南茂Q2接单旺 资本支出主投12吋凸块

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-05-28 10:57

南茂科技(8150)昨(27)日赴证交所作业绩说明,南茂财务副总陈寿康表示,因为标准型存储器客户本身的产能规划,所以在存储器封装上接单增加,预计第二季仍维持首季存储器封装业务15%~20%季成长、接单仍旺,同时今年逻辑和混合讯号IC(Mixed-signal)封测业绩占比上看1成的占比。另外今年的资本支出总金额约24亿元,有40%的资本支出放在金凸块上,以提高12吋金凸块晶圆产能为最优先,另外因为看好4K2K对于LCD驱动IC的激励, COF也占资本支出约20~25%比重。

南茂第一季利基型DRAM封测营收占比约18%,标准型DRAM占比约14%,金凸块制造占比约19.5%,驱动IC封测占比约24%,Flash占比约15.2%。

近期下游DRAM存储器产业转为火热,市场也关心标准型DRAM产业的近况;南茂表示,标准型DRAM客户给的订单是逐季增加。南茂指出,跟2013年第四季标准型存储器需求相比,第一季存储器IC封测业绩季成长为15%~20%,预计第二季仍有同等幅的季增率。

在存储器产业的明显需求动能,主要是来自客户内部新加坡厂NAND Flash生产线整合,因此部份台厂暂停对该存储器厂的接单,因此该客户把订单集中到南茂身上来。至于存储器IC封测接单增温,是否是因为外传的微软新平台上市所带动的换机需求,南茂也会持续观察。

在产能利用率(稼动率)方面,目前以Bumping(凸块)的90%最高、产能利用率很高,所以其后会考虑再建12吋产能,12吋产能从目前的2.4万片/月提到高第三季的3.2万片/月,并且不打算投资8吋金凸块产能,以免跟同业作竞争。

产能利用率第二高,则是存储器IC封装的产能利用率为85%;第三高为COG(大尺寸玻璃基板封装)产线利用率约80~85%,其次为COF(小尺寸为主)的76~78%的产能利用率。

陈寿康说,而DRAM与晶圆测试产能利用率则是较低,近月已回升了,主要是来自NOR Flash与绘图芯片的带动。另外,第二季的Wafer Test的产能利用率亦可望从前一季的70%,回升到本季的75%水准。

在今年的资本支出金额共24亿元新台币,其分配比重上,分别是40%放在金凸块、封装有25%、LCD驱动IC约投资20~25%,测试用的辅助工具占10 ~15%。

由这样的支出来看,陈寿康认为,今年产能规划上,会以12吋金凸块列为第一优先的投资;第二顺位为COF(LCD驱动IC测试),主要是因应4K2K面板的需求,未来要从月产8,500万颗,提高到1亿颗的月产能、提升的幅度约15%~20%。至于第三顺位则是在高阶的Flip Chip覆晶封装上。

在未来展望上,南茂看好未来「物联网」和「穿戴式设备」市场需求;受惠此一趋势,预料逻辑IC和混合讯号IC封测接单成长可期,南茂会持续发展物联网元件相关封测业务。

南茂指出,逻辑和混合讯号IC封测产品,主要包括LCD周边面板元件、电源管理IC(LCD相关)、电子罗盘和陀螺仪(物联网)、以及指纹辨识芯片(穿戴、手机与平板)等4大项目;其中,今年LCD控制器和电子罗盘封测表现可正向看待。

 

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