随着AI算力爆发,大数据存储需求持续暴涨,市场对大容量固态硬盘(SSD)的需求持续攀升。SSD正朝着更大容量、更高密度、更低成本的方向全速迈进。
三星目标2030年实现560层以上NAND方案,随后继续推进翻番
在3D NAND闪存领域,芯片堆叠层数是决定存储容量与密度的核心关键。相较于传统平面闪存,更高的堆叠层数,能在不扩大芯片体积的前提下,大幅提升单颗芯片的存储容量,完美适配当下AI数据中心、云端存储、高端消费电子的大容量刚需。
据外媒报道,三星近期公布了其超高层NAND闪存规划路线图:
2029年:实现420层NAND闪存解决方案;
2030年:实现560层以上超高密度NAND方案;
下一个十年初:完成技术跨越式突破,将NAND堆叠层数翻倍,突破1000层门槛。
CMB技术助力千层堆叠,8TB SSD有望扩大至32TB
此外,三星还展示了900/1000层NAND闪存解决方案。该方案使用单元多键合(CMB)技术将两个450层NAND结构组合在一个封装内,实现层数倍增。业内人士估计,采用这种解决方案,原本8TB的QLC固态硬盘,其存储容量最高可扩展至32TB,极大提升单盘存储密度。
计划引入先进技术攻克量产难题
超高层数堆叠看似简单,实则对制造工艺提出了极致考验。随着NAND层数不断翻倍,晶圆翘曲、层间对准误差等难题会持续放大,易导致芯片良率下降、稳定性不足。
据悉,三星计划布局针对性解决方案,全力扫清技术落地障碍。一方面,引入上卡盘设计(Upper Chuck Design)方案,精准控制晶圆形变,从源头改善超高堆叠工艺下的晶圆翘曲问题,保障芯片生产平整度。另一方面,搭载叠对校正(Overlay Correction)技术,精准修正多层堆叠过程中的层间错位误差,大幅提升超高层数NAND芯片的良品率与运行稳定性。

