韩媒:ARM芯片设计缺陷是导致安卓手机过热的根本原因,与三星制程工艺无关

半导体 网络 Cynthia 2022-04-13 14:44

据Businesskorea报导,行业分析师表示,ARM的芯片设计导致大量安卓智能手机出现性能及发热相关问题,包括三星电子、小米和摩托罗拉等使用的三星和高通AP处理器均出现问题,业内人士认为手机性能及发热的根本原因是ARM的设计问题。

报道称,业内人士表示,目前,高通骁龙和三星Exynos的AP处理器在大部分安卓旗舰手机中使用,但这些手机在发热、性能和功耗方面都存在问题,AP处理器是基于ARM架构设计的,三星电子和台积电都证实了同样的问题,导致这些问题的原因是由于设计而不是制造。

同时,专业人士也指出,这些问题是制造工艺、AP处理器设计、外围元件和智能手机性能本身等多种因素综合作用的结果。而iPhone的AP处理器也是基于ARM架构设计的,但iPhone手机在发热和性能方面从未出现过问题。

近期也有消息称,相关行业人士表示,台积电代工也救不了骁龙8 Gen 1的高功耗,ARM设计或将背锅。消息称,高通将骁龙8 Gen 1 Plus交给台积电代工,但在现阶段的内部测试中,耗电量并未得到改善。据了解,ARM推出的全新Cortex X1/2核心,确实存在性能高、功耗也高的诟病,高通可能最终选择给处理器Cortex X2核心降频。

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