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NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外，还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。
另有消息称，三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
今年三季度三星电子HBM总销售额环比增长超过70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。
三星电子128GB CMM-D产品基于12nm级32Gb DDR5 DRAM和 Montage 的下一代控制器，与上一代产品相比，带宽提高10%，延迟降低20%。
24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在相同封装尺寸下提高了电池集成度，与之前的产品相比，容量增加了50%；通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到40Gbps，根据使用环境的不同，其性能可进一步提升至最高42.5Gbps。
在公布第三季度盈利指引后，三星电子DS部门负责人全永铉就公司业绩不佳发表道歉声明，“很抱歉没有达到市场预期，引起了人们对我们基本技术竞争力和公司未来的担忧。领导业务的管理层负有全部责任，我们将带头克服这场危机，让第三季度的疲软收益成为三星的转折点。”
性能方面，990 EVO Plus系列连续读取速度高达7250 兆字节/秒 (MB/s)，写入速度高达 6300MB/s，比上一代 990 EVO 提升高达 50%。
三星计划推出128GB-2TB等多种容量规格的AM9C1存储器产品阵容。其中最大的2TB SSD预计将在明年年初开始量产。
从PM9E1开始，三星计划将其先进的SSD产品扩展到全球PC制造商，未来将推出基于PCIe 5.0 的消费产品。
三星电子计划将QLC第九代V-NAND的应用范围从品牌消费类产品开始，逐步扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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