昨日创造了一个月以来的新高。此前该公司预测，第二季度运营利润有望比上季增长5倍

力晶80万张新股出笼

发布于：2009-07-03 来源：中国闪存市场

力晶1.57亿美元海外可转换公司债（ECB）与债权人的协商邀约已超过九成比率门槛，并于日前股东常会决议通过，将近80万张的转换新股今（3）日起将上柜买卖。

群联今除权息早盘跳空涨停

发布于：2009-07-02 来源：中国闪存市场

群联电子今天除权息，股价表现强劲，早盘跳空涨停，达190元，距填权息仅剩6.5元。

慧荣Flash芯片获认证 美光量产34纳米闪存

发布于：2009-07-02 来源：中国闪存市场

内存IC设计公司慧荣科技昨（1）日表示，多款闪存（Flash）控制芯片已获美光认证，可望领先同业推出34奈米制程多层单元（MLC）Flash，可支援美光16Gb及32Gb的Flash

NAND flash不看淡群联攻顶

发布于：2009-07-01 来源：

群联（8299）明天将进行除权息，今股价开低走高并强势攻上涨停196.5元，为除权息行情暖身

美光科技有限公司公布2009财年第三季度业绩报告

发布于：2009-07-01 来源：中国闪存市场

美光今天公布了其截至2009年6月4日的2009财年第三季度经营业绩。2009财年第三季度，公司公布的销售净额为11亿美元，净亏损2.9亿美元，或摊薄后每股0.36美元。本季度末公司持有现金和投资额为13亿美元