当前DRAM市场形势分析

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-03-22 12:08
  由于NAND Flash与DRAM的生产设备差异不大,上游芯片厂DRAM与NAND Flash产线会按照市场的供需及价格的变化而转换生产。以下是原厂存储工艺状况。
原厂
DRAM产线
FLASH产线
SAMSUNG
有   25nm
有   16nm
SK HYNIX
有   29nm
有   16nm
TOSHIBA/SANDISK
无
有   19nm
MICRON
有   28nm
有   18nm
KINGSTON
有 PSC产线 38nm
无
(来源:ChinaFlashMarket.com)
目前全球Mobile DRAM主要供应商仅限于三星、尔必达(美光)、SK 海力士三家,尔必达的产能需要配合美光嵌入式存储eMCP在手机中的应用,三星的产能要满足自家的智能型手机需求,Mobile DRAM市场供应量一直表现紧缺。特别2013年开始智能型手机移动处理器进入四核世代,推动Mobile DRAM平均容量由1GB/2GB向2GB/4GB提升,对Mobile DRAM产能的消耗量增加了一倍,同时Mobile DRAM的销售利润又比NAND Flash高不少,三星、SK 海力士等更趋向于把NAND Flash生产线改生产Mobile DRAM。产能在2014年得到体现。
2013与2014年原厂DRAM的变化:
DRAM原厂
2013年
2014年
SAMSUNG
三星S3内置1GB DRAM到S4 增加到2GB,并且35nm 转向25nm,导致三星自己手机需求增加,自己生产供应减少转向外购DRAM。
25nm快速提升产能,新的S5手机依旧内置2GB DRAM。三星的DRAM Q2必须转向市场销售来消耗产能。
SK HYNIX
制程从36nm转向29nm ,无锡工厂失火导致产能供应严重不足。
无锡工厂4月份满载出货,并且29nm顺利大量产出。
南亚
三大原厂供应不足,获得市场机会
以LP DDR2和PC DDR3为主,工艺依旧3xnm 。
MICRON
调整产线和工艺,将MICRON新加坡及美国DRAM产线转移到日本ELPIDA、台湾瑞晶、华亚科。美国和新加坡主力NAND FLASH。
ELPIDA主力mobile DRAM,台湾产线主力PC DRAM ,NAND FLASH和DRAM产能全开,
KINGSTON
接手力晶PSC产线,每月2万片38nm产能。
没有投资新的工艺,依旧是38nm 每月2万片产能。
(来源:ChinaFlashMarket.com)
单片WAFER 2xnm的DRAM比3xnm 的产量提高45% 左右。在2014年的DRAM市场,原厂更有成本优势,如果市场有变化的时候,DRAM价格将有较大的下跌空间。
NAND Flash与DRAM产品对比表
厂商
南亚
三星FLASH
ELPIDA
SK HYNIX
产品名称
NT5CB256M8GN
2Gb 256MB *8
K9ACGD8U0B
3xnm 4Gb ECB440ABACN-Y
 29nm 4Gb
 256MB *16
产品尺寸 mm
8.150*6.42
11.625*6.614
10.46*7.10
7.37*6.25
工艺
35nm
19nm
36nm
 29nm
DIE数量
1220
804
859
 1412
DIE成本90%良率 USD1500
USD1.366
USD2.07
USD1.94
USD1.18
DIE市场价格
1.7美金
2美金
3.2美金
 3.2美金
总金额90%良率
 USD1866
USD1447
USD2474
USD4066
(来源:ChinaFlashMarket.com)
SAMSUNG 19nm的NAND FLASH 销售不到USD1500,而2xnm的DRAM销售在USD4000,原厂存储芯片摊提折旧+毛利润+材料成本= USD1500,可以看出NAND FLASH经过3个月连续跌价后会基本稳定,DRAM维持如此高的利润,在持续原厂供应产能和市场疲软的情况下,未来预计将会有更多的变化。

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