近日，三星发布了第二季度财报，净利润5.56兆韩元（约47亿美元），同比增长7.3%，环比增长13.9%。值得注意的是，三星在第二季度的资本支出为9.8兆韩元（约82亿美元），相较于2019年同期，资本支出同比增长了58%。

经历2019年减产后，2020年不惧“疫情”影响，三星重启扩产计划

2019上半年不仅NAND Flash价格下滑，DRAM价格下滑的速度也超乎市场预期，再加上市场需求疲软，三星、美光、SK海力士净利润大跌，西部数据、铠侠更是亏损严重，迫使大部分原厂减少投资，或减少NAND Flash和DRAM产出。 

当时，三星虽然未公开宣布减产计划，但是2019上半年资本支出10.7兆韩元，同比减少了36%，SK海力士将减少NAND Flash晶圆的投产规模从之前的10%上调至15%以上，美光NAND Flash晶圆产出减少比例也从原来的5%提高到了10%，以及削减2020年资本支出金额。

来源：三星，中国闪存市场ChinaFlashMarket

2020上半年“疫情”全球影响，三星却频频宣布扩产项目，使得Q2资本支出同比增长58%，其中半导体支出为8.6兆韩元，显示面板支出为0.8兆韩元，可以看出三星资金主要是用于半导体领域，主要是先进工艺技术升级和研发，以及对新厂设备和新建工厂投资，在提高当前产能的同时，也确保在未来几年内持续保持较高的生产能力。

三星2020上半年大手笔投资两大生产基地，2021年产能将明显增加
 
2020年3月三星于2018年开始新建的中国西安二期1阶段项目正式投产，预计将在Q3实现满产，正在建设的二期第二阶段项目预计将在2021年下半年实现量产，主要是投产三星先进的3D V-NAND，用于满足中国市场在“疫情”过后经济复苏的需求增长，以及全球不断增长的需求。

三星不仅加快建设中国西安生产基地，韩国平泽生产基地也在扩大规模，除了平泽兴建存储器工厂（P1）已投产先进NAND Flash和DRAM，于2018年投资建设的P2工厂也将在2020年进行设备投资后，生产第二代（1ynm）和第三代（1znm）10nm级DRAM，也包括建设极紫外光刻（EUV）生产线。同时，三星还投资了8兆韩元在5月开工建设NAND Flash产线，计划2021下半年开始量产先进的V-NAND芯片，以满足不断增长的数据中心和智能手机存储需求。

此外，有消息称，三星准备在平泽市建设P3工厂，计划在9月开始建设，据悉该工厂的生产制造规模要比P2工厂更大，预计P3工厂将在2021年Q3竣工，年底开始投入生产，具体投产计划尚未确定，需根据市场需求变化而决定。

三星除了在平泽生产基地扩大NAND Flash和DRAM生产外，也在扩大晶圆代工生产，三星不仅在韩国华城增加新的EUV专用生产线，计划在下半年批量生产5nm EUV工艺，平泽新的代工生产线也已于5月开建，预计将于2021年下半年全面投入生产，专注于基于EUV的5nm及以下工艺技术。

5G手机和服务器市场未来前景可观，是三星扩大投资的最大动力

三星在第二季度财报中表示，2020下半年在5G手机新机上市驱动下，DRAM的总体需求有望回升，同时也将推动NAND Flash的需求增长。在线上游戏、在线服务的增加下，服务器需求强劲的可能性仍存在，将可望对高性能DRAM和大容量SSD保持强劲需求。PC市场需求疲软，预计对客户端SSD、DRAM需求量将下降，但是随着容量配置增加，需求有可能恢复。

此外，中国大陆市场疫情基本稳定，以及经济逐步恢复，再加上华为、小米、OPPO等不断扩大5G手机销售的规模，以及阿里云宣布位于南通、杭州和乌兰察布的三座超级数据中心正式落成，将新增超百万台服务器，三星中国西安二期1阶段新工厂增加的NAND Flash产能不仅可满足中国市场需求，也可灵活配合全球市场供应。

不过，三星也强调，仍需密切观察贸易争端问题，导致的服务器客户对高容量DRAM的采用率变化，以及经济造成的不确定性因素影响。

从长远来看，2020年全球智能型手机虽然遭遇销售挑战，全年出货将下滑12%至12亿部左右，但有5G手机需求带动，而且预估全球智能型手机在2021年有望恢复成长动力。服务器市场，2020下半年客户可能会出现短期的库存调整，但在新基建、5G建设、人工智能、物联网等技术带动下，未来前景持续可观。

来源：公开信息

据Dell'Oro Group公开数据称，包括服务器和其他数据中心基础设施设备在内的数据中心资本支出，预计在未来5年将以6%的年复合增长率增长，并增至超过2000亿美元。另有市场数据称，近3年内美国无线运营商资本支出持续保持高增长，2021年的总资本支出将达到350亿美元，到2022年这一数字将增长6%，达到370亿美元。

三星中国西安二期2阶段工厂、平泽P2、P3工厂将会陆续在2021年或2022年投产，也是主要看好未来存储产业发展前景，5G手机快速成长，对高容量Mobile DRAM和嵌入式UFS/eMMC需求量增加，以及看好未来几年里服务器对高性能DRAM和大容量SSD可望维持强劲的需求。

反之，若2021年经济依然受“疫情”的影响，贸易争端等问题未解决，以及终端需求复苏的进度不如预期。那么，三星增加的NAND FLash和DRAM产能，对市场供需将造成较大影响。