海力士摆脱亏损 台系DRAM厂获利不远了

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

全球第二大DRAM厂海力士（Hynix）公布第3季(7-9月)营运转亏为盈，为两年来首度获利；台系厂商力晶(5346)宣称第四季提升产能，可望转亏为盈；

晶片价格回稳 Hynix第3季由亏转盈

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

受惠于产业供给过剩的状况缓和，稳住了晶片价格，南韩记忆体大厂HynixSemiconductorInc.(000660-KR)上一季为2年来首度转亏为盈，本季获利亦可望创下3年来新高。

Hynix两年来首度转亏为盈盘中股价走高

发布于：2009-10-23 来源：中国闪存市场

Hynix表示，Q3 DRAM价格季增26%，增幅高于前季的20%；Q3 DRAM出货量则季增12%。此外，Q3 NAND型快闪记忆体价格则季增4%。

飞索日本分公司拟出售福岛县生产设备

发布于：2009-10-22 来源：中国闪存市场

日本经济新闻报导，NOR Flash厂飞索半导体(Spansion)日本分公司计划出售位于福岛县会津若松市事业所的尖端生产设备，外传有大陆基金业者等数个买主有意竞逐。

SanDisk Q3意外由亏转盈 产业展望乐观

发布于：2009-10-21 来源：中国闪存市场

美国记忆体大厂SanDiskCorp.(SNDK-US)周二盘後公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由於销售额优於预期，以及先前减记的库存收入回补加持。

半导体业相继上修资本支出，矽品拟跟进调高

发布于：2009-10-19 来源：中国闪存市场

景气逐季走扬，激励半导体业掀起上修资本支出热潮，近期产业界近期利多频传，大陆十一长假后的终端销售市场传出佳绩，加上第四季为PCNB、手机、游戏机等新产品上市旺季，让供应链对库存暂松一口气。继市场传出台...

鑫创公司简介

发布于：2009-10-16 来源：中国闪存市场

鑫创以CF快闪记忆卡控制晶片起家，2000年进入随身碟控制晶片市场，2009年下半正式跨入快闪记忆卡控制晶片领域，记忆卡控制晶片大量出货。

鑫创成功打入记忆卡控制晶片市场

发布于：2009-10-16 来源：中国闪存市场

下半年NAND Flash市场缺货严重，但鑫创受惠新产品反应热络，加上大客户供货无虑下，订单非但没有减少，反而是出现交货不及的热络情况

财报─英特尔Q3营收94亿美元每股盈余0.33美元优于预期

发布于：2009-10-14 来源：中国闪存市场

Intel Corp. (INTC-US；英特尔)周二(13日)盘后发布今年第3季财报，结果优于市场预期。

安国私募昆盈参一脚

发布于：2009-10-13 来源：中国闪存市场

USB晶片厂安国（8054）第三轮私募案陆续缴款中，继先前与创见（2451）、华硕（2357）、群光（2385）策略结盟后，昨（12）日滑鼠大厂昆盈（2365）抢先宣布参与安国私募，安国富爸爸阵容再添一员。