三星中国西安厂或以3D V-NAND生产为主

存储器 中国闪存市场 Helan 2014-01-03 09:51
三星电子(Samsung Electronics)位于大陆西安的半导体工厂,可望于2014年正式开始运转。未来三星西安半导体工厂的生产重心,应会放在3D V-NAND上,并且逐渐增加产量,站稳全球NAND Flash龙头宝座。
韩媒韩国经济指出,由于3D V-NAND可以活用现有的半导体生产设备,加上可不断向上堆叠增加容量,非常具有价格与市场竞争力,如与现有的21纳米NAND Flash相比,三星目前的24层3D V-NAND产品,读写速度快2倍、储存单位(Cell)寿命高10倍,但耗电量却减少50%,这也与目前尚未完全研发出的15纳米NAND Flash性能接近。
不少人也指出,就算三星先研发出16纳米NAND Flash,但可能并不打算投入量产,反而会集中火力发展36层3D V-NAND。传三星最近已成功研发出36层3D V-NAND,性能足以媲美11纳米NAND Flash。
另一方面,根据AsiaToday的报导,最近三星位于大陆的西安半导体工厂,已陆续向至少10家半导体设备业者发出订单,合约金额规模约2,241亿韩元(约2.1亿美元)。三星签订的15件半导体设备合约,12件是在2013年9月底到10初完成,之后在11月到12月这段期间,陆续发出第2阶段设备订单,收到订单的业者包括TES、LotVacuum与Eugene Technology等。
Wonik IPS是韩国最大的电浆增强化学气相沉积(PECVD)设备业者,随著3D V-NAND制程转换需求增加,与三星大陆半导体工厂分别于9月及10月,签订约770亿韩元规模的合约,金额是10家收到三星订单业者中的冠军。收到三星订单第2名的业者是TES,其在9月与12月,共收到432亿韩元规模的合约,主要供应三星大陆半导体工厂3D V-NAND硬掩模沉积设备(ACL PECVD);TES在2013年取得39件半导体设备相关专利,成长潜力不容小觑。
韩业界相关人士表示,3D V-NAND所需的沉积与蚀刻制程,是平面半导体的4倍以上。供应低压化学气相沉积(LPCVD)设备的Eugene Technology,以240亿韩元成为三星大陆半导设备订单的第3名业者。另外,供应乾式真空帮浦设备的LotVacuum,也多次与三星签订共191亿韩元的合约,其中一笔156亿韩元合约,创该公司成立以来的单一合约最大金额。
韩国证券业相关人士猜测,三星一般会在排定的生产时程,提前至少1季发出工厂合约设备,从最近三星频向设备业者发出订单的状况来看,三星大陆西安工厂可望在2014年第1季内正式运转。根据三星稍早陆续公布的资料,三星西安半导体工厂的总投入经费为75亿美元;截至2013年第3季为止,追加了2.6兆韩元的投资,第4季预计也会追加8,000亿韩元。韩国业界人士指出,预料在三星完成设备进驻后,西安将成为三星重要的3D V-NAND量产据点,可使三星的3D V-NAND进一步拉大与同业的差距达1年以上。

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