据媒体报道,美光科技近日举办了2026年技术网络研讨会,公布其AI存储路线图。
1δ DRAM定位1γ后续,DDR6与LPDDR6蓄势待发
从DRAM路线图来看,美光已将1δ(1-Delta)定位为1γ技术的后续产品。1δ将在美国生产,拟较1γ实现25%左右的位密度提升,并实现埃级工艺控制。该DRAM将采用先进的HKMG CMOS工艺,并专为HBM5、vHBM、vEIM、DDR6和LPDDR6等高性能产品而设计。
报道称,美光DDR6和LPDDR6都基于即将推出的1δ DRAM节点,其中DDR6的带宽是DDR5的两倍,而LPDDR6的能效提高了35%。据悉,美光科技已与Meta公司合作,计划将其下一代LPDDR6解决方案应用于未来的数据中心。
展望未来,美光将把DRAM技术的核心重心放在6F2 DRAM上,而非4F2 DRAM,因为美光认为4F2 DRAM已无可行的扩展路径。美光还重点介绍了未来的DRAM技术,这些技术将采用晶圆键合、高数值孔径EUV光刻技术,并逐步过渡到更新的材料。除此之外,美光还将启动3D DRAM的研发工作,首款产品计划在首批高数值孔径EUV产品发布后不久推出。
HBM产品线扩展至定制设计,HBM5/HBM6已在规划
在HBM领域,美光将扩展其HBM产品线,涵盖标准设计、定制设计以及垂直整合设计。定制设计将采用芯片基片逻辑,用于添加差异化功能,例如计算逻辑、核心存储逻辑等。
此外,美光科技已在规划HBM5、HBM5E和HBM6技术,同时还将开发vHBM和vEIM。vHBM将通过提高带宽、能效和容量来提升代币转换效率,而vEIM则专注于提高能效,第一代产品的目标是每个模块达到2TB/s的带宽。
G11 NAND超400层堆叠,2027年下半年量产
目前,美光的G9 NAND闪存正在快速量产,且公司正在研发其G11。G11将采用晶圆级键合技术,拥有超过400层的厚度以及业界领先的单元间距。G11 NAND预计将于2027年下半年实现量产。从理论上讲,G11 NAND的位密度将是G9 NAND的约2倍,IO速度将提升1.5倍,每次数据传输的效率将提高25%以上。
继G11之后,美光计划在NAND中引入突破性的高迁移率材料,以实现超高密度单元结构并提高能源效率。

