3D NAND时代 韩国抢占次世代硬屏蔽市场

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-04-28 10:19
据ET News报导,韩国计划以3D NAND Flash存储器制程转换为契机,反攻硬屏蔽蒸镀设备市场。新半导体制程技术3D NAND时代来临后,也将为上游产业设备、材料业界带来庞大的商机。
三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等半导体大厂均已开始或准备量产3D NAND Flash,带动硬屏蔽市场的新需求。
硬屏蔽是半导体微影制程中,支撑光罩(photomask)的辅助材料。2D制程硬屏蔽蒸镀设备市场由应材(Applied Materials)等全球性大厂主导;韩国设备厂TES,则以内需市场为主。
2013年三星电子启动3D NAND量产,接著预计2014年5月完工的大陆西安厂也将引进3D制程。垂直堆叠的3D NAND制程,特性上die堆叠层数越多,需要耐蚀刻性越强的硬屏蔽。目前三星电子的3D NAND制程以24层结构为主,但韩国业界推测未来堆叠数将会达到30~40层以上。
韩国政府最快将在6月展开3D NAND制程用硬屏蔽蒸镀材料、设备研发事业。在超过24层堆叠结构的3D NAND制程中,需要研发比现有硬屏蔽耐蚀刻性大幅提升的蒸镀材料和设备。
而韩国政府的研发事业目标,在超越应材和Lam Research等全球化企业所持有的技术和性能。3D NAND制程市场现在正在引进阶段,为因应未来制程正式扩大及技术发展的可能性,韩国将率先抢攻海外市场。
目前韩国产业通商资源部旗下的韩国产业技术评价管理院,正开放接收各企业和研究机构的研发企划申请,并进行审查。5月完成审查后将选定最终执行机构。
韩国企业也正加速研发3D NAND制程用硬屏蔽蒸镀设备。TES已研发出3D NAND制程硬屏蔽蒸镀设备,并于2013年第3季开始对客户交货。该产品为24层结构用蒸镀设备。TES将加强相关领域的设备研发,以拓宽供货范围。

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