三星电子(Samsung Electronics)DRAM生产线顺利转进25纳米制程,并开始量产出货,2014年将对美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)造成极大竞争压力,由于美光要到2014年底才会转进20纳米制程,SK海力士则正从大陆无锡厂祝融事件中恢复元气,三星2014年制程领先将让其存储器龙头宝座更加稳固。
存储器业者表示,全球DRAM产业进入20纳米制程世代后,研发和机台设备投资扩大,由于浸润式机台(Immersion Scanner)单价动辄达新台币亿元,让半导体厂制程转进时程更加审慎。
近期三星25纳米制程正式量产,带给竞争对手美光和SK海力士极大压力,事实上,美光旗下日系存储器厂尔必达(Elpida)早已量产25纳米制程,当时尔必达宣称是全球首家量产25纳米制程的DRAM厂,成本结构可再下降20~30%,尔必达旗下瑞晶亦快速将25纳米导入量产,但最后仍难挽救尔必达濒临破产危机。
美光集团在2013年正式合并尔必达、瑞晶等台日存储器厂,配合台湾华亚科12寸厂生产基地,2014年底将大举转进20纳米制程,调整旗下生产结构,以期能顺利扩张全球市占率,进一步甩开SK海力士,并追赶三星。
美光旗下华亚科、瑞晶、尔必达广岛厂已成为全球重要生产基地,华亚科计划在2014年底转进20纳米制程,生产成本可再下滑,广岛厂日前亦决定增加投资额,从25纳米转进20纳米制程,并锁定移动式存储器产品研发。
SK海力士则因为2013年9月发生大陆无锡厂祝融事件,打乱公司策略方向,目前SK海力士制程技术是29纳米,将同步进行制程转进。
存储器业者指出,在SK海力士发生大陆无锡厂祝融事件后,三星和美光顺势接获PC OEM厂转单,成为最大受益者,使得三星2013年第4季DRAM市占率攀升至接近40%,美光接近29%,SK海力士则滑落至24%,较上一季28%明显衰退,美光亦藉此大幅甩开SK海力士,坐稳全球DRAM二哥宝座。
随著全球三大DRAM阵营鼎立趋势成形,存储器厂除力拼成本技术外,亦极力让产品组合更多元化布局,目前PC DRAM、服务器DRAM和移动式存储器各占约3成比重,成为支撑整个存储器产业架构的铁三角,同时因为这三项产品的季节性需求和景气走势各不相同,亦可让存储器厂避开过去单一PC景气大幅波动风险,创造更合理和稳定获利。