Samsung
作为该基础设施的首个成果，三星本月成功验证了其CMM-D产品，这也是三星在业界首例。三星还可以在早期开发阶段优化产品，从而为客户提供定制化解决方案。
三星电子内存半导体部门负责人在近期的全员会议上预告了下半年的组织重组计划，旨在加强协同效应和精简化，提高公司的竞争力和市场响应速度。
三星目前正在对 16Gb Mono MRDIMM 设备进行采样，该设备具有增强的性能、容量和功耗。
三星在“年度代工论坛”宣布其强化工艺技术路线图，包括两个新的尖端节点——SF2Z 和 SF4U，以及利用其代工、存储和高级封装（AVP）业务独特优势的集成三星人工智能解决方案平台。
三星电子近日宣布，从16层堆叠的高带宽存储器（HBM）开始，将采用必需的混合键合技术，这一声明标志着半导体存储技术的一个重要里程碑。此举预计将推动高性能计算和人工智能等领域的发展。
CXL是一种下一代接口，可以高效连接各种设备，例如 CPU、GPU、内存和存储，具有高度的灵活性。CMM-D 可以满足行业对大容量内存解决方案日益增长的需求，并开启 CXL 接口商业应用的新篇章。
据韩媒报道，三星与KAIST等研究机构合作，正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料，并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。
三星表示，其与全球各合作伙伴的 HBM 供应测试正在“顺利”进展。
三星电子于21日突然宣布更换负责半导体业务的DS部门负责人。全永铉未来事业计划团部长（副会长）被任命为新的DS部门负责人，而前任DS部门负责人庆桂显被任命为未来事业计划团部长。三星电子表示，这次人事变动是在全球经济环境不确定的情况下，为了加强半导体未来竞争力而采取的预防措施。
三星电子成功将3D DRAM技术推进到16层堆叠。这一技术突破标志着三星在下一代存储半导体领域的领先地位，有望推动整个行业的发展。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-04-23
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
.jpg)
Skymedi Flash Card控制芯片 2013-09-02
三星电子2024年第一季度财报 2024-05-10
三星电子2023年第四季度财报 2024-01-31
三星电子2023年第三季度财报 2023-10-31
三星电子2023年第二季度财报 2023-08-04
三星电子2023年第一季度财报 2023-05-04
三星电子2022年第四季度财报 2023-01-31
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
