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原厂
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DRAM产线
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FLASH产线
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SAMSUNG
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有 25nm
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有 16nm
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SK HYNIX
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有 29nm
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有 16nm
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TOSHIBA/SANDISK
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无
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有 19nm
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MICRON
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有 28nm
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有 18nm
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KINGSTON
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有 PSC产线 38nm
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无
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DRAM原厂
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2013年
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2014年
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SAMSUNG
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SK HYNIX
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制程从36nm转向29nm ,无锡工厂失火导致产能供应严重不足。
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无锡工厂4月份满载出货,并且29nm顺利大量产出。
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南亚
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三大原厂供应不足,获得市场机会
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以LP DDR2和PC DDR3为主,工艺依旧3xnm 。
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MICRON
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调整产线和工艺,将MICRON新加坡及美国DRAM产线转移到日本ELPIDA、台湾瑞晶、华亚科。美国和新加坡主力NAND FLASH。
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ELPIDA主力mobile DRAM,台湾产线主力PC DRAM ,NAND FLASH和DRAM产能全开,
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KINGSTON
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接手力晶PSC产线,每月2万片38nm产能。
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没有投资新的工艺,依旧是38nm 每月2万片产能。
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厂商
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南亚
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三星FLASH
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ELPIDA
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SK HYNIX
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产品名称
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NT5CB256M8GN
2Gb 256MB *8
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K9ACGD8U0B
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3xnm 4Gb ECB440ABACN-Y
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29nm 4Gb
256MB *16
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产品尺寸 mm
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8.150*6.42
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11.625*6.614
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10.46*7.10
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7.37*6.25
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工艺
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35nm
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19nm
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36nm
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29nm
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DIE数量
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1220
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804
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859
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1412
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DIE成本90%良率 USD1500
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USD1.366
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USD2.07
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USD1.94
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USD1.18
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DIE市场价格
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1.7美金
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2美金
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3.2美金
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3.2美金
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总金额90%良率
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USD1866
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USD1447
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USD2474
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USD4066
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