DIGITIMES报道指出,英特尔近来大动作宣布,将推出新的3D NAND技术,值得注意的是,藉此,NAND Flash、控制器及SSD的开发门槛将大幅升高。而已经具有相关先进技术的IMFlash,在藉助英特尔先进技术后,可望成为在这场竞赛中夺得先机。
网站Seeking Alpha在一篇专文中表示,英特尔最近在公司旗下非挥发性存储器解决方案集团(NSG)总部记者会中指出,将推出全新的3D NAND技术,还要推出新接口NVMe取代传统的PCIe接口,可让SSD位置更接近处理器,此举或可打破目前SSD仍距离处理器相当远距离的现状。
众所周知,PC制造商在将传统硬盘完全转换为SSD前,两英寸的SSD成为过渡期所使用的格式。而让计算机完全采用SSD且永远淘汰传统硬盘,关键在于控制芯片(controller chip)的技术,让精巧的SSD具有高速执行的能力。英特尔的SSD控制芯片将是采用先进的制造技术,是使英特尔SSD独特的因素。
报导指出,三星电子(Samsung Electronics)开始发展的3D NAND技术是从24层结构开始,但专家认为,32层结构以下的3D NAND Flash较不符合成本效益。而最近市场的传闻则指出,美光(与英特尔合作)的3D NAND将从32层开始,预计2014年夏天前送样。
值得一提的是,有监于美光本身不生产逻辑芯片,可以肯定的是,美光(与英特尔合作)的16纳米制程HKMG NAND芯片,将主要采用英特尔的技术。
而美光与英特尔的合资公司IM Flash,应该是由英特尔的技术结合美光的制造,也就是说,英特尔本身的高阶晶圆厂产能并不会用来导入存储器的生产,但该公司会将先进制程导入美光,由美光旗下的晶圆厂从事生产。
从英特尔的表态,以及美光挟著与英特尔的合作优势,再从新接口NVMe的推出以及3D NAND送样的时程来看,或许不久之后就会有PC制造商推出与其合作的新计算机亮相。
Seeking Alpha的专文认为,英特尔为美光的20纳米与15纳米NAND以及3D NAND提供HKMG技术。英特尔也会持续扩大(NAND/SSD)存储器的业务。
合理的推测是,IM Flash很可能利用已完全折旧后的晶圆厂,以扩充合资企业的NAND业务。有监于SSD的市场规模相当大,在英特尔和美光推动的SSD转型下,IM Flash或可在SSD领域抢占先机,开创一个SSD的双头寡占市场。