SK海力士积极研发次世代存储器

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-02-18 09:40
据韩国先锋报报导,SK海力士近来接连延揽专家,致力于推动系统芯片领域,另一方面,也将巩固在全球存储器芯片市场排名第二的地位,进行双向发展。
SK海力士未来技术研究院长李硕熙(音译)在半导体制造技术展示会SEMICON Korea 2014结束后接受韩国媒体访问表示,SK海力士正在筹备次世代存储器事业,为研发次世代存储器,需集结政府、产业界和学术界的力量。
次世代存储器指的是结合DRAM信息处理速度快的优势,及NAND Flash非挥发性特性优势的存储器芯片,PCRAM、ReRAM、STT-MRAM等均是受注目的候选。韩国半导体业界认为,次世代存储器将以利基市场为中心成长,渐进式取代DRAM和NAND Flash,未来将成为市场的主流存储器。
进入2014年后,SK集团和SK海力士延揽三星电子(Samsung Electronics) LSI事业部出身的林亨圭和徐光璧,致力于研发非存储器芯片。在整体半导体市场销售中,非存储器占约8成。
然而,对SK海力士而言,守住全球半导体市场地位也相当重要,为掌握市场主导权,SK海力士在次世代存储器领域也将积极加强竞争力。
为推动次世代存储器研发,SK海力士持续与其它企业进行合作。2010年与惠普(HP)签订Re RAM共同研发合约,2011年与东芝(Toshiba)签订DRAM共同研发及生产合约,2012年则与IBM在共同研发和技术授权上进行策略性合作。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多