SK海力士扩大供应3D DRAM 传将对NVIDIA供货

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-03-31 10:13
韩国半导体大厂SK海力士(SK Hynix)成功抢占了高性能绘图处理器(GPU)搭载的3D堆叠绘图DRAM市场。据Ddaily报导,继超威(AMD)后,SK海力士也将对NVIDIA供应相关产品。
报导指出,SK海力士将对NVIDIA供应以硅穿孔(TSV)技术制造的3D DRAM「高带宽存储器」(High-Bandwidth Memory;HBM)。NVIDIA预计2016年推出的次世代GPU产品Pascal将搭载SK海力士的HBM。
NVIDIA在美国圣荷西绘图处理器技术大会GTC 2014(GPU Technology Conference)中,发表了次世代GPU产品Pascal将搭载具超高速、低功率、高容量特性的3D DRAM计画。
SK海力士2013年底领先业界研发出HBM。SK海力士的HBM采29纳米制程生产,DRAM的4颗芯片(Die)以TSV技术堆叠,每颗芯片实现8Gb容量。该产品驱动电压为1.2V,处理速度为1Gbps。经由1,024个输出入接脚(I/O),每秒可传输128GB信息,速度为每秒处理28GB信息的超高速绘图存储器GDDR5的4倍以上。耗电量也减少约40%。
SK海力士将于2014年底生产HBM并对AMD供货。AMD计划2015年推出的新款绘图卡将搭载SK海力士的HBM。之后SK海力士若对NVIDIA供货,在高阶GPU市场上将能巩固地位。
SK海力士内部人员表示,JEDEC固态技术协会正在针对利用TSV技术制造的HBM进行标准化,其它竞争对手也将陆续加入市场竞局。然而,目前只有SK海力士开始对客户提供工程样品(ES),量产也最快。
采TSV技术生产的3D堆叠DRAM除HBM外,也以混合式存储器立方(Hybrid Memory Cube;HMC)方式出现在市场上。HMC由美光(Micron)主导研发。HMC内建具控制器功能的逻辑芯片。然持有自主研发控制器技术的AMD、NVIDIA目前较偏好只堆叠DRAM的HBM。

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