韩国12月上旬半导体出口额增长45.9%

继去年9月份起的近半年时间里，适用于行业DDR5内存条的次级颗粒以累计超6倍的涨速拉升，3月下旬价格转跌一个月后持续横盘，并于三季度初价格止跌反弹，持续上涨下令DDR5次级颗粒价格创下历史新高。面对成本滚动上扬，行业厂商已分次调涨相关成品，但过高的产品价格正遭受更多的客户抵触，仅少数海外客户尚能接受高价，本周行业8GB/16GB DDR5内存条价格小幅调涨。当前，越来越多的PC OEM评估将更多产品转向降级方案来应对成本压力，客户需求的转变也将导致出货更加艰难，未来行业存储厂商对于高价资源的备货也将更加谨慎。

内存条(行业市场)：DDR5 SODIMM 8GB 5600 涨 1.69% 至 $120.00，DDR5 SODIMM 16GB 5600 涨 0.83% 至 $242.00。

随着原厂LPDDR资源价格持续走高，目前价格已达今年历史峰值，但成本上涨并未对相应成品形成有效地、持续地带动作用，LP4X/LP5X产品均仅在6月份出现短暂涨价行情，7月份起个别LP4X产品价格转而下跌，主要是市场不同等级的LP4X产品价格混乱，尤其是高容量的LP4X产品高低等级方案价格存在数十美金的差距，越来越多的终端客户在饱受高价存储产品带来的硬件成本压力下转向更具价格优势的低端LP4X产品；而LP5X因本身多适用于高端化应用场景，客户对于产品质量有严格要求，即便个别存储厂商有旧库存作为缓冲，以较低价格来争取新单，厂商间的价差也相对较小，因此LP5X价格较LP4X更加坚挺，二者走势已然出现分化，未来大容量LP4X价格仍然承压。

上周在DDR5资源上涨的带动下，存储厂商跟随成本而调涨成品价格，尽管客户仍需一定的时间接受新定价，但当前资源上涨仍在持续且供应趋紧，未来渠道DDR5内存条或将被动跟涨，而支撑成品价格上涨的持续性则在于需求端的承接力度。本周渠道DDR5/DDR4内存条、SSD价格暂时持平。

Flash Wafer价格维持不变，DDR方面，DDR5 16Gb Major/DDR5 16Gb eTT分别小幅调涨至$45.00/$26.00。

DDR：DDR5 16Gb Major 涨 2.27% 至 $45.00，DDR5 16Gb eTT 涨 4.84% 至 $26.00。

谷歌近日宣布其 TPU 系统已扩展至 100 万芯片级规模，即谷歌 TPU 互联架构（包括网络拓扑、通信协议、软件栈等）已经能够支持将最多 100 万颗 TPU 芯片连接成一个统一的计算集群，实现协同工作。谷歌首席技术官Amin Vahdat指出，随着 AI 模型规模不断扩大，制约扩张的核心瓶颈已从芯片本身转移至电力供给，AI 算力的天花板正在从“造不出芯片”变成“找不到电”。

SK海力士16日宣布，劳资双方已就2026年工资和集体谈判达成最终协议。修订后的协议调整了股票期权比例，并扩大了员工的选择权。支付比例由原协议中的40%现金和60%股票调整为50%现金和50%股票，现金部分也进行了细分，允许员工以10%为单位选择股票，而不是现金。此外，员工的个人选择权也得到了扩大，允许以股票形式全额支付绩效奖金。此外，将公司亏损时工资延期支付的规定写入法律。

据媒体报道，Meta正与博通合作芯片设计，并与台积电合作生产自研AI芯片，旨在构建AI基础设施并减少对英伟达的依赖。据悉，Meta目前正在测试第三代产自研产品MTIA 450（Arke），不仅已成功运行Meta自己的AI模型，还运行了DeepSeek和阿里巴巴的模型。下一代产品MTIA 500（Astrid）预计将在一个月后完成设计。按照目前规划，正在测试的MTIA 450将于2027年上半年进入数据中心，而下一代MTIA 500则有望在2027年底前部署。

当地时间9月15日，美股三大股指集体收跌。截至收盘，道琼斯工业平均指数跌0.63%，报52093.11点；纳斯达克指数跌0.78%，报25981.57点；标普500指数跌0.45%，报7585.73点。其中，大型科技股表现分化，高通涨超4%，AMD涨超2%，英伟达涨0.57%，亚马逊跌超2%，微软、谷歌A、谷歌C均跌超1%，苹果跌0.52%；存储板块多数收跌，SK海力士跌0.46%，闪迪跌超1%，西部数据跌超3%，希捷跌超4%，美光涨0.39%。消息面上，美光宣布成功完成全球首款512GB DDR5 RDIMM内存模组的演示验证，并已在多个服务器平台上完成测试。

世贸组织（WTO）最新报告称，预计到2040年人工智能可为全球国内生产总值（GDP）带来13.2%的增长。同时，预计到2040年，AI可能使全球贸易额增长40%，其中增幅最大的领域是可通过数字方式交付的服务。

华为技术有限公司副董事长、轮值董事长汪涛表示，大模型规模已经突破万亿参数，10万亿参数很快将成为超大模型的基础规模；AI从被动问答工具逐步演变为能够自主规划、执行任务的智能体。同时，开源生态快速成熟、产业规模加速扩张，中国Token日均消耗从2024年年初的日均千亿增长到最近的日均500万亿，增长接近5000倍。随之而来的是集群形态的重构，10万卡以上的超节点集群到2027年将成为基础配置。

联发科发布新一代旗舰 5G 智能体 AI 芯片——天玑 9600 Pro。作为安卓阵营首批迈入 2nm 制程的移动平台，该芯片在核心性能、AI 算力及存储规格上均实现了显著跃升。天玑 9600 Pro支持 LPDDR6 内存（兼容 LPDDR5X）与 UFS 5.0 闪存，其中 LPDDR6 内存性能较上一代提升 33%，有效提升了数据读写与多任务处理效率。vivo X500 系列将全球首发搭载天玑 9600 Pro 芯片。

威刚9月14日公告现增发行价格，每股订290元（新台币，下同），预计发行2,000万股，以发行价格计算，总募资规模约58亿元，用途为偿还银行借款。

据日媒报道，东芝14日向关东财务局提出变更报告书(持股变动报告书)指出，截至9月7日为止，对铠侠的持股比重从原先(8月3日)的14.06%降至12.84%。

据业界消息，苹果已接受三星电子 2027 年一季度存储芯片报价。其中 DRAM 接近 2.0 美元 / Gb，NAND 接近 0.33 美元 / GB，较 2026 年三季度报价上涨 30% 至 40%。受存储芯片价格上涨影响，苹果已于今年 6 月上调 Mac、iPad 售价。近期发布的iPhone 18 Pro、iPhone 18 Pro Max售价均较上一代上调，部分在售旧款iPhone也出现了不同程度的涨价。

摩根大通分析师称，因AI需求强劲，ASML正研究2028年生产超110台EUV设备。ASML 2026年低数值孔径EUV产能约65台，计划2027年、2028年逐年提高30%，当前生产主要瓶颈为组装速度而非供应链问题。

据外媒报道称，字节跳动已与包括工商银行和汇丰控股在内的20多家银行签署296亿美元的贷款协议，这是今年亚洲最大的美元贷款交易之一。据知情人士透露，这笔为期三年、最长或延至五年的贷款吸引了28家银行。

据韩媒引述业内人士消息称，在定制化高带宽内存时代， 三星电子为其高带宽内存（HBM）提供基础芯片的战略 预计将发生重大变化。 该司将不再依赖其现有的内部代工厂进行自主生产，而是采取“双轨制程”战略，即同时采用基于台积电工艺的基础芯片。 

从今年开始量产HBM4开始，三星电子和SK海力士已开始采用代工工艺而非传统的DRAM工艺来制造基片。与DRAM工艺相比，代工工艺的优势在于能够将更多功能集成到基片中，从而提升性能和能效。

9月15日，A股三大指数早盘集体低开。存储概念个股方面，截至午间收盘，兆易涨超2%，大普微涨超1%，联芸涨1%，长鑫涨0.72%，佰维涨0.47%，香农芯创涨0.36%，江波龙涨0.18%，德明利跌0.23%。

据媒体报道，台积电2nm工艺的月产能预计将从今年年底的9万片晶圆增至明年年中的11万片，增幅约为22%。3nm工艺的产能目标是从去年年底的每月12万至13万片晶圆增至今年年底的18万片，并在明年年中达到21万片。如果计划按预期进行，从2025年底到2027年年中，3nm工艺的产能将增长约70%。此外，台积电正计划在台湾、美国亚利桑那州和日本新建3nm晶圆生产设施以提高产能，并将部分5nm生产线改造为3nm。随着对先进工艺投资的增加，预计明年的营收也将创历史新高。对此，台积电避免直接评论相关报道。