消息称三星称3nm制程良率过低,初期仅用于自家半导体生产

半导体 网络 AVA 2022-04-18 15:44

据韩媒报导,业界有消息称,指三星3nm制程商用化在即,但目前正苦恼良率过低等问题。此前有消息称,指三星4nm制程良率约30~35%,即将量产的3nm制程,其试产良率仅10~20%,离设定目标尚远。

2022年三星将率先进入3nm初期制程3GAE,主要用于自家半导体生产,而非用于外部客户的产品。此外,三星计划2023年进入3nm第二代3GAP制程,到时才有可能帮外部客户生产芯片。

三星3nm也将率先导入GAA技术,尽管速度比竞争对手略快,但三星仍有不少技术难关要克服,包括良率过低及量产延后等。尽管如此,三星3nm制程传在集积度、功耗等表现,较目前制程改善,产品集积度提升1.35倍,相同功率下,产品效能提升35%,使用相同功能时,功耗减少50%。

如按三星计划,成功从2023年开始进入3GAP制程,可能有利于在客户争取上;台积电预计在2nm制程导入GAA技术,是否会遇到跟三星类似的良率困境?值得持续关注。
 

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