三星电子扩大zNAND研发领域,NAND闪存加速走向定制化

存储器 网络 M 2026-10-12 15:08

从单一产品走向三条路线,三星为AI定制化存储提前布局

随着全球大型科技公司开发各种架构以最大限度地提高人工智能数据处理效率,对能够满足多样化需求的NAND的需求也在不断增长。 据韩媒援引业内人士消息,为满足多元化需求的战略,三星电子正在内部研发三种类型的z-NAND闪存, 除已公开展示模型的zNAND-O外,还包括zNAND-T和zNAND-I,分别优化吞吐量与随机性能。

zNAND-O:为端侧AI而生

zNAND-O中的“O”指On-device(设备端),是一款专为设备端人工智能设计的产品。与传统的通过引线键合将数据传输到芯片外缘的方法不同,它采用硅通孔技术将NAND层堆叠成4层或8层。这缩短了数据传输路径,从而提高了速度和能效。

zNAND-T:瞄准高吞吐量

zNAND-T的“T”代表“Throughput”(吞吐量),其概念类似于闪迪和SK海力士提出的HBF,即面向数据中心AI半导体需求,优化读写带宽表现,并采用TSV堆叠NAND Die。特点是最大限度地提高带宽,以满足高容量、高性能AI数据中心的需求。

zNAND-I:主打高IOPS

zNAND-I的“I”是象征随机性能的IOPS(每秒输入/输出操作数)的简写,强调少量数据频繁读写操作中的表现,最大程度地提高了IOPS。虽然更宽的带宽允许一次性处理大量数据,但是更高的IOPS意味着每秒完成更多的数据I/O操作。这也正是高IOPS NAND在人工智能推理领域越来越受欢迎的原因——在AI推理过程中,例如KV Cache,需要频繁处理低容量的临时数据。

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