三星电子、SK Hynix与美光预料都会在明(2016)年开始量产18nm制程技术的DRAM,下一个目标则将瞄准10nm。
BusinessKorea 13日报导,三星、SK Hynix在量产18nm DRAM之后,打算运用ASML制造的极紫外光(EUV)微影设备,目标是在2020年将DRAM制程技术逐步从15nm进一步演进至10nm。美光也打算在一年内对日本广岛厂注资1,000亿日圆(相当于8.34亿美元)、量产16nm制程DRAM,产量可较20nm制程多出20-30%,对三星与SK Hynix构成威胁。
不过,想要克服20nm制程的限制,则必须改变介电层的设计,才能使用原子结构比现有的分子结构更为紧密的材料,而美光目前还未取得相关技术,也让市场专家对美光的野心产生怀疑。另外,若想要导入16nm制程技术,美光也需购入每台要价1,000亿韩元(8,700万美元)的EUV设备,该公司对日本的投资额还不太够,而ASML每年也仅能生产7-8台EUV设备。
相较之下,三星打算在明年下半年开始量产18nm DRAM,并计划将DRAM的制程技术从18nm演进至15nm、并于2020年进一步拉升至10nm。SK Hynix在今年第3季成功量产20nm DRAM之后,将在明年第1季研发18nm技术、希望最快能赶在明年下半年量产18nm DRAM。业界消息人士指出,三星在20nm DRAM与竞争对手保持了一年(甚至更多)的差距,但在10nm预料会面临对手竞争。

