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回到首页 当前位置:CFM分析

除了经济上的压力之外,产品制程升级带来的技术难度也呈指数级增长,就以NAND技术为例,目前各大原厂已经开始量产200+层堆叠产品,下一代产品大概率将直奔300+层,随着堆叠层数不断增加,在研发过程中,存储原厂需要攻克的技术难题也不断增加。

据CFM闪存市场数据显示,本周最新1Tb/512Gb NAND Flash wafer价格分别上调至3.45/1.72美元,DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT价格分别上调至2.43/2.17美元。

在存储现货市场上,NAND涨价行情自上而下正在传导至现货SSD、eMMC/UFS、卡和U盘等成品端,NAND现货价格全线走高,形成一波涨价浪潮。

国内存储产业链企业已相继发布半年度财务业绩,各公司23Q2营收、营业利润、净利润等相关数据汇总。

整体而言,此轮行情主要由原厂积极减产、强势涨价带动,市场随之惜售低价库存,上下游全面收紧低价供应,带动市场备货需求增加,而终端实际需求对市场流速的推动,还需持续观察。

据CFM闪存市场分析,2023年二季度全球NAND Flash市场规模环比增长5%至91.28亿美元,DRAM市场规模环比增长11.9%至106.75亿美元。整体来看,二季度全球存储市场规模198.03亿美元,环比增长9%,但不足去年同期的一半,同比下跌54%。

CFM闪存市场最新推出8月月度报告,汇总存储行情变化和行业重要事件,分析预计三季度部分存储价格或将迎来新的变化。

三季度中旬,尽管终端销量仍然疲软,但在原厂坚定减产、克制低价供应背景下,整体存储行情呈现“L”型触底。而现货市场作为存储市场中敏感度最强的板块,近期部分产品报价开始小幅上扬。

经过存储原厂持续减产,上游库存高峰值已过,库存得到有效控制之下,近期各大原厂NAND Flash wafer全面报涨,部分wafer官价上扬10%。

该季度,铠侠NAND Flash bit出货量环比增长约15%,ASP下滑约5%,NAND均价跌幅明显收窄。

近期存储市场的变化主要体现在供应端,原厂积极减产的效应逐渐扩散,部分存储供需状况有所改善,带动部分资源稳中有涨,成品端价格整体持稳不变。需求端来看,继7月现货市场异常冷清之后,8月初渠道需求环比有所恢复,存储行情在底部反复焦灼。

就库存周转天数来看,西部数据第四财季库存周转天数已经开始下滑至130天,环比下滑9.7%。西部数据表示,随着产业链库存逐渐恢复正常、单位闪存设备存储容量增加以及闪存跌价速度放缓均预示着市场环境正逐步改善。

在AI应用对HBM和DDR5强劲需求的推动下,三星DRAM出货量超预期,带动Q2存储业绩有所改善。Q2存储营收环比小幅增长1%至8.97万亿韩元(约合68亿美元),同比下降57%。包含存储的DS部门营业亏损4.36万亿韩元(约合33亿美元),较一季度营业亏损4.58万亿韩元小幅收窄。

SK海力士依然坚定的执行2023财年资本支出同比减少50%以上的计划。在有限的资本预算下,SK海力士将尽量减少其他投资,集中主要精力确保高密度DDR5/HBM的生产能力。

本周存储现货行情有些分化,NAND Flash Wafer价格延续小幅上调,DDR4颗粒及行业部分SSD价格向下小幅调整。主要因为7月市场需求反应平淡,正值月底,现货市场有盘活流速加紧出货的压力,本周现货DDR颗粒、行业SATA及Gen3 SSD价格略微松动。

股市快讯 更新于: 04-28 17:36,数据存在延时

存储原厂
三星电子55800KRW+0.18%
SK海力士182000KRW-1.30%
铠侠1886JPY+0.86%
美光科技79.780USD+3.05%
西部数据40.780USD+1.52%
闪迪32.850USD+1.73%
南亚科37.10TWD+0.27%
华邦电子15.70TWD-0.63%
主控厂商
群联电子443.5TWD-2.31%
慧荣科技45.110USD+2.38%
联芸科技39.90CNY-2.21%
点序54.8TWD-0.36%
国科微68.86CNY-0.88%
品牌/模组
江波龙73.65CNY-4.91%
希捷科技82.700USD-0.41%
宜鼎国际238.5TWD+0.63%
创见资讯102.5TWD-0.49%
威刚科技81.8TWD-0.97%
世迈科技17.230USD+1.35%
朗科科技24.02CNY+0.25%
佰维存储59.80CNY-2.64%
德明利122.28CNY-4.54%
大为股份13.55CNY-1.88%
封测厂商
华泰电子32.80TWD+5.98%
力成111.5TWD0.00%
长电科技32.72CNY-0.85%
日月光137.0TWD-0.36%
通富微电25.15CNY-1.10%
华天科技9.80CNY-0.41%