为了满足市场对存储器的需求,南韩大厂SK Hynix将与超微(AMD)携手量产高频宽存储器(high bandwidth memory, HBM)。
韩国时报(The Korea Times)报导,SK hynix一名主管19日在接受专访时表示,该公司将自明(2014)年下半年起采用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via, TSV)封装技术和超微携手量产HBM芯片,量产地点将选在位于南韩京畿道(Gyeonggi Province)利川市(Icheon)的DRAM厂。该名SK hynix主管指出,HBM芯片会在明年上半年开始送样。他并未透露会HBM芯片的客户是哪几家厂商。
SK hynix是业界第一家确认将要生产这种次世代芯片的厂商。HBM芯片不但提升了存储器效能,同时还大幅降低了耗电量,一开始会应用在高阶的绘图处理器,之后则会整合至超级计算机、网络与服务器。
三星电子(Samsung Electronics Co.)也已为使用TSV封装技术的芯片并购了所需科技,但该公司并未透露太多讯息。三星发言人Lee Won-ho表示,TSV存储器的量产时程还未决定,这要看客户的需求而定。

