铠侠 https://www.kioxia.com/

铠侠与闪迪全新3D闪存创新技术与其革命性的 CBA（CMOS 直接键合到阵列）技术近日亮相ISSCC 2025。

全新3D闪存技术采用最新接口标准之一，用于 NAND 闪存的 Toggle DDR6.0，并利用了 SCA（单独命令地址）协议、其接口的新型命令地址输入方法以及PI-LTT（电源隔离低抽头终端）技术，有助于进一步降低功耗。

通过采用这一独特的高速技术，两家公司预计新型3D闪存接口速度将较其正在量产的第8代产品提升33%，达到4.8Gb/s的接口速率。该技术还能提升数据输入/输出的能效，使输入功耗降低10%、输出功耗减少34%，从而实现高性能与低功耗的平衡。展望第10代3D闪存技术，两家公司详细说明通过将存储层数增加至332层，并优化平面布局以提高面密度，该技术将使位密度提升59%。

对于即将推出的第9代3D 闪存，借助其独特的 CBA 技术，Kioxia 和 Sandisk可将新的 CMOS 技术与现有的存储单元技术相结合，以提供低成本、高性能、低功耗的产品。双方将继续致力于开发尖端闪存技术，提供满足客户需求的定制解决方案，并为数字社会的进步做出贡献。

铠侠首席技术执行官柳茂知先生将亮相CFMS｜MemoryS 2025，并发表精彩主题演讲，敬请关注！报名通道：峰会官网（https://cfms.chinaflashmarket.com）或“闪存市场”APP。